制造显示基板的方法、修复显示基板的方法和显示基板技术

提供了一种制造显示基板的方法、一种修复显示基板的方法和一种显示基板，所述显示基板包括：栅极金属图案，包括在第一方向上延伸的栅极线和电连接到栅极线的栅电极；数据金属图案，包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线、电连接到数据线的源电极以及与源电极分隔开的漏电极；有机层，设置在数据金属图案上；修复孔，穿透有机层并暴露栅极线与数据线交叉的交叉区；以及像素电极，设置在有机层上并电连接到漏电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思的示例性实施例涉及一种制造显示基板的方法、一种修复显示基板的方法以及一种由所述的修复显示基板的方法修复的显示基板。
技术介绍
通常，液晶显示器(LCD)面板包括薄膜晶体管(TFT)基板、相对基板和LC层。TFT基板包括多条栅极线、与栅极线交叉的多条数据线、与栅极线和数据线连接的多个TFT以及与TFT连接的多个像素电极。TFT包括从栅极线延伸的栅电极、延伸到数据线的源电极和与源电极分隔开的漏电极。阵列基板的信号线可具有诸如短路、短路故障等的电连接故障。当产生电连接故障时，LCD面板的显示质量劣化。因此，需要修复具有电连接故障的信号线。修复信号线的传统方法是在保护层上形成修复线。将修复线电连接到信号线以修复电连接故障。然而，当将滤色器与栅极线和数据线设置在同一下基板上时，滤色器覆盖数据线。因此，修复失败的可能性会增大。另外，修复线不与数据线接触，会不能修复。
技术实现思路
本专利技术构思的示例性实施例提供了一种制造能够修复的显示基板的方法。本专利技术构思的示例性实施例还提供了一种修复显示基板的方法。本专利技术构思的示例性实施例还提供了一种通过修复显示基板的方法而修复的显示基板。在根据本专利技术构思的显示基板的示例性实施例中，所述显示基板包括：栅极金属图案，包括在第一方向上延伸的栅极线和电连接到栅极线的栅电极；数据金属图案，包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线、电连接到数据线的源电极以及与源电极分隔开的漏电极；有机层，设置在数据金属图案上；修复孔，穿透有机层并暴露栅极线与数据线交叉的交叉区；以及像素电极，设置在有机层上并电连接到漏电极。在示例性实施例中，显示基板还可包括设置在交叉区上并电连接到数据线的修复线。在示例性实施例中，显示基板还可包括覆盖修复孔的覆盖图案。在示例性实施例中，显示基板还可包括覆盖修复孔并且与像素电极设置在同一层上的修复电极。在示例性实施例中，显示基板还可包括覆盖修复孔和修复电极的覆盖图案。在根据本专利技术构思的制造显示基板的方法的示例性实施例中，所述方法包括下述步骤：在基体基板上形成包括在第一方向上延伸的栅极线和电连接到栅极线的栅电极的栅极金属图案；在栅极金属图案上形成包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线、电连接到数据线的源电极以及与源电极分隔开的漏电极的数据金属图案；在数据金属图案上形成有机层；图案化有机层以形成暴露栅极线与数据线交叉的交叉区的修复孔；以及在有机层上形成电连接到漏电极的像素电极。在示例性实施例中，修复孔的大小可大于栅极线与数据线交叉的交叉区的大小。在示例性实施例中，有机层可为滤色器。在示例性实施例中，所述方法还可包括形成覆盖修复孔的修复电极。在示例性实施例中，修复电极可与像素电极由同一层形成。在示例性实施例中，修复孔的大小可大于栅极线与数据线交叉的交叉区的大小。在示例性实施例中，有机层可为滤色器。在根据本专利技术构思的修复显示基板的方法的示例性实施例中，所述方法包括下述步骤：形成第一切割槽和第二切割槽以使数据线断开，其中，电连接故障导致在栅极线和数据线彼此交叉的位置处产生并且设置在第一切割槽和第二切割槽之间的短路故障；连接断开的数据线。在示例性实施例中，连接断开的数据线的步骤可包括形成电连接断开的数据线的修复线。修复线可包括与数据线相同的材料。在示例性实施例中，可通过激光化学气相沉积(CVD)法来形成修复线。在示例性实施例中，所述方法还可包括形成覆盖修复孔的覆盖图案。在示例性实施例中，所述方法还可包括形成覆盖修复孔的修复电极。连接断开的数据线的步骤可包括连接修复电极和断开的数据线。修复电极可包括透明导电材料。在示例性实施例中，形成第一切割槽和第二切割槽的步骤可包括将激光束照射到修复电极。在示例性实施例中，连接断开的数据线的步骤可包括将激光束照射到修复电极以连接修复电极和数据线。在示例性实施例中，所述方法还可包括形成覆盖修复电极的覆盖图案。根据本示例性实施例，显示基板包括暴露数据线与栅极线交叉的交叉区的修复孔。由于修复孔暴露数据线与栅极线交叉的交叉区，因此可以能够修复数据线。因此，可减少显示基板的缺陷。另外，显示基板包括覆盖修复孔的覆盖图案。因此，可防止由于外来杂质而致的线缺陷。另外，由于覆盖图案填充修复孔的空间，因此可减小由于修复孔而致的高度差。附图说明通过参照附图详细地描述本专利技术构思的示例性实施例，本专利技术构思的上述和其他特征和优点将变得更明显，在附图中：图1是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的显示基板的平面图；图2是放大图1的部分“A”的平面图；图3是沿图2的线I-I'截取的剖视图；图4至图8是示出制造图3的显示基板的方法的剖视图；图9是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的显示基板的平面图；图10是放大图9的部分“A”的平面图；图11是沿图10的线I-I'截取的剖视图；图12是示出修复图11的显示基板的方法的剖视图；图13是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的显示基板的平面图；图14是放大图13的部分“A”的平面图；图15是沿图14的线I-I'截取的剖视图；图16是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的显示基板的平面图；图17是放大图16的部分“B”的平面图；图18是沿图17的线II-II'截取的剖视图；图19至图23是示出制造图18的显示基板的方法的剖视图；图24是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的显示基板的平面图；图25是放大图24的部分“B”的平面图；图26是沿图25的线II-II'截取的剖视图；图27是示出修复图26的显示基板的方法的剖视图；图28是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的显示基板的平面图；图29是放大图28的部分“B”的平面图；图30是沿图29的线II-II'截取的剖视图。具体实施方式以下，将参照附图详细地解释本专利技术。图1是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的显示基板的平面图。图2是放大图1的部分“A”的平面图。图3是沿图2的线I-I'截取的剖视图。参照图1至图3，显示基板包括栅极线GL、第一数据线DL1、第二数据线DL2、第一修复孔RH1、第二修复孔RH2、第一存储线Cst1、第二存储线...

【技术保护点】
一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：栅极金属图案，包括在第一方向上延伸的栅极线和电连接到所述栅极线的栅电极；数据金属图案，包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线、电连接到所述数据线的源电极以及与所述源电极分隔开的漏电极；有机层，设置在所述数据金属图案上；修复孔，穿透所述有机层并暴露所述栅极线与所述数据线交叉的交叉区；以及像素电极，设置在所述有机层上并电连接到所述漏电极。

【技术特征摘要】
2014.11.18 KR 10-2014-01607971.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：
栅极金属图案，包括在第一方向上延伸的栅极线和电连接到所述栅极线
的栅电极；
数据金属图案，包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线、
电连接到所述数据线的源电极以及与所述源电极分隔开的漏电极；
有机层，设置在所述数据金属图案上；
修复孔，穿透所述有机层并暴露所述栅极线与所述数据线交叉的交叉区；
以及
像素电极，设置在所述有机层上并电连接到所述漏电极。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
修复线，设置在所述交叉区上并电连接到所述数据线。
3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
覆盖图案，覆盖所述修复孔。
4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
修复电极，覆盖所述修复孔并且与所述像素电极设置在同一层上。
5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
覆盖图案，覆盖所述修复孔和所述修复电极。
6.一种制造显示基板的方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：
在基体基板上形成包括在第一方向上延伸的栅极线和电连接到所述栅极
线的栅电极的栅极金属图案；
在所述栅极金属图案上形成包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延
伸的数据线、电连接到所述数据线的源电极以及与所述源电极分隔开的漏电
极的数据金属图案；
在所述数据金属图案上形成有机层；
图案化所述有机层以形成暴露所述栅极线与所述数据线交叉的交叉区的
修复孔；以及
在所述有机层上形成电连接到所述漏电极的像素电极。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述修复孔的大小大于所述
栅极线与所述数据线交叉的所述交叉区的大小。
8.如权利要求6所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李弘范，闵庚孩，白然贺，申智勋，申昊容，李在贤，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR