【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本申请要求2004年9月14日递交的在先临时申请60/609,678的优先权，该申请通过引用全文插入此处。按照国家自然科学基金、海军研究办公室和NASA纳米电子和计算协会分别给予西北大学的的DMR-0076097，N00014-02-1-0909和NCC 2-3163，美国政府对本专利技术享有某些权利。
技术介绍
在上世纪后50年中，(微)电子开发中的重要构建单元是基于无机电极、绝缘体和半导体的场效应晶体管(FET)。已经证明了这些材料是可靠的、高效的，并且根据公知的摩尔定律其性能周期性地增强。与传统的硅技术比较，基于分子和聚合材料的有机FET(OFET)在低性能存储元件以及集成光电子器件(例如，有机发光二极管(LED)有源阵列显示器中的像素装置和开关元件、RF-ID卷标以及智能-ID卷标和传感器)中可以具有广泛的应用。由于这些系统具有使蒸发/溶液加工容易和与包括软质塑料的各种衬底的相容性良好的优点，并且为顺利地进行结构改进提供了一个好时机，所以对它们已经进行了广泛的研究。目前的趋势是，需要低成本、大面积、柔韧并且轻质的器件以及与传统无机半导体的高衬底温度相比，可能...
【技术保护点】
一种下式的半导体化合物 ＊＊＊ Ⅰ 其中，Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］和Ｒ↑［３］独立地选自Ｈ、烷基、经氟取代的烷基、杂环、芳基和经氟取代的芳基，所述烷基和经氟取代的烷基为约Ｃ↓［２］－约Ｃ↓［１０］；每个所述ｘ独立地是约０－约８的整数；ｚ是选自０和大于０的整数的整数，其中，ｘ、ｙ和ｚ中的至少一个选自２和大于２的整数。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：图斌J马克斯，安东尼奥法克彻蒂，
申请(专利权)人：西北大学，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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