An internal temperature measurement device is provided that is capable of accurately measuring the internal temperature of a target object that is unknown in the presence of a non thermal resistance value of the non thermal body in response to a more accurate response than in the past. The internal temperature measuring device (10) includes a MEMS chip (12), MEMS chip (12) includes 2 units of 2 heat flux calculation of internal temperature resistance heating value to measure the object of unknown (20a, 20b), and for increasing the heat flux difference unit (20c).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及进行测量目标物体的内部温度的测量的内部温度测量装置。
技术介绍
作为测量深部体温的装置，已知被称为非加热型的简易型深部体温计等的装置(以下，记载为非加热型深部体温计)。在非加热型深部体温计中，已知使用分别在面积比较宽的绝热材料的上下面上安装了温度传感器的1个热通量传感器测量深部体温的深部体温计，和使用2个那样的热通量传感器测量深部体温的深部体温计。首先，使用图1，说明前者的非加热型深部体温计。在使用了1个热通量传感器的非加热型深部体温计的深部体温的测量时，如图1的(A)所示，该热通量传感器被紧贴到身体表面。如图1的(B)所示，由紧贴到身体表面的热通量传感器(绝热材料的下面侧的温度传感器)测量的绝热材料下面的温度Tt比深部体温Tb低。由紧贴到身体表面的热通量传感器(绝热材料的上面侧的温度传感器)测量的绝热材料上面的温度Ta比温度Tt低。此外，图1的(A)所示的构造的热等效电路如图1的(C)那样表示。再者，Rx、R1分别是非发热体即皮下组织的热阻值、绝热材料的热阻值。若紧贴到身体表面的热通量传感器的各部的温度稳定，则单位时间内通过非发热体的热量和单位时...
【技术保护点】
一种内部温度测量装置，其特征在于，包括：基体材料部，在测量目标物体的内部温度的测量时，使其一个面接触到所述测量目标物体的表面；MEMS芯片，其为布设在所述基体材料部的另一面上的MEMS芯片，包括：基板部，具有所述基体材料部侧为空穴的第1薄膜部及第2薄膜部；第1热电堆，测量所述第1薄膜部的规定的区域和其他区域之间的第1温度差；以及第2热电堆，测量所述第2薄膜部的规定的区域和其他区域之间的第2温度差；以及计算部，使用由所述第1热电堆测量出的所述第1温度差和由所述第2热电堆测量出的所述第2温度差，计算所述测量目标物体的内部温度，所述MEMS芯片的结构是，使从所述第1温度差求得的、...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.27 JP 2014-2184411.一种内部温度测量装置，其特征在于，包括：基体材料部，在测量目标物体的内部温度的测量时，使其一个面接触到所述测量目标物体的表面；MEMS芯片，其为布设在所述基体材料部的另一面上的MEMS芯片，包括：基板部，具有所述基体材料部侧为空穴的第1薄膜部及第2薄膜部；第1热电堆，测量所述第1薄膜部的规定的区域和其他区域之间的第1温度差；以及第2热电堆，测量所述第2薄膜部的规定的区域和其他区域之间的第2温度差；以及计算部，使用由所述第1热电堆测量出的所述第1温度差和由所述第2热电堆测量出的所述第2温度差，计算所述测量目标物体的内部温度，所述MEMS芯片的结构是，使从所述第1温度差求得的、来自与所述基体材料部的所述一个面接触的所述测量目标物体的通过所述第1薄膜部的所述规定的区域的第1热通量、和从所述第2温度差求得的、来自与所述基体材料部的所述一个面接触的所述测量目标物体的通过所述第2薄膜部的所述规定的区域的第2热通量不同，具有为了减小所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：中川慎也，清水正男，滨口刚，
申请(专利权)人：欧姆龙株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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