一种低临界转换频率的双频驱动液晶混合物制造技术

本发明专利技术公开了一种低临界转换频率的双频驱动液晶混合物，所述混合物包含第一组分和第二组分，所述第一组分包括通式I所示化合物中的一种或几种：

【技术实现步骤摘要】
一种低临界转换频率的双频驱动液晶混合物
本专利技术属于液晶材料
，具体地，本专利技术涉及一种低临界转换频率的双频驱动液晶混合物。
技术介绍
双频驱动液晶(Dualfrequencyliquidcrystal)材料具有介电各向异性的正负可随外加频率变化而改变的特性。当无外加频率时，该液晶介电各向异性值为正；随着外加交流电场频率的增大，介电各向异性可从正性变为负性；介电各向异性为零时对应的频率值为临界转变频率(fc)，是衡量双频液晶性能的重要指标。当外加频率小于临界频率时，液晶分子沿电场方向排列；当外加频率大于临界频率时，液晶分子垂直电场排列；从而通过控制外加频率的大小实现分子排列方式的改变。双频驱动液晶兼具向列相正性液晶与负性液晶的特点，与普通向列相液晶相比，双频驱动液晶材料具有更大的相转变和更快的响应时间，所制备的器件具有亚微秒级的响应速度，且所需驱动电压低，调控机制更为简单，在显示领域、双稳态器件，光学领域如光学快门、自适应光学器件、光透镜等方面应用范围广阔。然而现有市售双频液晶材料的fc较高，需要较高频率驱动从而造成很大的介电损耗，影响器件的稳定性和寿命，限制了其作为高性能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低临界转换频率的双频驱动液晶混合物，所述混合物包含第一组分和第二组分，其特征在于，所述第一组分包括通式I所示化合物中的一种或几种：

【技术特征摘要】
1.一种低临界转换频率的双频驱动液晶混合物，所述混合物包含第一组分和第二组分，其特征在于，所述第一组分包括通式I所示化合物中的一种或几种：式中，末端基团R1、R2分别选自-CN、-NCS、-OCN、-CnH2n+1、-OCnH2n+1、-SCnH2n+1、-CF3O、-CHF2O，含有1～10个碳原子的烷基中任意两个相邻亚甲基被乙烯基取代后形成的基团中的任意一种，含有1～10个碳原子的烷氧基中的任意两个相邻亚甲基被乙烯基取代后形成的基团中的任意一种，n为1～20的整数；桥键A选自碳碳单键、双键、三键、-COO-、-OCO-、-CONH-、-(CH2)a-、-CH2O中的一种，其中a为0～5的整数；六元环Z为基团中的任意一种或几种，环的个数m为1～3的整数；取代基X1～X4独立的选自-H、-F、-Cl、-CN四种基团中的任意一个；所述第二组分包括通式II所示的化合物中的一种或几种：式中，末端基团R3、R4分别选自-CnH2n+1、-OCnH2n+1、-SCnH2n+1、-CF3O、-CHF2O、-CF3，含有1～10个碳原子的烷基中任意两个相邻亚甲基被乙烯基取代后形成的基团中的任意一种，含有1～10个碳原子的烷氧基中的任意两个相邻亚甲基被乙烯基取代后形成的基团中的任意一种，n为1～20的整数；桥键B选自碳碳单键、碳碳双键、碳碳三键中的一种或几种；六元环Y为基团中的任意一种或两种，环...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨槐，王萌，张兰英，李辰悦，胡威，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京,11