一种使用柱状介电电泳电极的平板膜池及膜浓缩系统技术方案

本发明专利技术涉及一种使用柱状介电电泳电极的平板膜池，其包括池体和多个平板膜元件，其中各平板膜元件间隔设置在池体中；池体连接原水输入管和浓水输出管；平板膜元件包括柱状电极组件、渗透膜和平板框架，平板框架的两面安装渗透膜，渗透膜之间设置柱状电极组件；柱状电极组件包括两片分别连接交流电源不同输出端且相互绝缘的电极板，两片电极板的带有柱状突起的突起面相对扣合；平板框架上设置有连通两渗透膜之间产水腔的产水出口，各平板膜元件的产水出口连接产水输出管。本发明专利技术还涉及一种使用柱状介电电泳电极平板膜池的膜浓缩系统。本发明专利技术低成本无污染的优点，本发明专利技术膜浓缩系统具有分级处理，能够输出不同品级、不同用途的产水的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种污水处理设备，特别涉及一种使用柱状介电电泳电极的平板膜池及膜浓缩系统。
技术介绍
渗透膜分离技术在近30年中由于其操作方便、工艺设备紧凑、分离效率高、能耗低等优点而迅速发展成为工业中固液分离的重要工艺方法。然而，在渗透膜过滤工艺中，膜污染这个不可避免的问题始终存在，且已成为这项工艺于实际应用中的一个致命缺点。膜污染是由于膜表面和膜孔中由于微粒、胶体粒子、溶质分子沉积而导致的膜孔堵塞或变小，造成过膜阻力的增大，从而使膜透过量下降，减少膜的使用寿命等后果。例如，在固液分离中经常使用的超/微滤膜，其膜透过量由于膜污染会在近一个小时的工作之后减少约50％；而由于固体小颗粒的吸附和堵塞，这种污染甚至不可逆。工业上经常用来清洗膜污染的方法主要分为物理清洗和化学清洗，化学清洗是通过使用药剂以将不溶污染物溶解并冲洗出膜组件。然而，化学清洗不仅由于药剂的使用而增加过滤工艺的操作成本，而且由于酸性或碱性药剂的使用而对膜造成损害且造成污染。物理清洗主要包括低压高流速清洗、等压冲洗、反冲洗、负压清洗、机械刮除等方法，工业中普遍使用的是高速反冲洗和气水反冲洗工艺。然而，上述两种工艺都必须在清洗过程中停止膜过滤工艺，且需要高压和高于产水量两到三倍的水用于冲洗，耗能高，用水量大。超声波被认为可以实现防止膜污染的一个方法。然而，由于高强度超声波对渗透膜所造成的侵蚀和破坏，以及庞大的超声波生成系统阻碍了其在工业上的应用。基于电泳原理的电子渗透膜于上世纪七十年代由Manegold等提出，并由Henry等通过实验证实其可行性。然而，这种方法不适于用于多离子复杂性的工业条件，而且其高能耗也阻碍了它在工业上的广泛使用。除此之外，裸电极在电泳的使用也提高了短路的可能及电击的危险，以及电极上发生的电化学反应不仅会导致pH值变化，甚至于会生成有毒或污染环境的化学副产品。
技术实现思路
本专利技术的目的是在于克服现有技术的不足，提出一种使用柱状介电电泳电极的平板膜池，及使用该平板膜池的膜浓缩系统。通过在孔板电极组上施加交流电，从而在介电电泳电极以及渗透膜的附近产生不匀称电场，从而将附着的污染物移离渗透膜表面，以延长渗透膜使用寿命和提高渗透膜的工作效率及产水量。本专利技术解决其技术问题是通过以下技术方案实现的：一种使用柱状介电电泳电极的平板膜池，其特征在于：它包括池体和多个平板膜元件，其中各所述平板膜元件间隔设置在池体中；所述池体连接原水输入管和浓水输出管；所述平板膜元件包括柱状电极组件、渗透膜和平板框架，平板框架的前、后两面安装渗透膜，所述渗透膜之间设置柱状电极组件；所述柱状电极组件包括第一电极板及第二电极板，在第一电极板、第二电极板上均分布设置有柱状突起和孔位，第一电极板的柱状突起及孔位与第二电极板的孔位及柱状突起位置互补；第一电极板与第二电极板的带有柱状突起的突起面相对扣合后，其中一电极板的柱状突起嵌入至另一电极板的孔位之内；第一电极板和第二电极板分别连接高频交流电源的不同输出端，在第一电极板和第二电极板的非突起面上形成向外发射非均电场的作用面；所述平板框架上设置有连通两渗透膜之间产水腔的产水出口，各平板膜元件的产水出口连接一产水输出管。所述的第一电极板和第二电极板的表面具有绝缘层。所述的第一电极板、第二电极板的突起面相对扣合后，其中一电极板所制的柱状突起的顶端与另一电极板的非突起面齐平。所述的第一电极板、第二电极板采用金属薄板或薄片冲压成型，其上成型的柱状突起和孔位形成相互交错的阵列分布。所述的相互交错的阵列分布方式为：第一电极板的第n行的第奇数位置和第n+1行的第偶数位置为柱状突起，第n行的第偶数位置和第n+1行的第奇数位置为孔位；第二电极板的柱状突起和孔位则与第一电极板的孔位和柱状突起位置对应。所述的相互交错的阵列分布方式为：第一电极板的第n行均为柱状突起或孔位，第n+1行均为孔位或柱状突起；第二电极板的柱状突起和孔位则与第一电极板的孔位和柱状突起位置对应。所述的第一电极板、第二电极板的板厚相同；所述柱状突起的横截面直径≤2.5mm；所述柱状突起与孔位为间隙配合，配合间隙不大于单边0.2mm。一种使用平板膜池的膜浓缩系统它还包括预处理装置、反渗透系统和超临界系统，预处理装置的出口连接平板膜池的原水输入管，平板膜池的产水输出管的部分或全部连接反渗透系统的入口；平板膜池的浓水输出管和反渗透系统的浓水输出管连接超临界系统的物料入口。所述反渗透系统中反渗透膜之间为产水腔，所述产水腔中设置柱状电极组件。所述超临界系统中包括反应釜，所述反应釜上部的超临界蒸汽输出端依次连接换热系统、压力能回收系统和气液分离系统。所述气液分离系统的液体输出管输出纯水、所述反渗透系统的产水输出管输出直饮水、所述平板膜池的产水输出管输出生活用水。本专利技术的优点和有益效果为：1、本专利技术的平板膜池，包括池体和多个平板膜元件，其中各平板膜元件间隔设置在池体中，平板膜元件包括柱状电极组件、渗透膜和平板框架，通过在孔板电极组上施加交流电，从而在介电电泳电极以及渗透膜的附近产生不匀称电场，利用固体微粒与其所悬浮的连续相介电极化能力不同的原理，介电电泳力将固体微粒推离电极或者将固体微粒吸附在电极上，减少甚至消除渗透膜工艺中发生的膜污染和堵膜现象，提高渗透膜使用寿命，提高渗透膜膜透过量，达到强化渗透膜工艺。与工业中经常使用的反冲洗技术相比，无须添加额外物质例如化学药剂或大量的水，低成本无污染；在使用时无需停机即可实现对膜的去污解堵。2、本专利技术的平板膜池，平板膜元件使用柱状电极组件，柱状电极组件的不同电极板的柱状突起和孔位相互配合，共同构成一个发射非均电场的工作单元体，在高频交变电流作用下，工作单元体处的表面大曲率使得工作单元体所在区域的面电荷密度增高，其所在区域的不均场强随之增强；柱状突起作为发射端点与贯通电极板的孔位共同构成的工作单元体为开放式对外结构，发射的非均电场均穿过电极板到达表面之外，而不是将电场封闭在两电极板之间，不能有效发挥非均电场的介电电泳效应，造成浪费。同时，相对于传统介电电泳电极的面发射而言，柱状突起能形成尖端发射点，在作用面之外形成的电场中的介电电泳力更强。3、本专利技术的平板膜池，平板膜元件使用柱状电极组件，柱状电极组件的外部包裹渗透膜，在不同频率和不同电压的交流电下产生不同的非均电场的介电电泳效应，根据所要处理的液体特性选择对应频率、电压的交流电源产生的对应介电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用柱状介电电泳电极的平板膜池，其特征在于：它包括池体和多个平板膜元件，其中各所述平板膜元件间隔设置在池体中；所述池体连接原水输入管和浓水输出管；所述平板膜元件包括柱状电极组件、渗透膜和平板框架，平板框架的前、后两面安装渗透膜，所述渗透膜之间设置柱状电极组件；所述柱状电极组件包括第一电极板及第二电极板，在第一电极板、第二电极板上均分布设置有柱状突起和孔位，第一电极板的柱状突起及孔位与第二电极板的孔位及柱状突起位置互补；第一电极板与第二电极板的带有柱状突起的突起面相对扣合后，其中一电极板的柱状突起嵌入至另一电极板的孔位之内；第一电极板和第二电极板分别连接高频交流电源的不同输出端，在第一电极板和第二电极板的非突起面上形成向外发射非均电场的作用面；所述平板框架上设置有连通两渗透膜之间产水腔的产水出口，各平板膜元件的产水出口连接一产水输出管。

【技术特征摘要】
1.一种使用柱状介电电泳电极的平板膜池，其特征在于：它包括池体和多
个平板膜元件，其中各所述平板膜元件间隔设置在池体中；所述池体连接原水输
入管和浓水输出管；所述平板膜元件包括柱状电极组件、渗透膜和平板框架，平
板框架的前、后两面安装渗透膜，所述渗透膜之间设置柱状电极组件；所述柱状
电极组件包括第一电极板及第二电极板，在第一电极板、第二电极板上均分布设
置有柱状突起和孔位，第一电极板的柱状突起及孔位与第二电极板的孔位及柱状
突起位置互补；第一电极板与第二电极板的带有柱状突起的突起面相对扣合后，
其中一电极板的柱状突起嵌入至另一电极板的孔位之内；第一电极板和第二电极
板分别连接高频交流电源的不同输出端，在第一电极板和第二电极板的非突起面
上形成向外发射非均电场的作用面；所述平板框架上设置有连通两渗透膜之间产
水腔的产水出口，各平板膜元件的产水出口连接一产水输出管。
2.根据权利要求1所述的一种使用柱状介电电泳电极的平板膜池，其特征
在于：所述的第一电极板和第二电极板的表面具有绝缘层。
3.根据权利要求1所述的一种使用柱状介电电泳电极的平板膜池，其特征
在于：所述的第一电极板、第二电极板的突起面相对扣合后，其中一电极板所制
的柱状突起的顶端与另一电极板的非突起面齐平。
4.根据权利要求1所述的一种使用柱状介电电泳电极的平板膜池，其特征
在于：所述的第一电极板、第二电极板采用金属薄板或薄片冲压成型，其上成型
的柱状突起和孔位形成相互交错的阵列分布。
5.根据权利要求4所述的一种使用柱状介电电泳电极的平板膜池，其特征
在于：所述的相互交错的阵列分布方式为：第一电极板的第n行的第奇数位置和

【专利技术属性】
技术研发人员：王冰，王力伟，郑贵堃，
申请(专利权)人：内蒙古天一环境技术有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙古;15