晶片的缺陷测量装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于测量晶片缺陷的装置，该装置能够同时测量晶片的上表面、下表面和侧表面上的缺陷，而同时防止损坏晶片。本发明专利技术提供一种用于测量晶片缺陷的装置，该装置包括：下鼓风机，通过将空气喷射到晶片的下表面来缓冲晶片；上鼓风机，设置为能够相对于下鼓风机上下移动，并且通过将空气喷射到晶片的上表面来使晶片固定；上污染测量件，设置在上鼓风机的上侧，并且检测晶片的上表面上的污染；下污染测量件，设置在下鼓风机的下侧，并且检测晶片的下表面上的污染；以及侧污染测量件，设置在上鼓风机与下鼓风机之间，并且检测晶片的侧表面上的污染。

Wafer defect measuring device

The invention relates to a device for measuring wafer defects, which can simultaneously measure the defects on the upper surface, the lower surface and the side surface of the wafer. The present invention provides a device for measuring wafer defects, the device comprises a blower, through the injection of air into the lower surface of the wafer to wafer buffer; on the blower are arranged to be relative to the blower move, and through the injection of air into the surface of a wafer on the wafer is fixed; on the measurements of pollution. The blower is arranged on the upper side of the upper surface of the wafer, and the detection of the pollution; pollution measurement, arranged on the lower side of the blower, and the detection of the lower surface of the wafer on the side and pollution; pollution measurement, is arranged between the upper and lower fan blower, and the detection of the wafer on the side surface of the pollution.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于测量晶片缺陷的装置，该装置防止由晶片的接触引起的污染，并且还测量晶片的上表面、下表面和侧表面上的缺陷。
技术介绍
晶片通常经历多个处理过程，并且在每个过程的操作中可能产生缺陷，诸如污染、裂纹和划痕。因为晶片表面上产生的缺陷可能具有不良影响，诸如装置加工中产生缺陷和产量降低，所以在晶片制造过程期间进行各种晶片检查。在相关领域中，目视检查晶片缺陷。然而，因为目视检查可靠性较低并且可能另外产生晶片缺陷，所以由单独装置自动检查晶片缺陷。公布号为2010-0042340的韩国专利公开了一种检查半导体晶片后表面的装置，其中心部分是敞开的，并且包括环形台，用于支撑半导体晶片后表面的边缘表面。公布号为2004-0012404的韩国专利公开了一种在检查晶片背面的装置中使用的晶片支撑件，包括在晶片台上突出以支撑晶片的边缘部分的台销。然而，在这种根据现有技术测量晶片缺陷的装置中，因为晶片的侧表面或下表面被支撑，所以在晶片的侧表面或下表面可能发生污染，并且在检查晶片缺陷的过程中可能产生测量误差。
技术实现思路
本专利技术针对一种用于测量晶片缺陷的装置，该装置能够减少由晶片的接触引起的污染。而且，本专利技术针对一种用于测量晶片缺陷的装置，该装置能够同时测量晶片的上表面、下表面和侧表面上的缺陷。根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于测量晶片缺陷的装置，包括：下鼓风机，其被配置为将空气喷射到晶片的下表面以使晶片漂浮；上鼓风机，其被设置为相对于所述下鼓风机上下移动，并且被配置为将空气喷射到晶片的上表面以使所述晶片固定；上污染测量件，其被设置在上鼓风机的上侧，并且被配置为检测晶片的上表面上的污染；下污染测量件，其被设置在下鼓风机的下侧，并且被配置为检测晶片的下表面上的污染；以及侧污染测量件，其被设置在上鼓风机与下鼓风机之间，并且被配置为检测晶片的侧表面上的污染。附图和以下描述给出了一种或多种实施方式的细节。根据说明书和附图以及权利要求书，其它特征将变得显而易见。附图说明将参照以下附图来详细描述实施方式，其中相同的附图标记表示相同的元件，其中：图1是根据本专利技术实施方式的测量晶片缺陷装置的透视图；图2是示出根据本专利技术实施方式的测量晶片缺陷装置的侧视图；图3是示出根据本专利技术实施方式的测量晶片缺陷装置的俯视图；图4是示出根据本专利技术实施方式的测量晶片缺陷装置中应用的控制空气喷射压力的结构的视图；图5是示出图4中应用的下鼓风机结构实例的视图；图6是示出图4中应用的上鼓风机结构实例的视图；图7是示出根据本专利技术实施方式的测量晶片缺陷的装置中应用的支撑晶片切口的结构的视图；图8是示出图7中应用的切口夹持器结构实例的视图；图9是示出根据本专利技术实施方式的测量晶片缺陷的装置中应用的止动器的视图；并且图10A至图10D是示出根据本专利技术实施方式的测量晶片缺陷装置的操作实例的视图。具体实施方式下面，将参照附图来详细描述实施方式。本专利技术的范围可以由实施方式的公开内容来确定，并且实施方式的概念包括修改，诸如增加、移除及改变元件。图1至图3是示出根据本专利技术实施方式的测量晶片缺陷装置的透视图。如图1至图3所示，根据本专利技术实施方式的测量晶片缺陷装置包括：上鼓风机110和下鼓风机120，用于将空气喷射到晶片W的上表面和下表面；上污染测量件130、下污染测量件140及侧污染测量件151和152，用于检测晶片W的上表面、下表面和侧表面的污染；上下移动导向件160，用于引导晶片W上下移动；切口测量照相机170，用于检测晶片W的切口；切口夹持器180，用于夹持晶片W的切口；以及止动器190，用于径向支撑晶片W与切口相对的部分。下鼓风机110通过将空气喷射到晶片W的下表面而起到使晶片W漂浮的作用。在该实施方式中，下鼓风机110可以包括形成为比晶片W的直径大的环形的下通路111以及在下通路111的周向上彼此等间隔地设置的下喷嘴111h，并且下通路111形成为固定状态。此时，下鼓风机110被配置为将空气喷射到晶片W的中心C与其边缘E之间的中间点(即1/2点)，从而稳定地支撑晶片W的下表面。例如，下通路111的内周面可以倾斜地形成，或者下喷嘴111h中的每一个的角度可以倾斜地形成。然而，本专利技术不限于此。上鼓风机120被设置为通过将空气喷射到晶片W的上表面使漂浮的晶片W固定。在该实施方式中，上鼓风机120可以包括形成为比晶片W的直径大的环形的上通路121、用于将空气供给到上通路121中的供给通路122以及在上通路121的周向上彼此等间隔地设置的上喷嘴121h，并且上通路121形成为能够上下移动。此时，与下鼓风机110相似，上鼓风机120也被配置为将空气喷射到晶片W的中心C与其边缘E之间的中间点(即1/2点)，从而稳定地支撑晶片W的上表面。例如，上通路121的内周面可以倾斜地形成，或者上喷嘴121h中的每一个的角度可以倾斜地形成。然而，本专利技术不限于此。在上述的上鼓风机110和下鼓风机120中，控制空气压力以使晶片W水平地漂浮并固定，并且下面将详细描述这种配置。上污染测量件130形成为能拍摄晶片W的整个上表面的图像的照相机类型并且被设置在可移动的上鼓风机120的上侧，而下污染测量件140形成为能拍摄晶片W的整个下表面的图像的照相机类型并且被设置在可移动的下鼓风机110的下侧。在该实施方式中，区域CCD或区域CMOS照相机可被用作上污染测量件130和下污染测量件140中的每一个，但是本专利技术不限于此。侧污染测量件151和152是两个能拍摄晶片W的侧表面的图像的照相机。侧污染测量件151和152被设置为在晶片W的周向上可移动。在该实施方式中，CCD行扫描照相机可被用作侧污染测量件151和152中的每一个，但是本专利技术不限于此。上下移动导向件160形成为比晶片W的直径大的圆柱形状以使晶片W容纳在其中，并且被设置为即使在通过喷射空气使晶片W漂浮时也防止晶片W偏离预定范围。此时，侧污染测量件151和152被设置在上下移动导向件160的外侧，并且设置形成在上下移动导向件160的周向上的单独测量空间h1，以通过侧污染测量件151和152测量晶片W的侧表面。切口测量照相机170和切口夹持器180被设置在与止动器190的方向相对的方向上。切口夹持器180和止动器190被配置为在彼此相对的方向上与晶片W的侧表面的最小区域接触，并且下面将详细描述这种配置。图4至图6是示出根据本专利技术实施方式的测量晶片缺陷装置中应用的控制空气喷射压力的上/下鼓风机实例的视图。如图4所示，上鼓风机110和下鼓风机120还包括：上调节器112和下调节器123，用于控制供给到上通路111和下通路121中的空气的喷射压力；控制器，用于控制上调节器112和下调节器123中的每一个的操作；以及上限位传感器115和下限位传感器125，用于检测并传输晶片的上/下表面相对于控制器的位置。因此，当通过上限位传感器115和下限位传感器125检测晶片的上下移动位置时，考虑到晶片的上下移动位置，控制器可以通过控制上调节器112和下调节器123中的每一个的操作来控制供给到上通路111和下通路121中的空气的喷射压力，因此可以使晶片漂浮并固定到与侧污染测量件151和152平行的上述位置，并且还可以即使在晶片通过上下移动导向件160垂直移动时也防本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于测量晶片缺陷的装置，包括：下鼓风机，配置为将空气喷射到晶片的下表面以使所述晶片漂浮；上鼓风机，设置为相对于所述下鼓风机上下移动，并且配置为将空气喷射到所述晶片的上表面以使所述晶片固定；上污染测量件，设置在所述上鼓风机的上侧，并且配置为检测所述晶片的上表面上的污染；下污染测量件，设置在所述下鼓风机的下侧，并且配置为检测所述晶片的下表面上的污染；和侧污染测量件，设置在所述上鼓风机与所述下鼓风机之间，并且配置为检测所述晶片的侧表面上的污染。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.29 KR 10-2014-00964491.一种用于测量晶片缺陷的装置，包括：下鼓风机，配置为将空气喷射到晶片的下表面以使所述晶片漂浮；上鼓风机，设置为相对于所述下鼓风机上下移动，并且配置为将空气喷射到所述晶片的上表面以使所述晶片固定；上污染测量件，设置在所述上鼓风机的上侧，并且配置为检测所述晶片的上表面上的污染；下污染测量件，设置在所述下鼓风机的下侧，并且配置为检测所述晶片的下表面上的污染；和侧污染测量件，设置在所述上鼓风机与所述下鼓风机之间，并且配置为检测所述晶片的侧表面上的污染。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述上鼓风机和所述下鼓风机中的每一个均包括空气流过的环形通路和以规则间隔布置在所述通路上的多个喷嘴，其中空气通过所述多个喷嘴而被喷射到所述晶片的上表面和下表面。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述上鼓风机和所述下鼓风机中的每一个均具有45°的空气喷射角，空气以所述空气喷射角被喷射到所述晶片的上表面和下表面，并且空气被喷射到晶片的中心与其边缘之间的中间点喷射喷射。4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述通路被分割成多个通路元件以将所述喷嘴分成至少两个或更多个组，并且所述通路元件中的每一个均连接于调节器以调节空气的喷...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜憄勋，韩基润，
申请(专利权)人：LG矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR