基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑制造技术

本实用新型专利技术提供基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑。全桥MMC自均压拓扑，由全桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。全桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑；IGBT模块闭锁，拓扑等效为全桥MMC拓扑。该全桥MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成交直流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现全桥MMC的基频调制。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及柔性输电领域，具体涉及一种基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑。
技术介绍
模块化多电平换流器MMC是未来直流输电技术的发展方向，MMC采用子模块级联的方式构造换流阀，避免了大量器件的直接串联，降低了对器件一致性的要求，同时便于扩容及冗余配置。随着电平数的升高，输出波形接近正弦，能有效避开低电平VSC-HVDC的缺陷。全桥MMC由全桥子模块组合而成，全桥子模块由四个IGBT模块，一个子模块电容及1个机械开关构成，运行灵活，具有直流故障箝位能力。与两电平、三电平VSC不同，MMC的直流侧电压并非由一个大电容支撑，而是由一系列相互独立的悬浮子模块电容串联支撑。为了保证交流侧电压输出的波形质量和保证模块中各功率半导体器件承受相同的应力，也为了更好的支撑直流电压，减小相间环流，必须保证子模块电容电压在桥臂功率的周期性流动中处在动态稳定的状态。基于电容电压排序的排序均压算法是目前解决MMC中子模块电容电压均衡问题的主流思路。首先，排序功能的实现必须依赖电容电压的毫秒级采样，需要大量的传感器以及光纤通道加以配合；其次，当子模块数目增加时，电容电压排序的运算量迅速增大，为控制器的硬件设计带来巨大挑战；此外，排序均压算法的实现对子模块的开断频率有很高的要求，开断频率与均压效果紧密相关，在实践过程中，可能因为均压效果的限制，不得不提高子模块的触发频率，进而带来换流器损耗的增加。文献“ADC-LinkVoltageSelf-BalanceMethodforaDiode-ClampedModularMultilevelConverterWithMinimumNumberofVoltageSensors”，提出了一种依靠钳位二极管和变压器来实现MMC子模块电容电压均衡的思路。但该方案在设计上一定程度破坏了子模块的模块化特性，子模块电容能量交换通道也局限在相内，没能充分利用MMC的既有结构，三个变压器的引入在使控制策略复杂化的同时也会带来较大的改造成本。
技术实现思路
针对上述问题，本技术的目的在于提出一种经济的，不依赖均压算法，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值且具有直流故障箝位能力的全桥MMC自均压拓扑。本技术具体的构成方式如下。基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑，包括由A、B、C三相构成的全桥MMC模型，A、B、C三相分别由2N个全桥子模块及2个桥臂电抗器串联而成，包括由6N个IGBT模块以及6N+1个钳位二极管构成的自均压辅助回路。上述基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑，全桥MMC模型中，A相上桥臂的第1个子模块，其一个IGBT模块中点向上与直流母线正极相连接，另一个IGBT模块中点向下与A相上桥臂的第2个子模块一个IGBT模块中点相连接；A相上桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其一个IGBT模块中点向上与A相上桥臂的第i-1个子模块一个IGBT模块中点相连，另一个IGBT模块中点向下与A相上桥臂的第i+1个子模块一个IGBT模块中点相连；A相上桥臂的第N个子模块，其一个IGBT模块中点向下经两个桥臂电抗器与A相下桥臂的第1个子模块一个IGBT模块中点相连接，另一个IGBT模块中点向上与A相上桥臂的第N-1个子模块一个IGBT模块中点相连接；A相下桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其一个IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第i-1个子模块一个IGBT模块中点相连，另一个IGBT模块中点向下与A相下桥臂的第i+1个子模块一个IGBT模块中点相连；A相下桥臂的第N个子模块，其一个IGBT模块中点向下与直流母线负极相连接，另一个IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第N-1个子模块两个IGBT模块中点相连接。B相和C相上下桥臂子模块的连接方式与A相一致。在A、B、C相上下桥臂的第i个子模块的上下输出线之间分别并联有机械开关Kau_i，Kal_i，Kbu_i，Kbl_i，Kcu_i，Kcl_i，其中i的取值为1~N。上述基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑，其自均压辅助回路中，钳位二极管，通过IGBT模块连接A相上桥臂中第i个子模块电容与第i+1个子模块电容正极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块连接A相上桥臂中第N个子模块电容与A相下桥臂第1个子模块电容正极；通过IGBT模块连接A相下桥臂中第i个子模块电容与A相下桥臂第i+1个子模块电容正极，其中i的取值为1～N-1。钳位二极管，通过IGBT模块连接B相上桥臂中第i个子模块电容与第i+1个子模块电容负极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块连接B相上桥臂中第N个子模块电容与B相下桥臂第1个子模块电容负极；通过IGBT模块连接B相下桥臂中第i个子模块电容与B相下桥臂第i+1个子模块电容负极，其中i的取值为1～N-1。同时钳位二极管，通过IGBT模块连接A相上桥臂第一个子模块电容与B相上桥臂第一个子模块电容负极；通过IGBT模块连接A相下桥臂第N个子模块电容与B相下桥臂第N个子模块电容正极。C相中钳位二极管的连接关系与A相或B相相似。正常情况时，自均压辅助回路中6N个IGBT模块Tau_i、Tal_i、Tbu_i、Tbl_i、Tcu_i、Tcl_i常闭，故障情况时，6N个IGBT模块Tau_i、Tal_i、Tbu_i、Tbl_i、Tcu_i、Tcl_i断开，其中i的取值为1～N；正常情况下，A相上桥臂第i个子模块电容旁路时，其中i的取值为2～N，其与A相上桥臂中第i-1个子模块电容通过钳位二极管并联；A相下桥臂第一个子模块电容旁路时，其通过钳位二极管、两个桥臂电抗器L0与A相上桥臂第N个子模块电容并联；A相下桥臂第i个子模块电容旁路时，其中i的取值为2～N，其与A相下桥臂中第i-1个子模块电容通过钳位二极管并联；B相上桥臂第i个子模块电容旁路时，其中i的取值为1～N-1，其与B相上桥臂第i+1个子模块电容通过钳位二极管并联；B相上桥臂第N个子模块电容旁路时，其通过钳位二极管、两个桥臂电抗器L0与B相下桥臂第1个子模块电容并联；B相下桥臂第i个子模块电容旁路时，其中i的取值为1～N-1，其与B相下桥臂第i+1个子模块电容通过钳位二极管并联；同时A相上桥臂第1个子模块电容投入时，其与B相上桥臂第1个子模块电容通过钳位二极管并联；B相下桥臂第N个子模块电容投入时，其与A相下桥臂第N个子模块电容通过钳位二极管并联；在直交流能量转换的过程中，各个子模块交替投入、旁路，A相上下桥臂子模块电容电压在钳位二极管的作用下，A、B相上下桥臂的4N个子模块电容，其中i取值为1～N，电压处在自平衡状态，拓扑的A、B相间具备子模块电容电压自均衡能力；若拓扑中C相的构成形式与A相一致，则C、B相间电容电压的约束条件与A、B相间电容电压约束条件一致；若拓扑中C相的构成形式与B相一致，则A、C相间电容电压的约束条件与A、B相间电容电压约束条件一致，拓扑具备子模块电容电压自均衡能力。附图说明下面结合附图对本技术进一步说明。图1是全桥子模块的结构示意图；图2是基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑。具体实施方式为进一步阐述本技术的性能与工作原理，一下结合附图对本技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑，其特征在于：包括由A、B、C三相构成的全桥MMC模型，A、B、C三相分别由2N个全桥子模块，2个桥臂电抗器串联而成；包括由6N个IGBT模块，6N+1个钳位二极管构成的自均压辅助回路。

【技术特征摘要】
1.基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑，其特征在于：包括由A、B、C三相构成的全桥MMC模型，A、B、C三相分别由2N个全桥子模块，2个桥臂电抗器串联而成；包括由6N个IGBT模块，6N+1个钳位二极管构成的自均压辅助回路。2.根据权利要求1所述的基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑，其特征在于：全桥MMC模型中，A相上桥臂的第1个子模块，其一个IGBT模块中点向上与直流母线正极相连接，另一个IGBT模块中点向下与A相上桥臂的第2个子模块一个IGBT模块中点相连接；A相上桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2~N-1，其一个IGBT模块中点向上与A相上桥臂的第i-1个子模块一个IGBT模块中点相连接，另一个IGBT模块中点向下与A相上桥臂的第i+1个子模块一个IGBT模块中点相连接；A相上桥臂的第N个子模块，其一个IGBT模块中点向上与A相上桥臂的第N-1个子模块一个IGBT模块中点相连接，另一个IGBT模块中点向下经两个桥臂电抗器L0与A相下桥臂的第1个全桥子模块一个IGBT模块中点相连接；A相下桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2~N-1，其一个IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第i-1个子模块一个IGBT模块中点相连接，另一个IGBT模块中点向下与A相下桥臂的第i+1个子模块一个IGBT模块中点相连接；A相下桥臂的第N个子模块，其一个IGBT模块中点向下与直流母线负极相连接，另一个IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第N-1个子模块一个IGBT模块中点相连接；B相和C相上下桥臂子模块的连接方式与A相一致；在A、B、C相上下桥臂的第i个子模块的上下输出线之间分别并联有机械开关Kau_i，Kal_i，Kbu_i，Kbl_i，Kcu_i，Kcl_i，其中i的取值为1~N。3.根据权利要求1所述的基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑，其特征在于：自均压辅助回路中，钳位二极管，通过IGBT模块Tau_i、Tau_i+1连接A相上桥臂中第i个子模块电容Cau_i与第i+1个子模块电容Cau_i+1正极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块Tau_N、Tal_1连接A相上桥臂中第N个子模块电容Cau_N与A相下桥臂第1个子模块电容Cal_1正极；通过IGBT模块Tal_i、Tal_i+1连接A相下桥臂中第i个子模块电容Cal_i与A相下桥臂第i+1个子模块电容Cal_i+1正极，其中i的取值为1～N-1；钳位二极管，通过IGBT模块Tbu_i、Tbl_i+1连接B相上桥臂中第i个子模块电容Cbu_i与第i+1个子模块电容Cbu_i+1负极，其中i的取值为1～N-1；通过IGBT模块Tbu_N、Tbl_1连接B相上桥臂中第N个子模块电容Cbu_N与B相下桥臂第1个子模块电容Cbl_1负极；通过IGBT模块Tbu_i、Tbl_i+1连接B相下桥臂中第i个子模块电容Cbl_i与B相下桥臂第i+1个子模块电容Cbl_i+1负极，其中i的取值为1～N-1；同时钳位二极管，通过IGBT模块Tbu_1连接A相上桥臂第一个子模块电容C...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵成勇，刘航，许建中，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：新型
国别省市：北京;11