用于OLED的导电载体，包括所述载体的OLED及其制造制造技术

本发明专利技术涉及一种用于OLED的导电载体(100)，其按以下顺序包括：‑ 玻璃基材；‑ 由金属网格(2)形成的电极，金属网格(2)由线带(20)构成；‑ 在所述金属栅格(20)下方的绝缘光提取层(41)，和‑ 在其厚度中部分结构化的层(3)，该层(3)具有给定的组成并且具有1.7至2.3的折射指数n3，并且位于光提取层上，该部分结构化层(3)由具有含金属栅格的空腔的结构化区域(31)和从位于所述光提取层上的称为低区域的另一区域(31)形成，在结构化区域(31)的被称为高表面(31')的表面和金属栅格(2)的被称为上表面并因此离基材最远的表面之间的距离H大于100nm。线带(2)沿着它们的长度具有在与高表面(31')齐平的侧方区域(22,22')之间的中心区域(21)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及导电载体和包含所述载体的有机电致发光器件及其制造。有机电致发光二极管(称为“OLED”)通常包括有机电致发光材料或电致发光材料堆叠体，有机电致发光材料或电致发光材料堆叠体通过两个通常呈导电层形式围绕它们的电极供应电力。通常，上电极是例如由铝制成的反射金属层，下电极是基于氧化铟，通常掺杂锡的氧化铟(更被称为ITO)的透明层，其厚度为约100至150nm。然而，为了在大面积上均匀地发光，需要形成不连续的下电极(这通常通过形成数mm2的电极区)并且需要显著减小在每个电极区域之间的距离(通常为约10微米)。专利申请WO2009/071822描述了一种替代下电极。更确切地，下电极首先包括由1μm厚的非周期栅格形式的导体，所述非周期栅格由具有约3μm的平均宽度A，彼此间隔约30μm的平均距离B的不规则银基线带形成，其中B/A比为10。该导电栅格通过在包含孔的自组织化开口网络的掩模上蒸发银来制造。然后移除掩模。以这种方式，通过明​​智地选择B/A和厚度，这种栅格的方块电阻(是特别低的)为约0.6欧姆/平方。这种栅格的光透射率TL为约70％，并且所述线带是肉眼不可见的。在与附图3有关的实本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于OLED的导电载体(100至200)，其按以下顺序包含：‑具有为1.3至1.6的折射指数n1的玻璃基材(1)，为有机或无机玻璃，具有称为第一表面的第一主面(11)；‑由玻璃基材承载的并在所述第一表面(11)一侧的电极，该电极包括由具有小于20Ω/□的方块电阻的金属材料制成的以栅格形式布置的层，其被称为“金属栅格”，金属栅格具有至少100nm的厚度e2，所述栅格由具有小于或等于50μm的宽度A的线带(20)形成，并且通过小于或等于5000μm的线带之间的距离B分开，这些线带由折射指数高于1.65的多个电绝缘非导电区(31)分隔，其特征在于，在所述第一表面(11)的一侧上，所述载体包括：‑在所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.17 FR 14568801.用于OLED的导电载体(100至200)，其按以下顺序包含：-具有为1.3至1.6的折射指数n1的玻璃基材(1)，为有机或无机玻璃，具有称为第一表面的第一主面(11)；-由玻璃基材承载的并在所述第一表面(11)一侧的电极，该电极包括由具有小于20Ω/□的方块电阻的金属材料制成的以栅格形式布置的层，其被称为“金属栅格”，金属栅格具有至少100nm的厚度e2，所述栅格由具有小于或等于50μm的宽度A的线带(20)形成，并且通过小于或等于5000μm的线带之间的距离B分开，这些线带由折射指数高于1.65的多个电绝缘非导电区(31)分隔，其特征在于，在所述第一表面(11)的一侧上，所述载体包括：-在所述金属栅格(2)下方的电绝缘光提取层(41至42)；-在厚度中部分结构化的电绝缘层(3)，该层(3)具有给定的组成，具有1.7至2.3的折射指数n3，并且位于光提取层上，该部分结构化层由以下形成：-离所述光提取层最远的结构化区域(31)，具有包含所述金属栅格的空腔，所述区域(31)包括所述非导电区域；和-从在金属栅格下方并在光提取层上方的另一个区域(30)，称为低区域，并且栅格在非导电区域(31)的被称为高表面(31')的表面的下方并齐平，并且在高表面(31')与金属栅格(2)的表面之间的间隔H大于100nm，H在所述线带的表面的中间和所述高表面之间进行测量，并且所述线带(2)沿着其长度具有在侧方区域(22,22')之间的中心区域(21)，侧方区域(22,22')与高表面(31')齐平。2.根据前述权利要求中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，H大于150nm，优选小于500nm。3.根据前述权利要求中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述线带(20)的表面沿着所述侧方区域(22,22')的内边缘不含有其高度大于10nm的突起。4.根据前述权利要求中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述金属栅格(2,20)通过自催化沉积，优选通过镀银获得。5.根据前述权利要求中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述中心区域(21)的表面粗糙度高于所述侧方区域(22,22')的表面粗糙度，所述侧方区域(22,22')的粗糙度参数Rq为最多5nm。6.根据前述权利要求中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述侧方区域(22,22')具有宽度L1，L1大于所述空腔的高度ec，并且L1≤2ec。7.根据前述权利要求中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，金属栅格(2,20)，优选由银制成的金属栅格(2,20)具有小于25％或小于10％，甚至小于6％的覆盖率T。8.根据前述权利要求中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述金属栅格(2,20)的厚度e2小于1500nm，优选在100nm至1000nm的范围内，特别地200nm至800nm的范围内，宽度A小于30μm，优选在1.5μm至20μm的范围内。9.根据前述权利要求中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述金属栅格(20)的一种或多种材料选自银、铜、镍和基于这些材料的合金，并且优选基于银。10.根据前述权利要求中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，具有大于200nm的高度ec的空腔(32,32')由扩张的侧壁(32)界定，随着离玻璃基材的距离而扩宽，其中水平距离L大于ec并且L≤2ec。11.根据前述权利要求中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述结构化区域(31)，并优选所述低区域(30)，不包含任何散射颗粒。12.根据前述权利要求中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述部分结构化层(3)由玻璃质材料，优选釉质制成。13.根据前述权利要求中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述基材(1)优选由无机玻璃制成，并且所述光提取层包括附加散射层(41)和散射元件(4'，4\)，附加散射层的材料包含玻璃质材料，优选釉质，并且部分结构化层(3)的组成包括玻璃质材料，优选釉质，该组成特别与附加散射层的材料相同，和/或基材的第一散射表面(42)，优选由无机玻璃制成的基材的第一散射表...

【专利技术属性】
技术研发人员：D吉马尔，J博兹，
申请(专利权)人：法国圣戈班玻璃厂，
类型：发明
国别省市：法国;FR