【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有耐还原性的电介质陶瓷组合物、以及电介质层具有该电介质 陶瓷组合物的电子部件。更详细地说，本专利技术涉，用于额定电压高的(例如100V以上)中髙压用途的电介质陶瓷组合物以及电子部件。
技术介绍
作为电子部件的一个例子的叠层陶瓷电容器例如是将包含规定的电介质陶 瓷组合物的陶瓷生片(,y—^一卜)与规定图案的内部电极层交替层叠，然后一体化得到生芯片(歹i;一y于、"/)，将该生芯片同时烧成而制造的。叠层陶 瓷电容器的内部电极层要通过烧成与陶瓷电介质一体化，所以必须选择不与陶 瓷电介质反应的材料。因此，作为构成内部电t鹏的材料，以往不得不l顿钼、 钯等高价贵金属。但Ji^来，开发了可^ffi镍、铜等廉价贱金属的电介质陶瓷组合物，实现 了大幅度的赫斷氏。一方面，随着电子电路的高密度化，对电子部件小型化的要求高，雖陶瓷 电容器正在急m小型和大容量化。与之相伴随地，叠层陶瓷电容器向着每层 电介质层的薄层化方向发展，需要即使薄层化也可维持电容器的可靠性的电介 质陶瓷组，。尤其是在高额定电压(例如ioov以上)下使用的中髙压用电容 器的小型和大容量化，对构成电介...
【技术保护点】
一种电介质陶瓷组合物，其含有Ｂａ↓［ｍ］ＴｉＯ↓［２＋ｍ］（其中ｍ满足０．９９≤ｍ≤１．０１）、Ｂａ↓［ｎ］ＺｒＯ↓［２＋ｎ］（其中ｎ满足０．９９≤ｎ≤１．０１）、Ｒ的氧化物（其中Ｒ为选自Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ和Ｌｕ中的至少一种）， 其特征在于：相对于上述Ｂａ↓［ｍ］ＴｉＯ↓［２＋ｍ］１００ｍｏｌ，上述Ｂａ↓［ｎ］ＺｒＯ↓［２＋ｎ］的含量为Ａ ｍｏｌ、上述Ｒ的氧化物的含量为Ｃ ｍｏｌ时，上述Ａ以Ｂ ａ↓［ｎ］ＺｒＯ↓［２＋ｎ］计，满足４０≤Ａ≤６５ｍｏｌ，上述Ｃ以Ｒ↓［２］Ｏ↓［３］计，...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：关秀明，阿满三四郎，宫内真理，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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