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积雪草的种植装置以及栽培方法制造方法及图纸

技术编号:15468336 阅读:97 留言:0更新日期:2017-06-02 09:11
本发明专利技术提供了一种积雪草的种植装置以及栽培方法,属于中草药种植技术领域。该种植装置包括基础槽、第一种植槽以及第二种植槽,基础槽包括种植基面,第一种植槽和第二种植槽设置于种植基面,第一种植槽的槽底板和第二种植槽的槽底板相对设置,第一种植槽远离基础槽的一侧与第二种植槽远离基础槽的一侧相互靠近且间隔设置,形成用于露出种植基面的暴露开口。此外,本发明专利技术还提供的栽培方法包括:制备上述种植装置,然后在第一种植槽、第二种植槽和基础槽上种植积雪草。该种植装置结构简单,制作容易。利用该种植装置进行设施栽培,能够扩大积雪草的栽培面积,增加了产量,提高了土地的利用率。

Planting device and cultivation method of Centella asiatica

The invention provides a planting device and a cultivation method of Centella asiatica, belonging to the technical field of Chinese herbal medicine cultivation. The planting device comprises a base groove of the first groove and the second groove planting planting, planting base includes a base groove, the first planting groove and second planting groove arranged on the planting base, the tank bottom plate groove floor and second planting planting groove in the first slot of the opposite set the first planting trough away from one side of the tank foundation and second planters from the base one side of the tank close to each other and arranged at intervals, forming an opening exposing planting base exposure. In addition, the cultivation method provided by the invention comprises the following steps: preparing the planting device, and planting the Centella asiatica on the first planting trough, the second planting groove and the base trough. The planting device has the advantages of simple structure and easy fabrication. The utility model can be used for facility cultivation, and can enlarge the cultivation area of the snow covered grass, increase the yield and improve the utilization rate of the land.

【技术实现步骤摘要】
积雪草的种植装置以及栽培方法
本专利技术涉及中草药种植
,具体而言,涉及一种积雪草的种植装置以及栽培方法。
技术介绍
积雪草是一种伞形花科草本植物,具有清热、解毒等功效,是民间草药的一种,可内服、外用,也是餐饮汤料的好材料和美容产品的原材料。现有所知没有规模栽培,只有在家庭菜园中有零星栽培,在热带以及亚热带地区广泛分布,在春季野外容易获得,夏季,秋季难获得,并且杂草、落叶多混在一起,难清杂,难采收,如何栽植积雪草达到产量高、易采收、品质优是本领域技术人员致力解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种积雪草的种植装置,其结构简单,安装容易,能够提高积雪草的种植面积。本专利技术的另一目的在于提供一种积雪草的栽培方法,该栽培方法利用上述积雪草种植装置进行栽培积雪草,有效的提高了积雪草的栽培面积,提高土地利用率,并且提高了产量。本专利技术解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。一种积雪草的种植装置,其包括基础槽、第一种植槽以及第二种植槽,基础槽包括种植基面,第一种植槽和第二种植槽设置于种植基面,第一种植槽的槽底板和第二种植槽的槽底板相对设置,且第一种植槽远离基础槽的一侧与第二种植槽远离基础槽的一侧相互靠近且间隔设置,形成用于露出种植基面的暴露开口。一种积雪草的栽培方法,其包括:搭建种植装置:整地起垅形成基础槽,基础槽包括种植基面,将第一种植槽和第二种植槽安装于种植基面,且使第一种植槽的槽底板和第二种植槽的槽底板相对设置,并使第一种植槽远离基础槽的一侧与第二种植槽远离基础槽的一侧相互靠近且间隔设置,形成用于露出种植基面的暴露开口;以及种植:在所述基础槽、所述第一种植槽以及所述第二种植槽上种植所述积雪草。本专利技术实施例提供的一种积雪草的种植装置以及栽培方法的有益效果是:本专利技术提供的积雪草的种植装置,其结构简单,制作容易,利用该种植装置进行设施栽培,第一种植槽、第二种植槽和基础槽形成三个种植区,能够扩大积雪草的栽培面积,增加了产量,同时第一种植槽和第二种植槽的倾斜设置,提高了土地的利用率,免清杂节省了人工,为积雪草的应用,推广提供了丰富的原材料。利用该栽培方法栽培制得的积雪草品质高、鲜嫩,达蔬菜品质,易采收。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术第一实施例提供的积雪草的种植装置的结构示意图;图2为本专利技术第一实施例提供的积雪草的种植装置的第一闭合面板的结构示意图;图3为本专利技术第二实施例提供的积雪草的栽培方法中采收时进行第一次分区的结构示意图;图4为本专利技术第二实施例提供的积雪草的栽培方法中多次采收后进行第二次分区的结构示意图;图5为本专利技术第三实施例提供的积雪草的种植装置的结构示意图;图6为本专利技术第三实施例提供的积雪草的种植装置的安装支架的结构示意图。图标:100-积雪草的种植装置;110-第一种植槽;110a-第一种植部;110b-第一间隙部;110c-第一固定部;111-第一闭合面板;112-种植孔;113-吸收孔;114-第一预采区;115-第一留种区;116-第二预采区;117-第二留种区;118-暴露开口;120-第二种植槽;120a-第二种植部;120b-第二间隙部;120c-第二固定部;121-第二闭合面板;122-连接梁;130-基础槽;131-沙石层;132-护边层;133-种植基面;140-安装支架;141-安装板;142-固定架;143-第一限位杆;144-第二限位杆。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品。请参阅图1,下面对本专利技术实施例的一种积雪草的种植装置100以及积雪草的栽培方法进行具体说明。积雪草的种植装置100包括第一种植槽110、第二种植槽120、基础槽130以及连接梁122。请参阅图1和图2,第一种植槽110内填充有基质营养土,在第一种植槽110的槽口处设置有第一闭合面板111,第一闭合面板111能够闭合第一种植槽110以避免第一种植槽110内的基质营养土漏出。在第一闭合面板111上开设有多个种植孔112和多个吸收孔113,多个种植孔112和多个吸收孔113交替设置。其中种植孔112用于种植积雪草,由于积雪草是匍匐生长的,在生长过程中,积雪草的节上生根,这部分根能够通过吸收孔113伸入基质营养土内进行吸收营养。具体地,第一种植槽110包括第一种植部110a、第一间隙部110b以及第一固定部110c,其中,第一间隙部110b设置于第一种植部110a和第一固定部110c之间,第一种植部110a用于种植积雪草,因而第一闭合面板111与第一种植部110a配合。第一间隙部110b为间隙开口,用于将基础槽130与外界连通,便于采收基础槽130上的积雪草。而第一固定部110c插入基础槽130内,也即是插入土壤内,用于固定和支撑第一种植槽110,第一固定部110c的插入深度约0.4m。多个种植孔112排列为多排且将闭合面板分为多个匍匐区,任意相邻的两排种植孔112之间的间距为0.3~0.5m,优选为0.4m。同一排的种植孔112之间的间距为0.06~0.1m,优选为0.08m。种植孔112的直径为3~5mm,优选为4mm。任意相邻的两排种植孔112之间设置有呈阵列式排布的多个吸收孔113,也即是吸收孔113设置于匍匐区内,且形成多排和多列,每行和每列任意相邻两个吸收孔113之间的间距均为0.06~0.1m,优选为0.08m。吸收孔113的直径为2~4mm,优选为3mm。第二种植槽120的结构与第一种植槽110相同,第二种植槽120的槽口处也设置有用于闭合第二种植槽120的第二闭合面板121,同样的,在第二闭合面板121上也设置有种植孔112和吸收孔113,第二闭合面板121上的种植孔112和吸收孔113的设置方式和设置距离与第一闭合面板111上的种植孔112和吸收孔113相同,此外,第二种植槽120包括第二种植部120a、第二间隙部120b以及第二固定部120c,第二间隙部120b连接于第二种植部120a和第二固定部120c之间,第二种植部120a、第二间隙部120b以及第二固定部120c的作用以及连接关系可参照第一种植槽110的第一种植部110a、第一间隙部110b以及第一固定部110c,这里不在赘述。基础槽130包括种植基面133,该种植基面133与基础槽130的槽底板相对设置,即基础槽130用于种植积雪草的一侧为种植基面133,本实施例中,将整地起垅后的垅面作为基础槽130,由于积雪草能够直接在垅面上进行生长,因而无需在基础槽130内填充基质营养土,并且基础槽130水平设置,也无需在基础槽130上设置闭合面板。具体地,基础槽130是在整地起垅后形成的垅面上铺设沙石层131形成的,其中,沙石层131的沙石粒径小于0.02m,沙石层131的铺设厚度为0本文档来自技高网...
积雪草的种植装置以及栽培方法

【技术保护点】
一种积雪草的种植装置,其特征在于,其包括基础槽、第一种植槽以及第二种植槽,所述基础槽包括种植基面,所述第一种植槽和所述第二种植槽设置于所述种植基面,所述第一种植槽的槽底板和所述第二种植槽的槽底板相对设置,且所述第一种植槽远离所述基础槽的一侧与所述第二种植槽远离所述基础槽的一侧相互靠近且间隔设置,形成用于露出所述种植基面的暴露开口。

【技术特征摘要】
1.一种积雪草的种植装置,其特征在于,其包括基础槽、第一种植槽以及第二种植槽,所述基础槽包括种植基面,所述第一种植槽和所述第二种植槽设置于所述种植基面,所述第一种植槽的槽底板和所述第二种植槽的槽底板相对设置,且所述第一种植槽远离所述基础槽的一侧与所述第二种植槽远离所述基础槽的一侧相互靠近且间隔设置,形成用于露出所述种植基面的暴露开口。2.根据权利要求1所述的积雪草的种植装置,其特征在于,所述积雪草的种植装置还包括用于闭合所述第一种植槽的槽口的第一闭合面板,以及用于闭合所述第二种植槽的槽口的第二闭合面板,所述第一闭合面板和所述第二闭合面板上均开设有多个种植孔和多个吸收孔。3.根据权利要求2所述的积雪草的种植装置,其特征在于,多个所述种植孔排列为多排,任意相邻的两排所述种植孔之间的间距为0.3~0.5m,且任意相邻的两排所述种植孔之间设置有呈阵列式排布的多个所述吸收孔,每行和每列任意相邻两个所述吸收孔之间的间距均为0.06~0.1m。4.根据权利要求2所述的积雪草的种植装置,其特征在于,所述第一种植槽包括第一固定部、第一种植部以及设置于所述第一固定部和所述第一种植部之间的第一间隙部,所述固定部远离所述间隙部的一端伸入所述基础槽且与所述基础槽固定连接,所述第一闭合面板与所述种植部配合连接。5.根据权利要求1所述的积雪草的种植装置,其特征在于,所述积雪草的种植装置还包括安装支架,所述安装支架包括安装板和固定架,所述安装板连接于所述固定架,所述固定架与所述基础槽连接,所述安装板设置有第一限位杆和第二限位杆,所述第一种植槽安装于所述第一限位杆和所述第二限位杆之...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈念枢
申请(专利权)人:陈念枢
类型:发明
国别省市:广东,44

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