【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种以氧化铝为基质的陶瓷制品，特别涉及。氧化铝陶瓷具有耐高温、耐腐蚀、高强度、高硬度的特点，是一种绝缘体，在100℃时，电阻率为2×1017Ω·M，现有的氧化铝陶瓷是不导电的。日本专利JP 0495388提供一种掺碳的粘土质陶瓷，在粘土中掺入0.5～3%(重量)碳黑，经烧结制成微波发热元件。本专利技术的目的在于提供一种氧化铅基纳米级复相陶瓷的制造方法，以Al2O3和纳米级C粉末为原料制造具有导电性能的氧化铝基纳米级复相陶瓷，其常温电阻率为0.1～1000ΩM，电阻率的大小是可调整的。实现本专利技术目的的技术措施是在Al2O3中加入纳米级C粉末，烧结后C分布在Al2O3基质晶粒的界面上，由于C是导电导热体，使本复相陶瓷具有导电性能，其导电率随C含量不同而不同。本专利技术的特征是采用的成分配比是含有65～99.5vol%的Al2O3(α型或γ型)和35～0.5vol%的C，其中Al2O3粉末的平均粒径为0.1～2μm，C粉末的粒径为5～100nm;经混匀后置于还原气氛或隋性气体保护下的烧结炉内，加热至1500～1700℃，无压烧结2～6小时，或热压烧结0.5～2小时制成。上述的Al2O3也可采用MgO含量不超过10%(体积百分数)的Al2O3-MgO复合粉料替代。同现有技术比较，本专利技术的优点是本陶瓷制品具有导电性，电阻率为0.1～1000ΩM，电导率为10～0.001Ω-1M-1，且其电阻率随组份中的C含量不同而不同，即电阻率的大小可根据该陶瓷制品用途的不同进行调整，如附图说明图1所示。图1为掺C氧化铝纳米级复相陶瓷电阻率随C体积百分含...
【技术保护点】
一种氧化铝基纳米级复相陶瓷的制造方法，其特征在于：成分配比是含有６５～９９. ５％（体积百分数）的α－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］和３５～０. ５％（体积百分数）的Ｃ，其中α－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］粉末的平均粒径为０. １～２μｍ，Ｃ粉末的粒径为５～１００ｎｍ；经混匀后置于还原气氛或惰性气体保护的烧结炉内，加热至１５００～１７００℃，无压烧结２～６小时制成，或热压烧结０. ５～２小时制成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高家化，沈志坚，丁子上，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]
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