一种高性能中低温烧结高压陶瓷电容器介质制造技术

一种高性能中低温烧结高压陶瓷电容器介质，涉及无机非金属材料技术领域，它采用常规的高压陶瓷电容器介质制备方法，利用电容器陶瓷普通化学原料，制备得到无铅、无镉的无毒高性能中低温烧结（烧结温度为１１００～１１５０℃）高压高稳定陶瓷电容器介质，该介质适合于制备单片陶瓷电容器和多层片式陶瓷电容器，能大大降低陶瓷电容器的成本，并且在制备和使用过程中不污染环境，其特征在于所述介质的配方包括（重量百分比）：ＢａＴｉＯ↓［３］　５８－９２％，ＳｒＴｉＯ↓［３］　２－１９％，ＣａＺｒＯ↓［３］　０．５－１０％，Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］　０．０５－１％，Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］　０．０３－１．０％，Ｃｏ↓［２］Ｏ↓［３］０．０３－１．０％，Ｂｉ↓［２］Ｓｎ↓［２］Ｏ↓［７］　６－３０％；其中ＢａＴｉＯ↓［３］、ＳｒＴｉＯ↓［３］、ＣａＺｒＯ↓［３］分别是采用常规的化学原料以固相法合成。其耐压高，可达１０ｋＶ／ｍｍ以上，介电常数为２２００－３５００，电容温度变化率小，符合Ｘ７Ｒ特性、Ｙ５Ｔ和Ｙ５Ｕ特性的要求，使用过程中性能稳定性好，安全性高，对环境无污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无机非金属材料
，特指一种高性能中低温烧结高压陶瓷 电容器介质。它采用常规的陶瓷电容器介质制备方法，利用电容器陶瓷普通化学 原料，制备得到无铅、无镉的高性能中低温烧结(烧结温度为1100~1150°C)高 压高稳定陶瓷电容器介质，该介质适合于制备单片陶瓷电容器和多层片式陶瓷电 容器，能大大降低陶瓷电容器的成本，并且在制备和使用过程中不污染环境。
技术介绍
彩电、电脑、通迅、航空航天、导弹、航海等领域迫切需要击穿电压高、温 度稳定性好(如X7R特性等)、可靠性高的陶瓷电容器。 一般单片高压陶瓷电容 器介质的烧结温度为1300 1400°C，而本专利技术的中低温烧结陶瓷电容器介质温度 为1100~1150°C，这样能大大降低高压陶瓷电容器的成本，同时本专利电容器陶 瓷介质不含铅和镉，电容器陶瓷在制备和使用过程中不污染环境。随着多种类型的电子设备如数码相机、移动电话、笔记本电脑、掌上电脑等 移动电子设备的高速发展，小型化和轻型化是必然的发展趋势，构成这些电子设 备的元器件也必须减少体积和重量，以适应电子元件的安装技术转变为表面贴装 技术(SMD)的需要，表面贴装技术要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高性能低温烧结高稳定、高压陶瓷电容器介质，其特征在于所述介质配方以重量百分比表示包括：ＢａＴｉＯ３５８－９２％，ＳｒＴｉＯ３２－１９％，ＣａＺｒＯ３０．５－１０％，Ｎｂ２Ｏ５０．０５－１％，Ｙ２Ｏ３０．０３－０．８％，Ｃｏ２Ｏ３０．３－０．８％，Ｂｉ２Ｓｎ２Ｏ７６－３０％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄新友，高春华，李军，赵晨，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]