一种阵列基板及液晶显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及液晶显示面板，所述阵列基板包括：依次设置的衬底基板、第一金属层、栅绝缘层、有源层、第二金属层、第一绝缘层、第三金属层；第一金属层包括薄膜晶体管的栅极区；有源层用于形成沟道；所述第二金属层包括所述薄膜晶体管的漏极区和源极区；所述第三金属层包括光照保护区，所述光照保护区与所述沟道的位置相对应。本发明专利技术的阵列基板及液晶显示面板，由于在于沟道对应的位置上设置光照保护区，从而避免沟道受到紫外光照射，提高了薄膜晶体管的充电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器
，特别是涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
技术介绍
现有液晶显示面板包括阵列基板和彩膜基板，阵列基板上设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极，源极和漏极以及有源层(用于形成沟道)，该有缘层的材料为氧化物半导体材料。现有液晶显示面板的制作过程中，不可避免地用到紫外光照射，由于氧化物半导体材料在受到紫外光照射时，会降低薄膜晶体管的充电性能，如图1所示，给出光照前的薄膜晶体管的充电性能，如图2所示，给出光照后的薄膜晶体管的充电性能，图1和图2中横坐标表示电压值，纵坐标表示电容值，对比两张图，不难发现，薄膜晶体管的阈值电压变小，也即充电性能下降，降低了显示效果。因此，有必要提供一种阵列基板及液晶显示面板，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板及液晶显示面板，以解决现有技术的薄膜晶体管的沟道在紫外光照射下，导致其充电性能降低，显示效果差的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术构造了一种阵列基板，其包括：衬底基板；第一金属层，位于所述衬底基板上，包括薄膜晶体管的栅极区；栅绝缘层，部分位于所述第一金属层上，用于隔离所述第一金属层和第二金属层；有源层，部分位于所述栅绝缘层上，用于形成沟道；所述第二金属层，位于所述有源层上，包括所述薄膜晶体管的漏极区和源极区；第一绝缘层，位于所述第二金属层上；以及第三金属层，位于所述第一绝缘层上，所述第三金属层包括光照保护区，所述光照保护区与所述沟道的位置相对应。在本专利技术的阵列基板中，所述第三金属层还包括像素电极，所述光照保护区与所述像素电极是在同一制程工序中得到的。在本专利技术的阵列基板中，所述阵列基板还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述第三金属层上，所述透明导电层包括像素电极。在本专利技术的阵列基板中，所述光照保护区在所述衬底基板上的投影面积略大于所述沟道在所述衬底基板上的投影面积。在本专利技术的阵列基板中，所述阵列基板还包括平坦层，所述平坦层位于所述第三金属层上。本专利技术还提供一种液晶显示面板，其包括：彩膜基板，与阵列基板相对设置；液晶层，位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间，以及所述阵列基板，其包括：衬底基板；第一金属层，位于所述衬底基板上，包括薄膜晶体管的栅极区；栅绝缘层，部分位于所述第一金属层上，用于隔离所述第一金属层和第二金属层；有源层，部分位于所述栅绝缘层上，用于形成沟道；所述第二金属层，位于所述有源层上，包括所述薄膜晶体管的漏极区和源极区；第一绝缘层，位于所述第二金属层上；以及第三金属层，位于所述第一绝缘层上，所述第三金属层包括光照保护区，所述光照保护区与所述沟道的位置相对应。在本专利技术的液晶显示面板中，所述第三金属层还包括像素电极，所述光照保护区与所述像素电极是在同一制程工序中得到的。在本专利技术的液晶显示面板中，所述阵列基板还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述第三金属层上，所述透明导电层包括像素电极。在本专利技术的液晶显示面板中，所述光照保护区在所述衬底基板上的投影面积略大于所述沟道在所述衬底基板上的投影面积。在本专利技术的液晶显示面板中，所述阵列基板还包括平坦层，所述平坦层位于所述第三金属层上。本专利技术的阵列基板及液晶显示面板，由于在于沟道对应的位置上设置光照保护区，从而避免沟道受到紫外光照射，提高了薄膜晶体管的充电性能和显示效果。【附图说明】图1为现有技术光照前的薄膜晶体管的充电性能示意图；图2为现有技术光照后的薄膜晶体管的充电性能示意图；图3为本专利技术阵列基板的结构示意图；图4为本专利技术阵列基板的俯视图。【具体实施方式】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。请参照图3，图3为本专利技术阵列基板的结构示意图。本专利技术的阵列基板10，如图3所示，包括衬底基板11、第一金属层12、栅绝缘层13、有源层14、第二金属层15、第一绝缘层16，第三金属层17，还可以包括欧姆接触层(图中未示出)；所述第一金属层12位于所述衬底基板11上，包括薄膜晶体管的栅极区，对所述第一金属层12进行图形化处理形成栅极，所述栅极区部分以外的第一金属层在制程过程中被刻蚀掉；所述第一金属层12的材料可为铬、钼、铝或铜等。为了隔离所述第一金属层12和所述第二金属层15、以及隔离所述第一金属层12和有源层14，在所述第一金属层12上设置所述栅绝缘层13，仅在所述第一金属层12的栅极区设置有所述栅绝缘层13，其余所述栅绝缘层13设置在所述衬底基板上。所述有源层14部分位于所述栅绝缘层13上，用于形成所述薄膜晶体管的漏极和源极之间的沟道；所述欧姆接触层可位于所述有源层14上，用于在所述薄膜晶体管的栅极闭合时，导通源极和漏极。所述欧姆接触层的材料可为氮化硅。所述第二金属层15位于所述欧姆接触层上，包括薄膜晶体管的漏极区151和源极区152以及数据线；对所述第二金属层15进行图形化处理形成漏极151和源极152、以及数据线；所述漏极和源极以及数据线以外的第二金属层在制程过程中被刻蚀掉。所述第一绝缘层16用于隔离所述第二金属层15和第三金属层17；其中对所述第三金属层17进行图形化处理得到光照保护区；所述光照保护区与所述沟道的位置相对应，也即可以将第三金属层17中与沟道的位置相对应以外的部分刻蚀掉，仅保留光照保护区。优选地，所述光照保护区在所述衬底基板11上的投影面积略大于所述沟道在所述衬底基板11上的投影面积。也即在竖直投影方向上，光照保护区的面积大于所述沟道的面积，从而能更好地防止沟道受到紫外光照射。此外，由于在现有阵列基板的基础上，增加了第一绝缘层16和第三金属层17，使得阵列基板的整体厚度增加，从而可以降低寄生电容，进一步提高了显示效果。该光照保护区用于防止沟道受到紫外光的照射，从而很好地防止降低薄膜晶体管的充电性能。当然可以理解的是，上述结构可以应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；第一金属层，位于所述衬底基板上，包括薄膜晶体管的栅极区；栅绝缘层，部分位于所述第一金属层上，用于隔离所述第一金属层和第二金属层；有源层，部分位于所述栅绝缘层上，用于形成沟道；所述第二金属层，位于所述有源层上，包括所述薄膜晶体管的漏极区和源极区；第一绝缘层，位于所述第二金属层上；以及第三金属层，位于所述第一绝缘层上，所述第三金属层包括光照保护区，所述光照保护区与所述沟道的位置相对应。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
第一金属层，位于所述衬底基板上，包括薄膜晶体管的栅极
区；
栅绝缘层，部分位于所述第一金属层上，用于隔离所述第一
金属层和第二金属层；
有源层，部分位于所述栅绝缘层上，用于形成沟道；
所述第二金属层，位于所述有源层上，包括所述薄膜晶体管
的漏极区和源极区；
第一绝缘层，位于所述第二金属层上；以及
第三金属层，位于所述第一绝缘层上，所述第三金属层包括
光照保护区，所述光照保护区与所述沟道的位置相对应。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第三金属层还包括像素电极，所述光照保护区与所述像
素电极是在同一制程工序中得到的。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵
列基板还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述第三金属层
上，所述透明导电层包括像素电极。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述光照保护区在所述衬底基板上的投影面积略大于所述
沟道在所述衬底基板上的投影面积。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板还包括平坦层，所述平坦层位于所述第三金属
层上。
6.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：
彩膜基板，与阵列基板相对...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勐，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44