制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。制造二氧化硅层的方法包含将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上、将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有预润湿液体物质的衬底上以及使涂布有用于形成二氧化硅层的组合物的衬底固化。根据本发明专利技术的方法，可以使得用于形成二氧化硅层的组合物充分润湿衬底，并且可以有效涂布少量组合物，形成均匀的二氧化硅层。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉参考本申请要求2015年9月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0137077号的优先权和权益，所述专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及一种制造二氧化硅层的方法、由其制造的二氧化硅层以及包含所述二氧化硅层的电子装置。
技术介绍
平板显示器使用包含栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体的薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)作为切换装置，并且配备有传递用于控制薄膜晶体管的扫描信号的栅极线和传递施加到像素电极的信号的数据线。另外，在半导体与若干电极之间形成绝缘层以将其隔开。绝缘层可以为包含硅组分的二氧化硅层。二氧化硅层可以由将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于衬底上而形成，并且在本文中，当呈液相的形成二氧化硅层的组合物并未充分润湿呈固相的衬底时，二氧化硅层的均匀性可能劣化，并且另外，因为大量使用组合物，所以涂布过程的效率可能劣化。
技术实现思路
一个实施例提供一种通过使用少量用于形成二氧化硅层的组合物制造具有均匀性的二氧化硅层的方法。另一实施例提供一种根据所述方法制造的二氧化硅层。又一实施例提供一种包含二氧化硅层的电子装置。根据一个实施例，制造二氧化硅层的方法包含将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上，将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有预润湿液体物质的衬底上以及使涂布有用于形成二氧化硅层的组合物的衬底固化。碳化合物可以在结构中包含经取代或未经取代的苯环，并且碳化合物的总碳数为6到14。碳化合物可以具有98℃到200℃范围内的沸点。碳化合物可以包含经取代或未经取代的三甲苯、经取代或未经取代的二甲苯、经取代或未经取代的二乙苯或其组合。用于形成二氧化硅层的组合物可以包含含硅聚合物和溶剂。含硅聚合物可以包含聚硅氮烷、聚硅氧烷或其组合。溶剂可以包含由以下各项中选出的至少一者：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、环己烷、环己烯、十氢萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基环己烷、甲基环己烷、对薄荷烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基异丁酮以及其组合。用于形成二氧化硅层的组合物的涂布可以使用旋涂法进行。固化可以在大于150℃或等于150℃下在包含惰性气体的氛围下进行。根据另一实施例，提供一种由制造二氧化硅层的方法形成的二氧化硅层。根据又一实施例，提供一种包含二氧化硅层的电子装置。在涂布用于形成二氧化硅层的组合物之前，可以进行衬底的预定的预处理，以使得用于形成二氧化硅层的组合物可以充分润湿衬底，并且可以有效涂布少量组合物，形成均匀的二氧化硅层。附图说明图1为说明评估二氧化硅层的厚度均匀性的方法的参考视图。具体实施方式下文将详细描述本专利技术的示范性实施例，并且其可以通过具有相关技术常识的人员容易地执行。然而，本专利技术可以按多种不同形式实施，并且不理解为限于本文中所阐述的示范性实施例。在图中，为清楚起见放大层、膜、面板、区域等的厚度。在整篇说明书中，相同的元件符号表示相同的元件。应理解，当如层、膜、区域或衬底的元件被称作在另一个元件“上”时，其可以直接在另一个元件上或还可以存在插入元件。相比之下，当元件被称作“直接在”另一个元件“上”时，不存在插入元件。如本文所用，当未另外提供定义时，术语‘经取代’是指经由以下各项中选出的取代基取代：卤素原子(F、Br、Cl或I)、羟基、烷氧基、硝基、氰基、氨基、叠氮基、脒基、肼基、亚肼基、羰基、氨甲酰基、硫醇基、酯基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、烷基、C2到C16烯基、C2到C16炔基、芳基、C7到C13芳基烷基、C1到C4氧基烷基、C1到C20杂烷基、C3到C20杂芳基烷基、环烷基、C3到C15环烯基、C6到C15环炔基、杂环烷基以及其组合，代替化合物的氢。如本文所用，当未另外提供定义时，术语‘杂’是指包含1到3个由以下各项中选出的杂原子：N、O、S以及P。另外，在说明书中，“＊”是指与相同或不同的原子或化学式的连接点。在下文中，描述一种根据一个实施例的制造二氧化硅层的方法。根据一个实施例的制造二氧化硅层的方法包含将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上，将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有预润湿液体物质的衬底上以及使涂布有用于形成二氧化硅层的组合物的衬底固化。预润湿表示在润湿之前进行的预处理方法，并且被称为减少抗蚀剂消耗(Reducedresistconsumption，RRC)。根据一个实施例的制造二氧化硅层的方法包含将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上，之后涂布用于形成二氧化硅层的组合物。因此，预润湿液体物质的涂布可以改善用于形成二氧化硅层的组合物的涂布特征，也就是说，衬底(固体)与用于形成二氧化硅层的组合物(液体)之间的润湿特征。碳化合物可以在结构中包含经取代或未经取代的苯环，并且碳化合物的总碳数为6到14。当使用包含碳化合物的预润湿液体物质时，不但可以在以下涂布用于形成二氧化硅层的组合物的方法中形成更均匀的薄膜，而且还可以减少薄膜表面上的孔缺陷的数量。举例来说，碳化合物可以具有98℃到200℃，例如(但不限于)100℃到180℃的沸点。举例来说，碳化合物可以为由以下各项中选出的一或多者：经取代或未经取代的三甲苯、经取代或未经取代的二甲苯以及经取代或未经取代的二乙苯，但并不限于此。预润湿液体物质可以为碳化合物本身、两种以上碳化合物的混合物或包含除碳化合物外的其它组分的溶液。预润湿液体物质可以例如(但不特定限于)按旋涂布、狭缝涂布、喷墨印刷等方法涂布。当预润湿液体物质涂布完时，可以将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于衬底上。用于二氧化硅层的组合物可以包含含硅聚合物和溶剂。用于形成二氧化硅层的组合物的含硅聚合物可以包含由化学式1表示的部分。[化学式1]在化学式1中，R1到R3独立地为氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基或其组合，并且“*”指示连接点。举例来说，含硅聚合物可以为通过使卤代硅烷与氨水反应制备的聚硅氮烷。举例来说，除化学式1的部分以外，用于形成二氧化硅层的组合物的含硅聚合物可以更包含由化学式2表示的部分。[化学式2]在化学式2中，R4到R7独立地为氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基或其组合，“*”指示连接点。在本文中，除结构中的硅-氮(Si-N)键部分以外，含硅聚合物包含硅-氧-硅(Si-O-Si)键部分，并且所述硅-氧-硅(Si-O-Si)键部分在经由热处理固化期间可以减缓应力并且由此减小收缩。举例来说，含硅聚合物包含由化学式1表示的部分、由化学式2表示的部分，并且可以更包含由化学式3表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造二氧化硅层的方法，其特征在于，包括将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上，将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有所述预润湿液体物质的所述衬底上，以及使涂布有所述用于形成二氧化硅层的组合物的所述衬底固化。

【技术特征摘要】
2015.09.25 KR 10-2015-01370771.一种制造二氧化硅层的方法，其特征在于，包括将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上，将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有所述预润湿液体物质的所述衬底上，以及使涂布有所述用于形成二氧化硅层的组合物的所述衬底固化。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳化合物在结构中包括经取代或未经取代的苯环并且所述碳化合物的总碳数为6到14。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳化合物的沸点为98℃到200℃。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所碳化合物包括经取代或未经取代的三甲苯、经取代或未经取代的二甲苯、经取代或未经取代的二乙苯或其组合。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述用于形成二氧化硅层的组合...

【专利技术属性】
技术研发人员：李知虎，卢健培，尹熙灿，裵镇希，任浣熙，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR