制造薄膜晶体管的方法技术

本发明专利技术提供了一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括设置基底；在基底上设置栅极，在栅极上设置栅极绝缘层，在栅极绝缘层上设置半导体层，在半导体层上分别设置源极和漏极，在源极和漏极上设置钝化层，在钝化层上设置像素电极。其中，所述栅极绝缘层由多孔的SiO2形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于薄膜晶体管领域，具体地讲，涉及一种制造薄膜晶体管的方法。
技术介绍
TFT－LCD(彩色薄膜晶体管液晶显示器)主要应用于计算机、视频终端、通讯及仪器仪表等行业。主要应用领域有笔记本电脑、台式计算机监视器、工作站、工业监视器、全球卫星定位系统(GPS)、个人数据处理、游戏机、可视电话、便携式VCD、DVD以及其它一些便携装置。经过不断的发展创新，TFT-LCD迅速成长为主流显示器.TFT-LCD的工作原理是通过电压的变化控制每个像素的开关，精准地控制每个像素的颜色和亮度，从而得到需要的画面。现市场上主流的TFT-LCD需要较大的驱动电压(一般驱动电压大于10V)才能正常的工作，并且需要足够的电流开关比。工作电压较大导致了高功耗和较大寄生电容，不利于便携式电子产品的设计。公开号为CN103762178A的中国专利申请公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，所述方法包括通过多次PECVD工序形成复合的栅极绝缘层，其中，所述栅极绝缘层包括SiO2。该中方法工序复杂，且制造成本增加。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种可以降低TFT-LCD的工作电压和减小寄生电容的制造TFT的方法。这种方法能够改善TFT的工作电压，从而提高TFT产品的质量，降低功耗。根据本专利技术的示例性实施例，提供了一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法可以包括以下步骤：设置基底，在基底上设置栅极，在栅极上设置栅极绝缘层，在栅极绝缘层上设置半导体层，在半导体层上分别设置源极和漏极，在源极和漏极上设置钝化层，在钝化层上设置像素电极，其中，所述栅极绝缘层由多孔的SiO2形成。根据本专利技术的示例性实施例，形成栅极绝缘层的步骤可以包括：以SiH4和O2作为反应气体在栅极上沉积多孔的SiO2作为栅极绝缘层。根据本专利技术的示例性实施例，可以通过等离子体增强的化学气相沉积方法来沉积多孔的SiO2。根据本专利技术的示例性实施例，所述栅极绝缘层的厚度可以为根据本专利技术的示例性实施例，形成半导体层的步骤可以包括：在栅极绝缘层上设置光阻层以覆盖栅极绝缘层的大部分表面，并使栅极绝缘层的与栅极对应的区域暴露；使用H3PO4处理栅极绝缘层的被暴露的区域，以使-PO3H2进入栅极绝缘层的多孔的SiO2中；在光阻层上以及栅极绝缘层的暴露的部分上沉积半导体氧化物，然后剥离光阻层以及沉积在光阻层上的半导体氧化物，从而形成半导体层。根据本专利技术的示例性实施例，可以采用物理气相沉积的方法在暴露的栅极绝缘层和光阻层上沉积半导体氧化物。根据本专利技术的示例性实施例，使用H3PO4处理栅极绝缘层可以包括使用60wt％～80wt％的H3PO4对栅极绝缘层进行喷淋和/或浸泡处理。根据本专利技术的示例性实施例，光阻层可以为正性光阻层。根据本专利技术的示例性实施例，光阻层的厚度可以为1μm-2μm。根据本专利技术的示例性实施例，半导体层可以包括铟镓锌氧化物。通过结合示例性实施例的本专利技术的以上描述，根据本专利技术的制造薄膜晶体管的方法能够改善TFT的工作电压，从而提高TFT产品的质量，降低功耗。附图说明通过结合附图的示例性实施例的以下描述，本专利技术的各方面将变得清楚。其中，图1是示意性地示出根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中制造栅极的步骤；图2是示意性地示出根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中制造栅极绝缘层的步骤；图3A-图3C是顺序地示意性地示出根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中制造半导体层的步骤，其中，图3A是示意性地示出根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中在栅极绝缘层上设置光阻层的步骤，图3B是示意性地示出根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中在暴露的栅极绝缘层上和光阻层上设置半导体氧化物的步骤，图3C是示意性地示出根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中在栅极绝缘层上形成岛状的半导体层的步骤；图4是示意性地示出根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中在半导体层上分别形成源极、漏极、钝化层和像素电极层的步骤。具体实施方式TFT-LCD的工作原理是通过电压的变化控制每个像素的开关，精准地控制每个像素的的颜色和亮度，从而得到需要的画面。然而，现市场上主流的TFT-LCD需要较大的驱动电压(一般驱动电压大于10V)才能正常的工作，并且需要足够的电流开关比。工作电压较大导致了高功耗和较大寄生电容，不利于便携式电子产品的设计。下面将要参照附图描述的本专利技术的示例性实施例提供了一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法使用SiH4和O2作为反应气体，通过PECVD的方法沉积多孔SiO2作为TFT的栅极绝缘层，从而有效地减少了寄生电容并且降低了功耗。以下，将结合附图来详细描述本专利技术的示例性实施例，然而，本专利技术的保护范围不受附图和下面将要描述的示例性实施例的限制。下面的示例性实施例的描述是为了让本领域技术人员能够更充分地了解本专利技术的具体实施，并将本专利技术的范围更充分地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚性，可以夸大层和区域的厚度。此外，同样的附图标记始终指示为同样的元件。图1是示意性地示出根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中制造栅极的步骤。图2是示意性地示出根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中制造栅极绝缘层的步骤。图3A-图3C是示意性地示出根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中制造半导体层的步骤，其中，图3A是示意性地示出根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中在栅极绝缘层上设置光阻层的步骤，图3B是示意性地示出根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中在暴露的栅极绝缘层上和光阻层上设置半导体氧化物的步骤，图3C是示意性地示出根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中在栅极绝缘层上形成孤岛状的半导体层的步骤。图4是示意性地示出根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中在半导体层上分别形成源极、漏极、钝化层和像素电极层的步骤。以下将结合图1至图4来充分地描述根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法。参照图1-图4，根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤：首先，如图1所示，设置基底SU，并在基底上设置栅极G。根据本专利技术的示例性实施例，基底SU可以为本领域所普遍使用的玻璃基底等，但本专利技术不限于此。可使用蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：设置基底，在基底上设置栅极，在栅极上设置栅极绝缘层，在栅极绝缘层上设置半导体层，在半导体层上分别设置源极和漏极，在源极和漏极上设置钝化层，在钝化层上设置像素电极，其中，所述栅极绝缘层由多孔的SiO2形成。

【技术特征摘要】
1.一种制造薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
设置基底，
在基底上设置栅极，
在栅极上设置栅极绝缘层，
在栅极绝缘层上设置半导体层，
在半导体层上分别设置源极和漏极，
在源极和漏极上设置钝化层，
在钝化层上设置像素电极，
其中，所述栅极绝缘层由多孔的SiO2形成。
2.如权利要求1所述的方法，其中，形成栅极绝缘层的步骤包括：
以SiH4和O2作为反应气体在栅极上沉积多孔的SiO2作为栅极绝缘层。
3.如权利要求2所述的方法，其中，采用等离子体增强的化学气相沉积方
法来沉积多孔的SiO2。
4.如权利要求2所述的方法，其中，所述栅极绝缘层的厚度为5.如权利要求1所述的方法，其中，形成半导体层的步骤包括：
在栅极绝缘层上设置光阻层以覆盖栅极绝缘层的大部分表面，并使栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡良毅，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44