半导体封装结构制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种具有高可靠性的半导体封装结构。其中该半导体封装结构包括：半导体晶粒，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；模塑料，围绕该第半导体晶粒；重分布层结构，设置在该半导体晶粒的该第二表面上并且在该模塑料上横向延伸；以及保护层，覆盖该重分布层结构的侧壁。

Semiconductor packaging structure

The embodiment of the invention provides a semiconductor packaging structure with high reliability. The semiconductor package includes a semiconductor crystal, having a first surface and a second surface relative to the first surface; plastic mold around the first semiconductor die; redistribution layer structure is arranged on the semiconductor crystal grain on the second surface and the plastic mold on the horizontal extension; and a protective layer covering the redistribution layer the structure of the side wall.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构
本专利技术涉及封装
，尤其涉及一种半导体封装结构，例如一种具有高可靠性的堆叠的扇出封装结构。
技术介绍
近年来，由于电子产品已变得越来越多功能并且尺寸已按比例缩小，因此希望半导体设备的制造商将更多的元件形成于单块半导体晶圆上，从而可以使得含有这些元件的电子产品更加紧凑。作为对此种希望的响应，已经发展了PoP(Package-on-Package，封装上封装或称堆叠封装)技术和WLP(WaferLevelPackage，晶圆级封装)技术。PoP技术使得两个或者更多的封装能够使用标准界面来安装(即堆叠)在彼此的顶上，从而能够在他们之间路由信号。此种方式允许电子产品具有更高的元件密度，电子产品诸如为移动电话、个人数字助理(PersonalDigitalAssistant，PDA)及数码相机。另外，在WLP中，晶粒可以与封装具有相同的尺寸。但是，在利用PoP及/或WLP技术来制造半导体封装时，可能出现一些问题。例如，在此类半导体封装中，位于相邻的堆叠的封装之间的重分布层结构(有时也称为互连层结构)的侧壁/边缘暴露于外部环境中。如此，重分布层结构(Redistributionlayer，RDL)会因为防潮性差而容易被损伤。另外，在执行切割工艺以产生单个的封装结构之后，在半导体晶粒与RDL之间或者在模塑料与RDL结构之间可能出现脱层，从而降低半导体封装结构的可靠性、良品率及生产量。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构，可以提高可靠性。本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构，包括：第一半导体晶粒，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；第一模塑料，围绕该第一半导体晶粒；第一重分布层结构，设置在该第一半导体晶粒的该第二表面上并且在该第一模塑料上横向延伸；以及第一保护层，覆盖该第一重分布层结构的侧壁。其中，该第一保护层为模塑料。其中，进一步包括：第二半导体晶粒，设置在该第一重分布层结构上并且具有第三表面与相对于该第三表面的第四表面，其中该第一重分布层结构位于该第一半导体晶粒与该第二半导体晶粒之间；以及第二模塑料，围绕该第二半导体晶粒。其中，该第一保护层为该第二模塑料的延伸部，并且该第一保护层还覆盖该第一模塑料的侧壁。其中，进一步包括：第二重分布层结构，设置在该第二半导体晶粒的该第四表面上并且在该第二模塑料上横向延伸。其中，该第二重分布层的侧壁与该第一重分布层的侧壁未垂直对齐。其中，进一步包括：多个导电结构，设置在该第二重分布层结构上并且电性耦接至该第二重分布层结构；以及多个通孔，穿过该第二模塑料并且电性耦接在该第一重分布层结构与该第二重分布层结构之间。其中，进一步包括：第三半导体晶粒，设置在该第二重分布层结构上并且具有第五表面与相对于该第五表面的第六表面；以及第三模塑料，围绕该第三半导体晶粒。其中，该第一保护层还覆盖该第二重分布层结构的侧壁。其中，该第一保护层为该第三模塑料的延伸部，并且该第一保护层还覆盖该第二模塑料的侧壁。其中，进一步包括：第二保护层，覆盖该第二重分布层结构的侧壁、该第二模塑料的侧壁以及该第一保护层的侧壁。其中，进一步包括：第三重分布层结构，设置在该第三半导体晶粒的该第六表面上并且在该第三模塑料上横向延伸。其中，该第三重分布层的侧壁与该第一重分布层的侧壁及该第二重分布层结构的侧壁未垂直对齐。其中，进一步包括：多个导电结构，设置在该第三重分布层结构上并且电性耦接至该第三重分布层结构；以及多个通孔，穿过该第三模塑料并且电性耦接在该第二重分布层结构与该第三重分布层结构之间。其中，进一步包括：第二保护层，覆盖该第二重分布层结构的侧壁并且设置在该第二模塑料上。其中，该第一保护层为该第二模塑料的延伸部，且该第二保护层为该第三模塑料的延伸部。其中，进一步包括：背面膜，设置在该第一半导体晶粒的该第一表面上。本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构，包括：第一半导体晶粒，具有第一表面与相对于该第一表面的第二表面；第一重分布层结构，设置在该第一半导体晶粒的该第二表面上；第二半导体晶粒，设置在该第一重分布结构上并且具有第三表面与相对于该第三表面的第四表面，其中该第二半导体晶粒的尺寸小于该第一半导体晶粒的尺寸，该第一重分布层结构的部分自该第二半导体晶粒露出；以及模塑料，设置在该第一重分布层结构的露出的部分上，并且围绕该第二半导体晶粒，其中该模塑料具有覆盖第一重分布层结构的侧壁的延伸部。其中，该模塑料的该延伸部覆盖该第一半导体晶粒的侧壁的部分或者全部。其中，进一步包括：第二重分布层结构，设置在该第二半导体晶粒的该第二表面上并且在该模塑料上横向延伸。其中，该第二重分布层结构的侧壁与该第一重分布层结构的侧壁不垂直对齐。其中，进一步包括：多个导电结构，设置在该第二重分布层结构上并且电性耦接至该第二重分布层结构；以及多个通孔，穿过该第二模塑料并且电性耦接在该第一重分布层结构与该第二重分布层结构之间。其中，进一步包括：背面膜，设置在该第一半导体晶粒的该第一表面上。本专利技术实施例的有益效果是：以上的半导体封装结构，由保护层来保护位于半导体晶粒上的重分布层结构的侧壁，从而提高该重分布层的侧壁的防潮能力，避免外部环境对该重分布层的损伤，进而提高了该半导体封装结构的可靠性。附图说明通过阅读接下来的详细描述以及参考附图的示例可以更加完整地理解本专利技术，其中：图1至图6分别为根据本专利技术不同实施例的半导体封装结构的横截面示意图。具体实施方式以下描述为实现本专利技术的较佳预期模式。该描述仅出于说明本专利技术一般原理的目的，而不应视为限制。本专利技术的范围可参考权利要求书来确定。参考特定实施例与参考确定的附图来描述本专利技术，但是本专利技术不限制于此，并且本专利技术仅由权利要求来限定。描述的附图仅是示意图而非限制。在附图中，出于说明目的而夸大了某些元件的尺寸，并且某些元件的尺寸并非按比例绘制。图中的尺寸及相对尺寸不对应本专利技术实践中的真实尺寸。本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构，包括：第一半导体晶粒，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；第一模塑料，围绕该第一半导体晶粒；第一重分布层结构，设置在该第一半导体晶粒的该第二表面上并且在该第一模塑料上横向延伸；第一保护层，覆盖该第一重分布层结构的侧壁。本专利技术实施例利用第一保护层对第一重分布层结构的侧壁进行保护，以防止外部环境对第一重分布层结构的损伤。其中，该第一保护层可以为模塑料，例如由第一重分布层结构上的第二模塑料向下延伸以覆盖第一重分布层结构的侧壁，或者可以采用涂覆等工艺单独在第一重分布层结构的侧壁上形成保护层。图1为根据本专利技术一些实施例的半导体封装结构10的横截面示意图。在一些实施例中，该半导体封装结构10为晶圆级半导体封装结构，例如堆叠的扇出晶圆级半导体封装结构。在实施例中，该堆叠的扇出晶圆级半导体封装结构可以包括：片上系统(SystemOnChip，SOC)封装结构以及垂直地堆叠于其上的动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)封装结构。参考图1，该半导体封装结构10安装于基底(未示出)上，诸如印刷电路板(PrintedCircuitBoard，PCB)，该基底可以由聚丙烯(polypropylene，PP)形成。在一些实施例中，该基底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一半导体晶粒，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；第一模塑料，围绕该第一半导体晶粒；第一重分布层结构，设置在该第一半导体晶粒的该第二表面上并且在该第一模塑料上横向延伸；以及第一保护层，覆盖该第一重分布层结构的侧壁。

【技术特征摘要】
2015.10.05 US 62/237,226;2015.10.05 US 62/237,250;1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一半导体晶粒，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；第一模塑料，围绕该第一半导体晶粒；第一重分布层结构，设置在该第一半导体晶粒的该第二表面上并且在该第一模塑料上横向延伸；以及第一保护层，覆盖该第一重分布层结构的侧壁。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一保护层为模塑料。3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：第二半导体晶粒，设置在该第一重分布层结构上并且具有第三表面与相对于该第三表面的第四表面，其中该第一重分布层结构位于该第一半导体晶粒与该第二半导体晶粒之间；以及第二模塑料，围绕该第二半导体晶粒。4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一保护层为该第二模塑料的延伸部，并且该第一保护层还覆盖该第一模塑料的侧壁。5.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：第二重分布层结构，设置在该第二半导体晶粒的该第四表面上并且在该第二模塑料上横向延伸。6.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二重分布层的侧壁与该第一重分布层的侧壁未垂直对齐。7.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：多个导电结构，设置在该第二重分布层结构上并且电性耦接至该第二重分布层结构；以及多个通孔，穿过该第二模塑料并且电性耦接在该第一重分布层结构与该第二重分布层结构之间。8.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：第三半导体晶粒，设置在该第二重分布层结构上并且具有第五表面与相对于该第五表面的第六表面；以及第三模塑料，围绕该第三半导体晶粒。9.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一保护层还覆盖该第二重分布层结构的侧壁。10.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一保护层为该第三模塑料的延伸部，并且该第一保护层还覆盖该第二模塑料的侧壁。11.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：第二保护层，覆盖该第二重分布层结构的侧壁、该第二模塑料的侧壁以及该第一保护层的侧壁。12.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘乃玮，林子闳，彭逸轩，蕭景文，黄伟哲，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71