在两个母线之间带有至少一个逆变器桥的逆变器制造技术

一种逆变器具有在输入侧连接在两个DC母线(8，9)之间并且在输出侧连接到一个AC输出端(4)的一个逆变器桥。这两个DC母线(8，9)彼此重叠地在相对彼此平行的平面中延伸。该逆变器桥在该AC输出端(4)与每个DC母线(8，9)之间具有带有多个半导体开关器的一个子电路。形成这两个子电路的半导体构造单元(7)通过接到这两个DC母线(8，9)和该AC输出端(4)的接口(11至13)彼此相邻地安排。一个通向该AC输出端(4)的连接元件(17)，在这些DC母线(8，9)的朝向这些半导体构造单元(7)的侧面上在与这些DC母线(8，9)重叠的一个区域中开始，并且将这两个子电路的这些半导体构造单元(7)在那里相互连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种带有逆变器桥的逆变器，该逆变器桥在输入侧连接在两个DC母线之间并且在输出侧连接到一个AC输出端，其中该逆变器桥在该AC输出线与每个DC母线之间具有半导体开关器的一个子电路。在本说明书中将概念“DC母线”应用于在一个电位上的一个汇流排。一个逆变器桥在两个此类的DC母线之间延伸。
技术介绍
具有本申请人的型号名称“CP”的一个已知的中央逆变器具有一个逆变器，该逆变器带有在输入侧连接在两个DC母线之间并且在输出侧连接到一个AC输出线的逆变器桥，其中该逆变器桥在该AC输出线与每个DC母线之间具有两个半导体开关器的一个并联电路。通过这些半导体开关器的并联电路实现相应地只相对于一个半导体开关器提高的载流量。因此，该已知的逆变器尤其适合于通过该AC输出线释放的高交流电流。在具体的结构设计中，该已知的逆变器具有两个彼此相邻安排的半导体构造单元，这些半导体构造单元相应地形成两个并联连接的半导体开关器。这些半导体构造单元通过定向在相同的空间方向上的连接侧处的接口连接到这两个DC母线和该AC输出端。在此，这两个DC母线彼此重叠地在相对彼此平行的平面中延伸。通向该AC输出端的一个连接元件在一个不与这些DC母线重叠的区域中连接到两个半导体构造单元。在该已知的逆变器的情况下不仅设置一个此类的逆变器桥，而且多个相同类型的逆变器桥还连接到相同的两个DC母线的边缘。在此，这些半导体构造单元用其与这些连接侧对置的装配侧装配在一个共同的冷却体上。在另一种已知的带有在输入侧连接在两个DC母线之间并且在输出侧连接到一个AC输出线的一个逆变器桥的逆变器的情况下，该逆变器桥在该AC输出线与每个DC母线之间具有两个半导体开关器的一个串联电路。这些半导体开关器的串联电路用于使在该逆变器桥上和/或在该AC输出端与这两个DC母线之间施加的电压通过多个半导体开关器下降。因此，这些单个的半导体开关器能够具有比在一个半桥的情况下更低的耐压强度，该半桥在该AC输出线与每个DC母线之间相应地只具有一个半导体开关器。因此，一种此类的逆变器特别适合于高的输入电压。由DE10044570A1已知一种带有模块式结构的逆变器。该逆变器包括一个中央单元和多个功率单元。该中央单元具有一个交流电压输出端以及一个插入式连接器插座。这些功率单元相应地具有一个直流电压输入端以及一个插入式连接器插座和一个插入式连接器插头。一个功率单元能够用其插入式连接器插头插入该中央单元的插入式连接器插座。然后其他的功率单元能够相应地用其插入式连接器插头插入此前连接的功率单元的中央单元的插入式连接器插座。每个功率单元具有一个换流器(Inverter)和一个驱动该换流器的控制器。由DE102005060354A1已知一种模块式的变流器系统。该模块式的变流器系统具有一个变流器基本设备和至少一个变流器附加设备，其中这些设备彼此之间借助其网络汇流排和负载汇流排以及借助一个通信线路是侧向可插拔的并且由此并联连接。由WO94/14227A1已知一种逆变器。该逆变器是三相的并且对于每个相具有一个逆变器桥，该逆变器桥带有两个彼此相邻地安排在一个冷却体上的半导体构造单元。每个半导体构造单元包括一个半导体开关器。在该冷却体之上首先延伸两个DC母线，这些逆变器桥在输入侧连接到这些母线。在此之上在平行于这些DC母线的另一个平面中延伸用于该逆变器的AC输出端的这些单个相的板状连接元件。这些板状的连接元件相对于这些DC母线电绝缘并且这些DC母线相对于彼此电绝缘。在这些半导体构造单元处的该上部的DC母线的接口延伸通过该下部的DC母线，并且通向这些半导体构造单元的这些板状的连接元件的接口延伸通过两个DC母线。由DE60119865T2，即EP1195884B1的译文已知一种带有三对半导体开关器的三相逆变器，这些半导体开关器安排在两个DC母线之间。连接到每对的一个中心点的、输出侧的连接元件同样在这两个DC母线之间延伸。由JP2007215396A还已知在DC母线之间的半导体开关器的一个此类的成对的中间安排。US2009/0257212A1描述了一个半导体构造单元，该半导体构造单元带有在两个输入接口之间串联连接的两个半导体开关器以及一个连接到这些开关器的中心点的输出接口。这些输入接口彼此上下地安排在该半导体构造单元的壳体的一个侧面。该输出接口设置在该壳体的对置的侧面。
技术实现思路
本技术的基本目的在于提供一种逆变器，该逆变器能够用低耗费由多个部件进行装配，这些部件大体上与用于一个适配于其他电流和/或电压比的逆变器的部件是相同的。本技术涉及一种带有逆变器桥的逆变器，该逆变器桥在输入侧连接在两个DC母线之间并且在输出侧连接到一个AC输出端，其中这两个DC母线彼此重叠地在相对彼此平行的平面中延伸，其中该逆变器桥在该AC输出端与每个DC母线之间具有一个带有多个半导体开关器的子电路，其中形成这两个子电路的半导体构造单元尤其沿着这两个母线的一个共同边缘彼此相邻地安排，其中这些半导体构造单元通过接口连接到这两个DC母线和该AC输出端，其中通向该AC输出端的连接元件，在这些DC母线的朝向这些半导体构造单元的侧面上在与这些DC母线重叠的一个区域中开始并且将这两个子电路的半导体构造单元在那里相互连接。在一个根据本技术的带有在输入侧连接在两个DC母线之间并且在输出侧连接到一个AC输出端的一个逆变器桥(该逆变器桥在该AC输出线与每个DC母线之间具有一个带有多个半导体开关器的串联电路)的逆变器的情况下，形成这两个串联电路的半导体构造单元彼此相邻地安排并且通过接口连接到这两个DC母线和该AC输出端。在此，这两个DC母线彼此重叠地在相对彼此平行的平面中延伸。一个通向该AC输出端的连接元件，在这些DC母线的朝向这些半导体构造单元的侧面上在一个与这些DC母线重叠的区域中开始并且将这两个串联电路的半导体构造单元在那里相互连接。根据本技术的逆变器的实施方式能够与一个已知的逆变器(该逆变器的逆变器桥在一个AC输出线与每个DC母线之间具有半导体开关器的一个并联电路)仅通过这些半导体构造单元的接口进行区分，一方面这些DC母线以及另一方面该AC输出线连接到这些接口。在此不同寻常的是：该连接元件(为该输出线的一部分)延伸直到这些DC母线之下。然而，这种不同寻常的构形使得使用与在已知逆变器的情况下大体上相同的部件成为可能，该已知的逆变器的逆变器桥具有并联连接的半导体开关器，并且这在一个大体上相同的安排中也是可能的。这本文档来自技高网...

【技术保护点】
带有逆变器桥(1，15)的逆变器，该逆变器桥在输入侧连接在两个DC母线(8，9)之间并且在输出侧连接到一个AC输出端(4)，‑其中这两个DC母线(8，9)彼此重叠地在相对彼此平行的平面中延伸，‑其中该逆变器桥(1，15)在该AC输出端(4)与每个DC母线(8，9)之间具有一个子电路，‑其中形成这两个子电路的第一半导体构造单元(7)、第二半导体构造单元(7’)、第三半导体构造单元(20)和第四半导体构造单元(20’)中的一种彼此相邻地安排，‑其中该第一半导体构造单元(7)、第二半导体构造单元(7’)、第三半导体构造单元(20)和第四半导体构造单元(20’)中的一种通过第一接口(11)和第二接口(12)连接到这两个DC母线(8，9)并且通过第三接口(13)连接到该AC输出端(4)并且‑其中通向该AC输出端(4)的第一连接元件(10’)、第二连接元件(10”)、第三连接元件(17)和第四连接元件(17’)中的一种将这两个子电路的该第一半导体构造单元(7)、第二半导体构造单元(7’)、第三半导体构造单元(20)和第四半导体构造单元(20’)中的一种在一个与这些DC母线(8，9)重叠的区域中相互连接，其特征在于，‑在该AC输出端(4)与这些DC母线(8，9)之一之间设置的每个子电路具有多个半导体开关器(6)并且‑通向该AC输出端(4)的第一连接元件(10’)、第二连接元件(10”)、第三连接元件(17)和第四连接元件(17’)中的一种，在这些DC母线(8，9)的朝向该第一半导体构造单元(7)、第二半导体构造单元(7’)、第三半导体构造单元(20)和第四半导体构造单元(20’)中的一种的侧面上在与这些DC母线(8，9)重叠的区域中开始，在那里将这两个子电路的第 一半导体构造单元(7)、第二半导体构造单元(7’)、第三半导体构造单元(20)和第四半导体构造单元(20’)中的一种相互连接，并且在这些DC母线(8，9)之下凸出。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.03.18 DE 102013102707.51.带有逆变器桥(1，15)的逆变器，该逆变器桥在输入侧连接在两个DC母线(8，9)之间
并且在输出侧连接到一个AC输出端(4)，
-其中这两个DC母线(8，9)彼此重叠地在相对彼此平行的平面中延伸，
-其中该逆变器桥(1，15)在该AC输出端(4)与每个DC母线(8，9)之间具有一个子电路，
-其中形成这两个子电路的第一半导体构造单元(7)、第二半导体构造单元(7’)、第三
半导体构造单元(20)和第四半导体构造单元(20’)中的一种彼此相邻地安排，
-其中该第一半导体构造单元(7)、第二半导体构造单元(7’)、第三半导体构造单元
(20)和第四半导体构造单元(20’)中的一种通过第一接口(11)和第二接口(12)连接到这两
个DC母线(8，9)并且通过第三接口(13)连接到该AC输出端(4)并且
-其中通向该AC输出端(4)的第一连接元件(10’)、第二连接元件(10”)、第三连接元件
(17)和第四连接元件(17’)中的一种将这两个子电路的该第一半导体构造单元(7)、第二半
导体构造单元(7’)、第三半导体构造单元(20)和第四半导体构造单元(20’)中的一种在一
个与这些DC母线(8，9)重叠的区域中相互连接，
其特征在于，
-在该AC输出端(4)与这些DC母线(8，9)之一之间设置的每个子电路具有多个半导体开
关器(6)并且
-通向该AC输出端(4)的第一连接元件(10’)、第二连接元件(10”)、第三连接元件(17)
和第四连接元件(17’)中的一种，在这些DC母线(8，9)的朝向该第一半导体构造单元(7)、第
二半导体构造单元(7’)、第三半导体构造单元(20)和第四半导体构造单元(20’)中的一种
的侧面上在与这些DC母线(8，9)重叠的区域中开始，在那里将这两个子电路的第一半导体
构造单元(7)、第二半导体构造单元(7’)、第三半导体构造单元(20)和第四半导体构造单元
(20’)中的一种相互连接，并且在这些DC母线(8，9)之下凸出。
2.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，形成这两个子电路的该第一半导体构造
单元(7)、第二半导体构造单元(7’)、第三半导体构造单元(20)和第四半导体构造单元
(20’)中的一种沿着这两个DC母线(8，9)的一个共同的边缘(23)安排。
3.根据权利要求1或2所述的逆变器，其特征在于，该第一接口(11)、第二接口(12)和第
三接口(13)在该第一半导体构造单元(7)、第二半导体构造单元(7’)和第三半导体构造单
元(20)中的一种的定向在相同的空间方向上的连接侧处形成，并且该第一连接元件(10’)、
第三连接元件(17)和第四连接元件(17’)中的一种在这两个子电路的该第一半导体构造单
元(7)、第二半导体构造单元(7’)和第三半导体构造单元(20)中的一种的该第一接口(11)、
第二接口(12)和第三接口(13)之间在这些DC母线(8，9)之下凸出。
4.根据权利要求1或2所述的逆变器，其特征在于，在这些DC母线(8，9)处的第一接口
(11)和第二接口(12)在该第四半导体构造单元(20’)的定向在相同的空间方向上的输入端
连接侧处形成，在第二连接元件(10\)处的第四接口(13’)在该第四半导体构造单元(20’)
的成对相反定向的输出端连接侧处形成，并且该第二连接元件(10\)在这两个子电路的该
第四半导体构造单元(20’)之间在这些DC母线(8，9)之下凸出。
5.根据权利要求1或2所述的逆变器，其特征在于，该第一连接元件(10’)、第三连接元
件(17)和第四连接元件(17’)中的一种在这些DC母线(8，9)之下在另一个平行的平面中延
伸。
6.根据权利要求1或2所述的逆变器，其特征在于，一个DC母线(8，9)在另一个DC母线
(9，8)连接到该第一半导体构造单元(7)、第二半导体构造单元(7’)、第三半导体构造单元
(20)和第四半导体构造单元(20’)中的一种的一个第一接口(11)的地方具有一个凹陷
(14)。
7.根据权利要求1或2所述的逆变器，其特征在于，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔·尼斯曼，A·福尔克，翰宁·施耐德，
申请(专利权)人：艾思玛太阳能技术股份公司，
类型：新型
国别省市：德国;DE