一种背金产品的加工方法技术

本发明专利技术提供了一种背金产品的加工方法，包括：利用酸洗液将背面硅衬底进行清洗，去除所述背面硅衬底表面的氧化层；所述背面硅衬底清洗后的第一等待时间内，按照预设蒸发速度蒸发银及底层金属至所述背面硅衬底表面形成背金产品，并在蒸发银及底层金属的过程中检查监控片的切片断层是否发现空洞；若发现空洞，则将所述预设蒸发速度提高；对不良的所述背金产品进行漏电修复。本发明专利技术的背金产品的加工方法，对背金产品的加工流程进行了改进，减少了背金产品的背面银的脱落率，从而大大提高了背金产品的成品率，降低了生产成本。

Method for processing back gold product

The invention provides a processing method, a back of gold products include: the use of acid lotion will back silicon substrate cleaning, removing the oxide layer and the back surface of a silicon substrate; the backside silicon substrate after cleaning the first wait time, according to the preset vaporization of silver and the bottom layer to the back side of silicon metal the surface of the substrate to form a back gold products, and in the process of evaporation and the silver metal bottom check slice fault monitoring sheet is found empty; if found empty, the default rate of evaporation increased; on the side the back gold products leakage repair. The processing method of the invention back gold products, the processing flow back of gold products was improved, reducing the loss rate on the back of the silver back gold products, thereby greatly improving the back payments and the rate of finished products, reduce the production cost.

【技术实现步骤摘要】
一种背金产品的加工方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种背金产品的加工方法。
技术介绍
背金产品，例如半导体场效应管(DMOS)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和肖特基二极管等，生产过程中最头疼的问题莫过于背面银脱落(AgPeeling)。背面银脱落的原因解释不难，就是背面银被沾污被氧化而脱落。如何在生产过程中保证背金产品的背面银不脱落，是亟待解决的一个难题。
技术实现思路
为了克服现有技术中背金产品的生产过程中背面银脱落的技术问题，本专利技术提供了一种背金产品的加工方法。为了解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：本专利技术提供了一种背金产品的加工方法，包括：利用酸洗液将背面硅衬底进行清洗，去除所述背面硅衬底表面的氧化层；所述背面硅衬底清洗后的第一等待时间内，按照预设蒸发速度蒸发银及底层金属至所述背面硅衬底表面形成背金产品，并在蒸发银及底层金属的过程中检查监控片的切片断层是否发现空洞；若发现空洞，则将所述预设蒸发速度提高；对不良的所述背金产品进行漏电修复。进一步来说，所述的背金产品的加工方法中，所述对不良的所述背金产品进行漏电修复步骤之后还包括：将所述背金产品用不吸潮的隔离纸进行真空包装，并在真空包装外包装两道包装袋。进一步来说，所述的背金产品的加工方法中，所述利用酸洗液将背面硅衬底进行清洗，去除所述背面硅衬底表面的氧化层步骤之前包括：将待清洗的所述背面硅衬底通过清洁的防护工具进行拾取。进一步来说，所述的背金产品的加工方法中，所述酸洗液包括乙二醇EG和缓冲刻蚀液BOE，所述EG和所述BOE的质量比为16:1。进一步来说，所述的背金产品的加工方法中，所述对不良的所述背金产品进行漏电修复步骤包括：利用真空烘箱对不良的所述背金产品进行烘烤，烘烤时间为0.5至1小时，烘烤温度为150℃。进一步来说，所述的背金产品的加工方法中，若所述背面硅衬底清洗后的第一等待时间内未对所述背面硅衬底进行蒸发银及底层金属，则重新对所述背面硅衬底进行清洗。进一步来说，所述的背金产品的加工方法中，所述第一等待时间为半小时。进一步来说，所述的背金产品的加工方法中，所述对不良的所述背金产品进行漏电修复之前还包括：待修复的不良的所述背金产品在空气中停留不超过第二等待时间，若超过第二等待时间，则将所述背金产品放入氮气柜内。进一步来说，所述的背金产品的加工方法中，所述底层金属包括镍和钛。进一步来说，所述的背金产品的加工方法中，所述第二等待时间为半小时。本专利技术的有益效果是：本专利技术的背金产品的加工方法，对背金产品的加工流程进行了改进，减少了背金产品的背面银的脱落率，从而大大提高了背金产品的成品率，降低了生产成本。附图说明图1表示本专利技术实施例中背金产品的加工方法的流程图；图2表示本专利技术实施例中背金产品加工过程中出现空洞的示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本专利技术进行详细描述。参照图1所示，本专利技术提供了一种背金产品的加工方法，包括：步骤1，利用酸洗液将背面硅衬底进行清洗，去除背面硅衬底表面的氧化层。背面硅衬底的表面若被氧化形成氧化层，则会严重影响到银及底层金属在背面硅衬底表面的附着力，从而增大了背面银的脱落的风险。利用酸洗液去除背面硅衬底表面的氧化层，有利于银及底层金属在背面硅衬底表面的附着。步骤2，背面硅衬底清洗后的第一等待时间内，按照预设蒸发速度蒸发银及底层金属至背面硅衬底表面形成背金产品，并在蒸发银及底层金属的过程中检查监控片的切片断层是否发现空洞；若发现空洞，则将预设蒸发速度升高。背面硅衬底清洗后，不能久置，在半小时之内将清洗好的背面硅衬底进行蒸发银及底层金属，以防空气氧化背面硅衬底形成新的氧化层。蒸发速率不可太慢，蒸发速率太慢，镍层容易出现空洞、进而导致银和镍等底层金属之间结合不好而脱落。放入一监控片与待加工的背面硅衬底一起进行蒸发银及底层金属，监控片的成本低，可以根据检测需要进行切片检查。参照图2所示，若监控片的切片断层发现空洞A，则需要优化蒸发设备的菜单，将预设蒸发速度升高。步骤3，对不良的背金产品进行漏电修复，来提高产品的成品率，以降低生产成本。本专利技术的背金产品的加工方法，对背金产品的加工流程进行了改进，减少了背金产品的背面银的脱落率，从而大大提高了背金产品的成品率，降低了生产成本。进一步来说，步骤1之前包括：将待清洗的背面硅衬底通过清洁的防护工具进行拾取。背面硅衬底蒸发背面金属前，应该预防背面被污染，一旦背面被污染，银及镍和钛等底层金属与背面硅衬底结合不好，就会导致大块的背面银、镍和钛一起脱落。当拾取待清洗的背面硅衬底时，一定要使用清洁的防护工具进行拾取。一般来说，操作人员佩戴手指套进行背面硅衬底的拾取后再清洗。手指套污染背面硅衬底很容易被忽略，所以手指套要一次性使用，手指套一旦脏了就丢掉，否则会成为污染源。进一步来说，步骤1中，酸洗背面硅衬底的自然氧化层要干净彻底，否则银及底层金属与背面硅衬底结合不好，容易脱落。酸洗液包括乙二醇(EG)和缓冲刻蚀液(BOE)，EG和BOE的质量比为16:1。酸洗液在室温下使用，浸泡120sec可以洗去自然氧化层。完成步骤1后、进行步骤2之前，需要注意的是：背面硅衬底清洗后的第一等待时间内未对背面硅衬底进行蒸发银及底层金属，则重新对背面硅衬底进行清洗。背面硅衬底清洗后暴露在空气中半小时以后，背面硅衬底的表面会重新被氧化形成氧化层，背面金属与背面硅衬底之间不能有自然氧化层，否则背面金属与背面硅衬底的结合力不好，轻微的影响电参数，严重的导致背面金属脱落，所以蒸发前的酸洗与蒸发之间等待时间应该半小时，若超出半小时需重新酸洗。具体来说，步骤2中，并不是设定的蒸发速度越好。以型号为EI-5Z的蒸发台为例，钛的蒸发速率为15A/Sec、镍的蒸发速率为12A/Sec、银的蒸发速率为18A/Sec为宜。蒸发速率太快，容易溅源，两者需平衡。具体来说，步骤3具体的操作过程为：利用真空烘箱对不良的所述背金产品进行烘烤，烘烤时间为0.5至1小时，烘烤温度为150℃。非真空烘箱烘烤后很容易发生背面银氧化而脱落，因为非真空烘烤时空气中的氧气会氧化背面银表面。需要说明的是，步骤3之前，待修复的不良的背金产品在空气中停留不超过第二等待时间，第二等待时间一般来说为半小时，若超过半小时，则将背金产品放入氮气柜内。这是为了保证不良的背金产品在等待修复的过程中不会被氧化从而导致背面银的脱落。进一步来说，步骤3之后还包括：将背金产品用不吸潮的隔离纸进行真空包装，并在真空包装外包装两道包装袋。背金产品检测合格后，使用隔离纸进行包装，这个环节往往被忽视，重视不够操作不当会导致大量背金产品发生背面银脱落。背金产品的成品包装要求很高，隔离纸必须使用不吸潮的隔离纸或无尘隔离纸等。真空包装后须用两道包装袋，这样才能有效防止恶劣环境下银表面不被氧化。如包装材料吸潮或密封不好，会导致背金产品在等待封装时出现大面积的背金发黄(背面银氧化)甚至背面银脱落。背金产品的背面是钛、镍和银等金属，最外面的银很活泼，容易被沾污、被氧化。所以背面金属蒸发后，无论良率测试还是出货检查、包装等环节，背金产品不可在空气中停留过长时间，否则空气中的水汽、氧气、酸碱气均可能沾污银导致脱落，如等待时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背金产品的加工方法，其特征在于，包括：利用酸洗液将背面硅衬底进行清洗，去除所述背面硅衬底表面的氧化层；所述背面硅衬底清洗后的第一等待时间内，按照预设蒸发速度蒸发银及底层金属至所述背面硅衬底表面形成背金产品，并在蒸发银及底层金属的过程中检查监控片的切片断层是否发现空洞；若发现空洞，则将所述预设蒸发速度提高；对不良的所述背金产品进行漏电修复。

【技术特征摘要】
1.一种背金产品的加工方法，其特征在于，包括：利用酸洗液将背面硅衬底进行清洗，去除所述背面硅衬底表面的氧化层；所述背面硅衬底清洗后的第一等待时间内，按照预设蒸发速度蒸发银及底层金属至所述背面硅衬底表面形成背金产品，并在蒸发银及底层金属的过程中检查监控片的切片断层是否发现空洞；若发现空洞，则将所述预设蒸发速度提高；对不良的所述背金产品进行漏电修复。2.如权利要求1所述的背金产品的加工方法，其特征在于，所述对不良的所述背金产品进行漏电修复步骤之后还包括：将所述背金产品用不吸潮的隔离纸进行真空包装，并在真空包装外包装两道包装袋。3.如权利要求1所述的背金产品的加工方法，其特征在于，所述利用酸洗液将背面硅衬底进行清洗，去除所述背面硅衬底表面的氧化层步骤之前包括：将待清洗的所述背面硅衬底通过清洁的防护工具进行拾取。4.如权利要求1所述的背金产品的加工方法，其特征在于，所述酸洗液包括乙二醇EG和缓冲刻蚀液BOE，所述EG和所述B...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈定平，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11