A wire grid polarizer (10) having a substrate (11) and the conductor (12), a substrate (11) with concave convex structure extends to the specific direction on the surface of the conductive body (12) is set to a partial convex concave convex structure (11a) of one side (11b). Also, section view in the vertical direction relative to the extending direction of the concave convex structure of the wire grid polarizer (10) of two adjacent projections (11a) that is the interval distance of P1 to 120nm, and from the crown (11a) the highest part (11c) into the recess (11d) is the lowest the Ministry (11e) the height difference is the convex height (H) of 0.8 times to 1.3 times the distance P1. A liquid crystal display device with high picture quality can be provided by using a grid polarizer (10) for a liquid crystal display device.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】线栅偏振片以及投影型影像显示设备
本专利技术涉及一种线栅偏振片以及投影型影像显示设备。
技术介绍
近年来,反射型偏振件使用于液晶显示装置的机会在增加。反射型偏振件反射特定的直线偏振成分的光,透射与该特定的直线偏振成分正交的成分的光。作为反射型偏振件,例如有由双折射性树脂的层叠体构成的偏振件、多个导电体(金属细线)平行地在透明基板上延伸的线栅型偏振件。又,作为不反射或透射直线偏振成分的光,而反射或透射特定的圆偏振成分的光的偏振件,也有由胆甾相液晶构成的偏振件。在它们之中,线栅型偏振件作为具有高偏振透射率且能够得到所希望的直线偏振成分的光、并能够使与该所希望的直线偏振成分正交的直线偏振成分的光为低偏振透射率(高偏振反射率)的反射型偏振件而受到关注。另外,将相互正交的两个直线偏振成分的光的透射率之比称为透射光的消光比。线栅型偏振件一般在金属细线的间距比射入的光的波长足够小的情况下,具有如下特性:使射入的光之中的、具有与金属细线的延伸方向正交的电场矢量的直线偏振成分的光透射,对具有金属细线的延伸方向的电场矢量的直线偏振成分的光进行反射。作为制作线栅型偏振件的方法,已知有在基材表面制作导电体的薄膜,在薄膜上形成聚合物层之后,采用具有通过干涉曝光法或电子束描画法等制作的图案的模具在聚合物层上形成图案,采用聚合物层的图案通过对导电体的薄膜进行干法刻蚀的方法等制作金属细线的方法(专利文献1)。又,相对于凹凸形状基材,还已知有利用倾斜蒸镀法对基材凸部的侧面蒸镀导电体的方法(专利文献2)。前者需要有干涉曝光、电子束描画、干法蚀刻等所需要的、高价的制造装置,而且还具有低生产效率 ...
【技术保护点】
一种线栅偏振片,其具有基材和导电体,所述基材的表面上具有向特定方向延伸的凹凸结构,所述导电体被设置为偏设于所述凹凸结构的凸部的一个侧面,所述线栅偏振片的特征在于,在相对于所述凹凸结构的延伸方向的垂直方向的剖面视图中,相邻的两个凸部的间隔即间距P1为120nm以下,且从所述凸部的最高部到凹部的最低部的高度之差即凸部高度H为间距P1的0.8倍至1.3倍,所述导电体从凹凸结构的大致最低部向最高部延伸,且至少所述导电体的一部分被设置于所述凹凸结构的凸部的最高部的上方,在相对于所述凹凸结构的延伸方向的垂直方向的剖面视图中,将从所述凸部的最高部到凹部的最低部的高度之差即凸部高度H的大致9/10H的位置设为第一高度位置,将大致1/10H的位置设为第二高度位置时,所述第一高度位置的所述凸部的宽度为所述第二高度位置的所述凸部的宽度的0.5倍以上且1.0倍以下,所述凹凸结构的凸部的半高宽的值为所述间距P1的0.05倍至0.5倍。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.10.14 JP 2011-2267361.一种线栅偏振片,其具有基材和导电体,所述基材的表面上具有向特定方向延伸的凹凸结构,所述导电体被设置为偏设于所述凹凸结构的凸部的一个侧面,所述线栅偏振片的特征在于,在相对于所述凹凸结构的延伸方向的垂直方向的剖面视图中,相邻的两个凸部的间隔即间距P1为120nm以下,且从所述凸部的最高部到凹部的最低部的高度之差即凸部高度H为间距P1的0.8倍至1.3倍,所述导电体从凹凸结构的大致最低部向最高部延伸,且至少所述导电体的一部分被设置于所述凹凸结构的凸部的最高部的上方,在相对于所述凹凸结构的延伸方向的垂直方向的剖面视图中,将从所述凸部的最高部到凹部的最低部的高度之差即凸部高度H的大致9/10H的位置设为第一高度位置,将大致1/10H的位置设为第二高度位置时,所述第一高度位置的所述凸部的宽度为所述第二高度位置的所述凸部的宽度的0.5倍以上且1.0倍以下,所述凹凸结构的凸部的半高宽的值为所述间距P1的0.05倍至0.5倍。2.如权利要求1所述的线栅偏振片,其特征在于,在相对于所述凹凸结构的延伸方向的垂直方向的剖面视图中,所述凹凸结构的凸部的剖面形状为大致矩形形状。3.如权利要求1所述的线栅偏振片,其特征在于,所述导电体被设置为从所述凹凸结构的大致最低部向最高部延伸,进一步地,所述导电体还存在于基材凸部的顶部的上方。4.如权利要求1所述的线栅偏振片,其特征在于,在相对于...
【专利技术属性】
技术研发人员:河津泰幸,小野尚志,杉村昌治,杉山大,
申请(专利权)人:旭化成株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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