The invention provides an electric storage element with a novel structure and a manufacturing method thereof. The storage device comprises the first electrode; a second electrode; storage layer arranged between the first electrode and the second electrode, and a mixture containing a plurality of semiconductor particles and a plurality of insulator particles; and the oxide layer is arranged between the second electrode layer and a battery. The average particle size of a plurality of insulator particles is above the average particle size of a plurality of semiconductor particles.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及蓄电元件及其制造方法。
技术介绍
专利文献1公开了一种由第1电极、n型半导体层、充电层、p型半导体层、第2电极层叠而成的二次电池。在充电层中，填充有被绝缘性覆盖膜覆盖的n型半导体微粒。充电层的形成方法包括在300℃～400℃下的烧成工序。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2012/046325号
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术提供具有新型结构的蓄电元件及其制造方法。用于解决课题的手段本专利技术的一方式涉及一种蓄电元件，其具备：第1电极；第2电极；蓄电层，其配置于所述第1电极和所述第2电极之间，且含有多个半导体粒子和多个绝缘体粒子的混合物；以及氧化物层，其配置于所述第2电极和所述蓄电层之间；其中，所述多个绝缘体粒子的平均粒径在所述多个半导体粒子的平均粒径以上。专利技术的效果本专利技术可以提供一种具有新型结构的蓄电元件。该蓄电元件例如可以采用低温工艺进行制作。附图说明图1是表示实施方式的蓄电元件的构成例的示意剖视图。图2是表示实施方式的蓄电元件的蓄电层的构成例的示意图。图3A是表示实施方式的蓄电元件的制造方法的一个例子的流程图。图3...
【技术保护点】
一种蓄电元件，其具备：第1电极；第2电极；蓄电层，其配置于所述第1电极和所述第2电极之间，且含有多个半导体粒子和多个绝缘体粒子的混合物；以及氧化物层，其配置于所述第2电极和所述蓄电层之间；其中，所述多个绝缘体粒子的平均粒径在所述多个半导体粒子的平均粒径以上。
【技术特征摘要】
2015.09.18 JP 2015-1853751.一种蓄电元件，其具备：第1电极；第2电极；蓄电层，其配置于所述第1电极和所述第2电极之间，且含有多个半导体粒子和多个绝缘体粒子的混合物；以及氧化物层，其配置于所述第2电极和所述蓄电层之间；其中，所述多个绝缘体粒子的平均粒径在所述多个半导体粒子的平均粒径以上。2.根据权利要求1所述的蓄电元件，其中，所述多个半导体粒子分散在所述多个绝缘体粒子之间。3.根据权利要求1所述的蓄电元件，其中，所述多个绝缘体粒子的平均粒径在所述多个半导体粒子的平均粒径的2倍以上。4.根据权利要求3所述的蓄电元件，其中，所述多个绝缘体粒子的平均粒径在所述多个半导体粒子的平均粒径的4倍以下。5.根据权利要求1所述的蓄电元件，其中，所述多个绝缘体粒子的平均粒径为5nm～100nm。6.根据权利要求5所述的蓄电元件，其中，所述多个半导体粒子的平均粒径为1nm～20nm。7.根据权利要求6所述的蓄电元件，其中，所述多个半导体粒子的平均粒径为2nm～10nm。8.根据权利要求1～7中任一项所述的蓄电元件，其中，所述多个绝缘体粒子含有硅氧化物。9.根据权利要求1～7中任一项所述的蓄电元件，其中，所述多个半导体粒子含有钛氧化物。10.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉井重雄，藤之木纪仁，土生田晴比古，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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