The invention discloses a preparation method of LED micro display, the thin layer of graphene prepared as n low temperature GaN is bonded to the surface of the cathode electrode and the pixel structure of LED display panel on the form, ohmic contact, and the graphene layer and connected to the back plate of the display control circuit the metal connecting structure of low temperature bonding. Because the thin graphene can ensure high transmittance, and the graphene layer compared with ITO, has better current conduction ability and thermal diffusivity, thin graphene through low temperature bonding process is completed with n GaN and metal connection, thin graphene and N GaN and between the metal connecting structure connected together by Vander Wa Alsley, without high-temperature process ITO production process, so does the LED micro display components to produce high temperature damage. The present application also discloses a LED micro display screen prepared by the preparation method.
【技术实现步骤摘要】
一种LED微显示屏及其制备方法
本专利技术涉及LED微显示
,特别涉及一种LED微显示屏的制备方法。还涉及一种应用该制备方法制备的LED微显示屏。
技术介绍
LED微显示技术具有很多优点,如主动发光、超高亮度、长寿命、工作电压低、发光效率高、响应速度快、性能稳定可靠、工作温度范围宽等,已经成为热点技术。现有的LED微显示技术在进行LED微显示屏的制作时,为了实现高的透光率和良好的电流扩展能力,LED微显示屏的阴极表面通常为整面覆盖的ITO层(即导电玻璃层),而ITO层的制作需要高温退火工艺来实现高的透光率和底的电阻率,高温退火工艺的工作条件通常为600度左右的快速退火或300度左右的长时间退火。而高温对已经做好的器件产生不良影响,如对LED的内部缺陷产生不良影响。综上所述,如何在保证高透光率和良好电流扩展能力前提下,减少高温工艺对器件的损坏,成为了本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种LED微显示屏的制备方法,以在保证高透光率和良好电流扩展能力前提下,减少高温工艺对器件的损坏。本专利技术还提供了一种应用该制备方法制备的LED微显示屏,以在保证高透光率和良好电流扩展能力前提下,减少高温工艺对器件的损坏。为达到上述目的,本专利技术提供以下技术方案:一种LED微显示屏的制备方法,将制备好的石墨烯薄层作为阴极电极与显示屏背板上的LED像素结构的n-GaN表面低温键合,形成欧姆接触,并将所述石墨烯薄层与连接于所述显示屏背板的控制电路的金属连接结构低温键合。优选地,在上述的LED微显示屏的制备方法,所述石墨烯薄层的制备方 ...
【技术保护点】
一种LED微显示屏的制备方法,其特征在于,将制备好的石墨烯薄层作为阴极电极与显示屏背板上的LED像素结构的n‑GaN表面低温键合,形成欧姆接触,并将所述石墨烯薄层与连接于所述显示屏背板的控制电路的金属连接结构低温键合。
【技术特征摘要】
1.一种LED微显示屏的制备方法,其特征在于,将制备好的石墨烯薄层作为阴极电极与显示屏背板上的LED像素结构的n-GaN表面低温键合,形成欧姆接触,并将所述石墨烯薄层与连接于所述显示屏背板的控制电路的金属连接结构低温键合。2.根据权利要求1所述的LED微显示屏的制备方法,其特征在于,所述石墨烯薄层的制备方法为:选用尺寸大于等于所述显示屏背板的铜基板,在所述铜基板的一侧表面上使用化学气相沉积法高温制作石墨烯薄层。3.根据权利要求2所述的LED微显示屏的制备方法,其特征在于,在完成所述石墨烯薄层与所述n-GaN表面以及所述金属连接结构的低温键合后,去除所述铜基板。4.根据权利要求3所述的LED微显示屏的制备方法,其特征在于,所述去除所述铜基板具体为:通过腐蚀方法将所述铜基板去除,获得纯净的所述石墨烯薄层。5.根据权利要求3-4任一项所述的LED微显示屏的制备方法,其特征在于,在去除所述铜基板的所述石墨烯薄层上制作透明保护层。6.根据权利要求5所述的LED微显示屏的制备方法,其特征在于,所述透明保护层为透明玻璃层或透明塑料层。7.根据权利要求1-4任一项所述的LED微显示屏的...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯向旭,邹泉波,陈培炫,甘桃,
申请(专利权)人:歌尔股份有限公司,
类型:发明
国别省市:山东,37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。