用于进行浸没场引导的曝光和曝光后烘烤工艺的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及用于进行浸没场引导的曝光和曝光后烘烤工艺的装置。在一实施方式中，一种装置包括处理腔室，所述处理腔室包括：基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面；热源，所述热源嵌入在所述基板支撑件中，配置用于将定位在所述基板支撑表面上的基板加热；电极组件，所述电极组件被配置成在基本上垂直于所述基板支撑表面的方向上产生电场，其中所述电极组件与所述基板支撑表面相对地定位，使所述电极组件的向下表面面对所述基板支撑表面，其中所述电极组件与所述基板支撑件间隔开，以便在所述电极组件与所述基板支撑表面之间限定处理容积；以及约束环，所述约束环设置在所述基板支撑件或所述电极组件的边缘，配置用于保持中间介质。

【技术实现步骤摘要】

本公开大体上涉及用于处理基板的装置，并且更具体地涉及用于改进光刻工艺的装置。
技术介绍
集成电路已发展成可在单个芯片上包括数百万个部件(例如，晶体管、电容器和电阻器)的复杂器件。光刻可用来在芯片上形成部件。一般来说，光刻工艺涉及几个基础阶段。首先，在基板上形成光刻胶层。光刻胶层可通过例如旋涂来形成。化学放大的光刻胶可包括抗蚀树脂和光致酸产生剂。当在后续曝光阶段中暴露于电磁辐射下后，光致酸产生剂在显影工艺中改变光刻胶溶解度。电磁辐射可具有诸如极紫外线区域中的波长的任何合适波长。电磁辐射可来自于任何合适的源，例如像193nmArF激光器、电子束、离子束、或其他源。随后，在曝光前烘烤工艺中，可将多余溶剂除去。在曝光阶段中，光掩模或光罩可用来选择性地将基板的某些区域暴露于电磁辐射下。其他曝光方法可为无掩模式曝光方法。暴露于光可使光致酸产生剂分解，以产生酸并且在抗蚀树脂中产生了酸潜像(latentacidimage)。在曝光后，可在曝光后烘烤工艺中对基板进行加热。在曝光后烘烤工艺中，光致酸产生剂产生的酸会与抗蚀树脂反应，以在后续显影工艺期间改变抗蚀剂溶解度。在曝光后烘烤之后，可显影并冲洗基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于进行浸没场引导的曝光和曝光后烘烤工艺的装置，所述装置包括：处理腔室，所述处理腔室包括：基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面；热源，所述热源嵌入在所述基板支撑件中，配置用于将定位在所述基板支撑表面上的基板加热；电极组件，所述电极组件被配置成在基本上垂直于所述基板支撑表面的方向上产生电场，其中所述电极组件与所述基板支撑表面相对地定位，使所述电极组件的向下表面面对所述基板支撑表面，其中所述电极组件与所述基板支撑件间隔开，以便在所述电极组件与所述基板支撑表面之间限定处理容积；以及约束环，所述约束环设置在所述基板支撑件或所述电极组件的边缘，配置用于保持中间介质。

【技术特征摘要】
2015.06.08 US 14/733,9231.一种用于进行浸没场引导的曝光和曝光后烘烤工艺的装置，所述装置包括：处理腔室，所述处理腔室包括：基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面；热源，所述热源嵌入在所述基板支撑件中，配置用于将定位在所述基板支撑表面上的基板加热；电极组件，所述电极组件被配置成在基本上垂直于所述基板支撑表面的方向上产生电场，其中所述电极组件与所述基板支撑表面相对地定位，使所述电极组件的向下表面面对所述基板支撑表面，其中所述电极组件与所述基板支撑件间隔开，以便在所述电极组件与所述基板支撑表面之间限定处理容积；以及约束环，所述约束环设置在所述基板支撑件或所述电极组件的边缘，配置用于保持中间介质。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述中间介质被配置成设置在所述处理容积中。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，定位在所述处理容积中的所述中间介质密切接近所述基板支撑表面和所述电极组件的所述向下表面。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述处理腔室被耦接到远程等离子体源。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述处理腔室包括电磁能源，所述电磁能源被配置成执行光刻工艺。6.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：中间介质分配工具，所述中间介质分配工具设置在所述处理腔室中，配置用于在所述处理容积中分配所述中间介质。7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述中间介质是去离子水。8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述中间介质具有大于10的电介质常数。9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·A·小布齐伯格，S·K·南，V·巴巴扬，欧阳盼盼，L·戈代，S·D·耐马尼，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：美国;US