一种回旋加速器注入束流偏转板与中心区装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于回旋加速器设计技术，具体涉及一种回旋加速器注入束流偏转板与中心区装置。其结构包括中心区法兰盘，在中心区法兰盘的中部设有螺旋偏转板，所述的螺旋偏转板及其支撑部件通过高压绝缘陶瓷柱固定在所述中心区法兰盘上，在所述的螺旋偏转板上方设有用于防止杂散束流轰击螺旋偏转板的束流光阑，所述的高压绝缘陶瓷柱外部设有高压绝缘保护罩。该装置能够通过螺旋偏转板实现将垂直注入的束流偏转到水平加速轨道，并且通过二级束流光阑的保护，防止杂散束流轰击偏转板，使中心区稳定工作。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于回旋加速器设计技术，具体涉及一种回旋加速器注入束流偏转板与中心区装置。
技术介绍
紧凑型中能强流回旋加速器是近年来回旋加速器的主要发展方向之一，这种回旋加速器一般采用轴向安装的外部离子源，通过螺旋偏转板装置将垂直注入的束流偏转至水平方向进入中心区，束流在中心区经过加速相位的匹配后进入加速器轨道，注入偏转板与中心区是决定紧凑型强流回旋加速器性能指标的关键装置之一。目前用于医用放射性同位素生产的回旋加速器主要有两类，第一类是生产短寿命放射性同位素的低能小型回旋加速器，这类的小型回旋加速器由于需要的流强不高，一般小于100uA，采用内部离子源既可以满足要求，这类加速器离子源安装在回旋加速器的中心位置，从离子源引出的束流直接在高频电压的作用下进入回旋轨道，不需要偏转板装置。第二类是生产中等寿命放射性同位素的强流回旋加速器，这类加速器由于需要的束流强度较大，一般大于200uA，需要采用安装在加速器外部的强流离子源产生较强的离子束流，外部离子源产生的离子束垂直注入到加速器的中心部位，通过螺旋形偏转板偏转至水平方向，然后进入到中心区进行相位选择并在高频电压的作用下进行加速，束流在中心区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种回旋加速器注入束流偏转板与中心区装置，包括中心区法兰盘(5)，在中心区法兰盘(5)的中部设有螺旋偏转板(3)，所述的螺旋偏转板(3)及其支撑部件通过高压绝缘陶瓷柱(8)固定在所述中心区法兰盘(5)上，其特征在于：在所述的螺旋偏转板(3)上方设有用于防止杂散束流轰击螺旋偏转板的束流光阑。

【技术特征摘要】
1.一种回旋加速器注入束流偏转板与中心区装置，包括中心区法兰盘(5)，在中心区法兰盘(5)的中部设有螺旋偏转板(3)，所述的螺旋偏转板(3)及其支撑部件通过高压绝缘陶瓷柱(8)固定在所述中心区法兰盘(5)上，其特征在于：在所述的螺旋偏转板(3)上方设有用于防止杂散束流轰击螺旋偏转板的束流光阑。2.如权利要求1所述的回旋加速器注入束流偏转板与中心区装置，其特征在于：所述的束流光阑分为两级，一级束流光阑(1)设置在上部，用于将杂散束流过滤掉一部分；二级束流光阑(2)设置在一级束流光阑(1)的下方，用于将束流截面卡成方形。3.如权利要求1或2所述的回旋加速器注入束流偏转板与中心区装置，其特征在于：所述的螺旋偏转板(3)由一对螺旋曲面的正负高压电极组成，电极间形成螺旋倾斜的电场，注入的束流在倾斜电场内从垂直方向偏转至水平方向，然后进入到中心区法兰盘形成的加速轨道内。4.如权利要求1或2所述的回旋加速器注入束...

【专利技术属性】
技术研发人员：张天爵，吕银龙，姚红娟，宋国芳，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：新型
国别省市：北京;11