超声探头和制造超声探头的方法技术

本发明专利技术提供一种超声探头和制造超声探头的方法，所述超声探头包括：包括用于将换能器阵列和印刷电路板(PCB)连接到专用集成电路(ASIC)的导体阵列的连接层。所述超声探头包括：发射和接收超声波的换能器阵列、电连接到换能器阵列的第一电子电路、电连接到第一电子电路的第二电子电路以及设置在换能器阵列和第一电子电路之间并且包括使得换能器阵列电连接到第一电子电路的与换能器阵列接触的第一导体阵列以及使得第二电子电路电连接到第一电子电路的与第二电子电路接触的第二导体阵列的连接层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及用于使用超声波来产生物体的内部图像的超声探头。
技术介绍
超声成像设备可从物体的主体表面朝主体内部的目标区域发射超声信号，并且使用反射的超声信号(超声回波信号)上的信息以非侵入性方式来获得软组织的断层图像或血流的图像。超声成像设备是有优势的，因为与诸如X-射线诊断设备、X-射线计算机断层(CT)扫描仪、磁共振成像(MRI)设备和核医学诊断设备等其它图像超声设备相比较，它们小、便宜、可实时显示图像并且非常安全(由于不会暴露于X-射线)。因此，在超声成像设备正被广泛地使用于心脏、腹部、泌尿道和ob/gyn诊断。通常，超声成像设备向物体发射超声信号，以便获得物体的超声图像，并且包括用于接收从物体反射的超声回波信号的超声探头以及用于使用从超声探头接收的超声回波信号来产生物体的内部图像的主装置。
技术实现思路
因此，本专利技术的一方面在于提供包括连接层的超声探头，其中，在所述连接层中包括用于将换能器阵列和印刷电路板(PCB)连接到专用集成电路(ASIC)的导体阵列。本专利技术的另一方面将在随后的说明书中进行部分阐述，并且将通过说明书变得显而易见或者可通过本专利技术的实践来了解。根据本专利技术的一方面，一种超声探头包括：发射和接收超声波的换能器、被电连接到换能器的第一电子电路、分别被电连接到第一电子电路的第二电子电路以及包括设置在换能器与第一电子电路之间使得换能器被电连接到第一电子电路的第一导体和设置在第一电子电路的一个表面上使得第二电子电路被电连接到第一电子电路的第二导体的连接层。所述超声探头还可包括：电极，设置在连接层的前表面上以与第一导体和换能器接触。所述超声探头还包括：电极，设置在连接层的前表面上以与第二导体和第二电子电路接触。第二电子电路可被设置在第一电子电路的侧表面中的与第二导体邻近的表面上，并且第二导体可包括沿着平行于第二电子电路的方向形成的多个列，并且将第二导体的任何一列连接到任何一个第二电子电路的电极以及将第二导体的其它列连接到其它的第二电子电路的电极被彼此间隔开。第二导体的多个列可被形成在相同的层中。将第二导体的任何一列连接到任何一个第二电子电路的电极以及将第二导体的其它列连接到其它的第二电子电路的电极可被形成在不同的层中。电极的面积可被设置为与所述电极接触的换能器的面积对应。电极可具有在从0.1微米到5微米的范围内的厚度。电极可使用溅射法或电镀法来形成。第一导体和第二导体可被形成在相同的层中。第一电子电路和第二电子电路中的至少一个可包括半导体装置(专用集成电路(ASIC))。连接层可被设置在换能器的后表面上，第一电子电路可被设置在连接层的后表面上，并且第二电子电路可被设置在第一电子电路的侧表面上。换能器可以以包括多个元件的阵列形式被形成，并且第一导体可以以包括多个导体的阵列形式被形成。连接层可包括嵌入第一导体和第二导体的非导电性材料。根据本专利技术的另一方面，一种超声探头包括：发射和接收超声波的换能器、设置在换能器的后表面上并且被电连接到换能器的连接层、设置在连接层的后表面上以被电连接到连接层的第一电子电路以及设置在第一电子电路的侧表面上以被电连接到第一电子电路的第二电子电路。连接层包括：设置在换能器与第一电极电路之间使得换能器被电连接到第一电子电路的第一导体以及设置在第一电子电路的前表面上使得第一电子电路被电连接到第二电子电路的第二导体。根据本专利技术的另一方面，一种超声探头包括：发射和接收超声波的换能器、设置在换能器的后表面上的第一导体、设置在换能器与第一导体之间使得换能器被电连接到第一导体的第一电极、设置在第一导体的后表面上以被电连接到第一导体的第一电子电路、设置在第一电子电路的前表面上以被电连接到第一电子电路的第二导体、设置在第二导体的前表面上的第二电极以及设置在第一电子电路的侧表面上并且电连接到第二电极的第二电子电路。根据本专利技术的另一方面，一种超声探头包括：发射和接收超声波的换能器、电连接到换能器的第一电子电路以及设置在换能器与第一电子电路之间的连接层。连接层被设置在换能器与第一电子电路之间使得换能器被电连接到第一电子电路。所述超声探头还包括：设置在连接层的前表面上的电极以与第一导体和换能器接触。电极可具有在0.1微米到5微米范围内的厚度。电极可使用溅射法或电镀法来形成。第一电子电路可包括半导体装置(ASIC)。根据本专利技术的另一方面，一种超声探头包括：发射和接收超声波的换能器、电连接到换能器的第一电子电路、设置在换能器与第一电子电路之间的连接层以及每个被设置在第一电子电路的侧表面上以被电连接到第一电子电路的第二电子电路。连接层包括：设置在第一电子电路的前表面上使得第二电子电路被电连接到第一电子电路的第二导体。所述超声探头还可包括：设置在连接层的前表面上以与第二导体和第二电子电路接触的电极。第二电子电路可被设置在第一电子电路的侧表面中的与第二导体邻近的表面上，并且第二导体可包括：沿着平行于第二电子电路的方向形成的多个列，并且将第二导体的任何一列连接到任何一个第二电子电路的电极以及将第二导体的其它列连接到其它的第二电子电路的电极被彼此间隔开来。第二导体的多个列可被形成在相同的层中。将第二导体的任何一列连接到任何一个第二电子电路的电极以及将第二导体的其它列连接到其它的第二电子电路的电极可被形成在不同的层中。根据本专利技术的另一方面，一种制造超声探头的方法包括：在第一电子电路的一个表面上形成导体阵列，模塑成型包括导体阵列的空间，对模塑成型件执行磨削工艺以暴露导体阵列，在执行了磨削工艺的表面上形成电极，在电极上堆叠换能器。所述方法还包括：对换能器和模塑成型件执行切割工艺使得换能器被形成为2-维(2D)阵列。所述电极的形成可包括：通过溅射法或电镀法在暴露的导体阵列及其周围的模塑成型件上形成电极。所述电极的形成可包括：通过溅射法或电镀法在暴露的导体阵列上形成具有在从0.1微米到5微米的范围内的厚度的电极。所述方法还可包括：在第一电子电路的一个侧表面上安装至少一个第二电子电路。所述导体阵列的形成可包括：形成连接到换能器的第一导体阵列以及连接到至少一个第二电子电路的第二导体阵列。所述电极的形成可包括：通过溅射法在暴露的第一导体阵列和第二导体阵列、第一导体阵列和第二导体阵列周围的模塑成型件以及至少一个第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超声探头，包括：超声换能器，被构造为发射和接收超声波；第一电子电路，被电连接到超声换能器；第二电子电路，分别电连接到第一电子电路；连接层，包括第一导体和第二导体，其中，第一导体设置在超声换能器与第一电子电路之间使得超声换能器电连接到第一电子电路，第二导体设置在第一电子电路的一个表面上使得第二电子电路电连接到第一电子电路。

【技术特征摘要】
2014.12.02 KR 10-2014-0170646;2015.03.03 KR 10-2011.一种超声探头，包括：
超声换能器，被构造为发射和接收超声波；
第一电子电路，被电连接到超声换能器；
第二电子电路，分别电连接到第一电子电路；
连接层，包括第一导体和第二导体，其中，第一导体设置在超声换能器
与第一电子电路之间使得超声换能器电连接到第一电子电路，第二导体设置
在第一电子电路的一个表面上使得第二电子电路电连接到第一电子电路。
2.根据权利要求1所述的超声探头，还包括：
电极，被设置在连接层的前表面上以与第一导体和超声换能器接触。
3.根据权利要求1所述的超声探头，还包括：
电极，被设置在连接层的前表面上以与第二导体和第二电子电路接触。
4.根据权利要求1所述的超声探头，其中：
第二电子电路被设置在与第一电子电路的侧表面中的与第二导体邻近的
表面上，
第二导体包括沿着平行于第二电子电路的方向形成的多个列，并且
被构造为将第二导体的任何一列连接到任何一个第二电子电路的电极以
及被构造为将第二导体的其它列连接到其它的第二电子电路的电极被彼此间
隔开，其中，第二导体的多个列被形成在相同的层中。
5.根据权利要求4所述的超声探头，其中，被构造为将第二导体的任何
一列连接到任何一个第二电子电路的电极以及被构造为将第二导体的其它列
连接到其它的第二电子电路的电极被形成在不同的层中。
6.根据权利要求1所述的超声探头，其中，第一导体和第二导体被形成
在相同的层中。
7.根据权利要求1所述的超声探头，其中：
连接层被设置在超声换能器的后表面上；
第一电子电路被设置在连接层的后表面上；
第二电子电路被设置在第一电子电路的侧表面上。
8.根据权利要求1所述的超声探头，其中，超声换能器以包括多个超声
元件的阵列形式被形成，并且第一导体以包括多个导体的阵列形式被形成。
9.根据权利要求1所述的超声探头，其中，连接层包括被构造为嵌入第
一导...

【专利技术属性】
技术研发人员：具真浩，金载盆，李钟牧，赵永文，
申请(专利权)人：三星麦迪森株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR