具有离子清除剂的热界面材料制造技术

热界面材料包含至少一种聚合物、至少一种导热填料、和至少一种离子清除剂。在一些实施方案中，所述离子清除剂为络合剂，其选自含氮络合剂、含磷络合剂、和基于羟基羧酸的络合剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利
本公开主要涉及热界面材料，更具体地涉及包含离子清除剂的热界面材料。相关技术的描述热界面材料(TIM)广泛应用于从电子元件例如中央处理器、视频图形阵列、服务器、游戏控制器、智能电话、LED板等散热。热界面材料通常用于将余热从电子元件转移至散热器(heatspreader)，例如受热器(heatsink)。在图1中示例了包括热界面材料的典型的电子器件包结构10。所述电子器件包结构10示例性地包括生热元件，例如电子芯片12，和一个或多个散热元件，例如散热器14和受热器16。示例性的散热器14和受热器包括金属、金属合金、或镀金属的基底，例如铜、铜合金、铝、铝合金、或镀镍的铜。TIM材料，例如TIM18和TIM20，在生热元件和一个或多个散热元件之间提供热连接。电子器件包结构10包括连接电子芯片12和散热器14的第一TIM18。TIM18通常称为“TIM1”。电子器件包结构10包括连接散热器14和受热器16的第二TIM20。TIM18通常称为“TIM2”。在另一实施方案中，电子器件包结构10不包括散热器14，并且TIM（未示出）将电子芯片12直接连接至受热器16。将电子芯片12直接连本文档来自技高网...

【技术保护点】
热界面材料，其包含：至少一种聚合物；至少一种导热填料；和至少一种离子清除剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.热界面材料，其包含：至少一种聚合物；至少一种导热填料；和至少一种离子清除剂。2.权利要求1所述的热界面材料，其中所述离子清除剂为络合剂，其选自含氮络合剂、含磷络合剂、和基于羟基羧酸的络合剂、和上述物质的组合。3.权利要求1所述的热界面材料，其中所述离子清除剂选自酰胺化合物、三唑化合物、四唑化合物、三氮烯化合物、草酰胺化合物、丙二酰胺化合物、和上述物质的组合。4.权利要求1所述的热界面材料，其中所述离子清除剂为酰胺化合物。5.权利要求1所述的热界面材料，其中所述离子清除剂选自酰肼、二酰肼和上述物质的组合。6.权利要求1所述的热界面材料，其中所述离子清除剂选自：十亚甲基二甲酰二水杨酰肼；3-(N-水杨酰基)氨基-1,2,4-三唑；和2',3-双[[3-[3,5-二叔丁基-4-羟基苯基]丙酰基]]丙酰肼。7.权利要求1所述的热界面材料，其中所述离子清除剂为根据选自式I至式XI或其组合的式的化合物：式I–N-水杨叉基-N'水杨酰肼式II-草酰基双(苄叉基酰肼)式III-N,N'-双(水杨酰基)肼式IV-3-(N-水杨酰基)氨基-1,2,4-三唑式V-2,2'-草酰胺基双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸乙酯]式VI-N,N'-双(水杨叉基)乙二胺式VII–N,N’-草酰二苯胺式VIII-甲基丙二酰二苯胺式IX-N-甲酰基-N'-水杨酰肼式X-十亚甲基二甲酰二水杨酰肼式XI–二亚磷酸双(2,6-二叔丁基-4-甲基苯酯)季戊四醇酯。8.权利要求1所述的热界面材料，其中基于所述热界面材料的总重量计，所述热界面材料包含0.1wt.%至5wt.%的离子清除剂。9.权利要求1所述的热界面材料，其中基于所述热界面材料的总重量计，所述热界面材料包含0.5wt.%至1wt.%的离子清除剂。10.权利要求1所述的热界面材料，其进一步包含至少一种相...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘亚群，曾亮，王晖，B张，黄红敏，
申请(专利权)人：霍尼韦尔国际公司，
类型：发明
国别省市：美国;US