一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属镍的扩散连接方法技术

本发明专利技术公开一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属镍的扩散连接方法，属于陶瓷与金属连接技术领域。该方法首先将三元层状陶瓷与金属镍进行表面处理，然后将三元层状陶瓷与金属镍进行研磨、抛光及超声清洗；然后将三元层状陶瓷与金属镍安装在热压炉中，并将热压炉抽真空；当热压炉中的真空度达到5×10

【技术实现步骤摘要】
一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属镍的扩散连接方法
：本专利技术属于陶瓷与金属连接
，具体涉及一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属镍的扩散连接方法。
技术介绍
：Ti3SiC2是一种新型的三元层状陶瓷材料。美国陶瓷学会会刊(JournaloftheAmericanCeramicSociety79,1953(1996))中研究表明它综合了陶瓷和金属的诸多优点，具有低密度、高模量、高强度、高的电导率和热导率以及易加工等特点，因而Ti3SiC2陶瓷是很有希望应用在航空、航天、核工业和电子信息等高
的一种新型结构/功能一体化材料，尤其适合作为高温结构材料。虽然对Ti3SiC2陶瓷的合成和性能进行广泛深入地研究，但是由于不能合成大尺寸的块体材料或构件，使其在实际应用受到限制。陶瓷连接的重要作用之一是提供一种低成本制造形状复杂的部件方法，同时可以提高陶瓷结构的可靠性，并可用于破损陶瓷件的修复。因而，研究Ti3SiC2陶瓷的连接不仅具有重要的理论意义，而且具有很高的实用价值。目前为止，有关连接Ti3SiC2陶瓷的研究很少。在材料研究学报(JournalofMaterialsResearch17,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属镍的扩散连接方法，其特征在于该扩散连接方法具体步骤如下：(1)将三元层状陶瓷Ti

【技术特征摘要】
1.一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属镍的扩散连接方法，其特征在于该扩散连接方法具体步骤如下：(1)将三元层状陶瓷Ti3SiC2与金属镍进行表面处理，然后将所述三元层状陶瓷Ti3SiC2与所述金属镍进行研磨、抛光及超声清洗；然后将处理好的所述三元层状陶瓷Ti3SiC2与所述金属镍安装在热压炉中，并将所述热压炉抽真空；(2)当所述热压炉中的真空度达到5×10-2Pa时开始加热，在温度800～1100℃、压力6～20MPa下恒压保温10～90min，使所述三元层状...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹孝辉，高银银，国礼杰，包全和，张向忠，
申请(专利权)人：安徽工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34