FFS模式的阵列基板及制作方法技术

本发明专利技术提供一种FFS模式的阵列基板及制作方法，该FFS模式的阵列基板包括基层，该基层设置有栅极以及沟道半导体层；第二绝缘层，其沉积于所述基层上，该第二绝缘层上形成有将该沟道半导体层露出的第一过孔以及第二过孔；像素电极层，其沉积于所述第二绝缘层上，所述像素电极层上设置有像素电极；源极以及漏极，该源极以及漏极设置于所述像素电极层之上；第三绝缘层，其设置于源极、漏极、像素电极以及第二绝缘层上。本发明专利技术具有缩短工艺流程、减少光罩次数的有益效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，特别是涉及一种曲面液晶显示面板及曲面液晶显示装置。
技术介绍
有源矩阵驱动的LCD显示技术利用了液晶的双极性偏振特点，通过施加电场控制液晶分子的排列方向，实现对背光源光路行进方向的开关控制。根据对液晶分子施加电场方向的不同，可以将LCD显示模式分为TN系列模式,VA系列模式及IPS系列模式。VA系列模式指对液晶分子施加纵向电场，而IPS系列模式指对液晶分子施加横向电场。而在IPS系列模式中，对于施加横向电场的不同，又可分为IPS模式和FFS模式等。其中FFS显示模式的每一个像素单元含有上下两层电极，即像素电极和公共电极，且下层的公共电极采用开口区整面平铺的方式。FFS显示模式具有高透过率，广视角以及较低的色偏等优点，是一种广泛应用的LCD显示技术。为了提高氧化物TFT的稳定性，刻蚀阻挡层(ESL)结构的TFT结构被广泛采用，该结构可以有效降低外界环境因素与源漏电极的刻蚀损伤对背沟道的影响。然而，ESL结构的传统FFS显示模式阵列基板制造方法需要更多的光罩次数，增加了工艺的复杂性以及生产成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种FFS模式的阵列基板及其制作方法；以解决现有技术中ESL结构的传统FFS显示模式阵列基板制造方法需要更多的光罩次数，增加了工艺的复杂性以及生产成本的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术实施例提供一种FFS模式的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：形成一基层，该基层设置有栅极以及沟道半导体层；在基层上沉积第二绝缘层，在第二绝缘层上形成将该沟道半导体层露出的第一过孔以及第二过孔；在第二绝缘层上沉积像素电极层，该像素电极层设置有多个像素电极区域，以及位于相邻两个像素电极区域之间的第一间隔区域；在像素电极层上沉积第一金属层，该第一金属层设置有源极区域、漏极区域，以及位于源极区域和漏极区域之间的第二间隔区域；在第一金属层上涂布第一光阻层，将第一光阻层上与第一间隔区域和第二间隔区域正对区域的光阻去除；对第一金属层和像素电极层进行刻蚀，以在第一金属层的源极区域和漏极区域分别形成源极和漏极，在像素电极层的像素电极区域形成像素电极；去除第一光阻层，并除去位于像素电极上的第一金属层；在源极、漏极、像素电极以及第二绝缘层上沉积第三绝缘层。在本专利技术所述的FFS模式的阵列基板的制作方法中，所述形成一基层的步骤包括：在玻璃基板上形成栅极；在玻璃基板以及栅极上依次沉积第一绝缘层以及半导体层，该半导体层设置有沟道区域、公共电极区域以及位于公共电极区域与沟道区域之间的第三间隔区域；在该半导体层上涂布第二光阻层，将该第二光阻层上与所述第三间隔区域正对区域的光阻去除；对所述半导体层进行刻蚀，以在半导体层的沟道区域形成所述沟道半导体层，在该半导体层的公共电极区域形成待掺杂半导体层；去除待掺杂半导体层上的第二光阻层，并对该待掺杂半导体层进行掺杂以形成公共电极层；去除该沟道半导体层上的第二光阻层；其中，所述第二绝缘层沉积于该沟道半导体层、公共电极层以及第一绝缘层上。在本专利技术所述的FFS模式的阵列基板的制作方法中，所述沟道半导体层设置有两个分别与所述第一过孔以及第二过孔对应的掺杂区域，所述去除该沟道半导体层上的第二光阻层的步骤包括：将所述沟道半导体层的两个掺杂区域上的第二光阻层去除，并对该两个掺杂区域进行掺杂，以将该沟道半导体层位于该两个掺杂区域的半导体转换为导体，然后去除所述沟道半导体层上剩余的第二光阻层。在本专利技术所述的FFS模式的阵列基板的制作方法中，所述形成一基层的步骤包括：在玻璃基板上依次沉积公共电极层以及第二金属层，第二金属层设有栅极区域，公共电极层设有公共电极区域、TFT区域以及位于公共电极区域与TFT区域之间的第四间隔区域；在第二金属层上涂布第三光阻层，将第三光阻层上与第四间隔区域正对区域的光阻除去；对第二金属层以及公共电极层进行刻蚀，以在该公共电极层的公共电极区域形成公共电极，在第二金属层的栅极区域形成栅极；将公共电极上的第三光阻层以及第二金属层依次除去，将栅极上的第三光阻层除去；在公共电极、栅极以及玻璃基板上沉积第一绝缘层，在该第一绝缘层上形成所述沟道半导体层；其中，所述第二绝缘层沉积于所述沟道半导体层以及第一绝缘层之上。在本专利技术所述的FFS模式的阵列基板的制作方法中，所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层均包括氮化硅和/或二氧化硅。在本专利技术所述的FFS模式的阵列基板的制作方法中，所述沟道半导体层包括铟镓锌氧化物。本专利技术还提供了一种FFS模式的阵列基板，包括：基层，该基层设置有栅极以及沟道半导体层；第二绝缘层，其沉积于所述基层上，该第二绝缘层上形成有将该沟道半导体层露出的第一过孔以及第二过孔；像素电极层，其沉积于所述第二绝缘层上，所述像素电极层上设置有像素电极；源极以及漏极，该源极以及漏极设置于所述像素电极层之上；第三绝缘层，其设置于源极、漏极、像素电极以及第二绝缘层上。在本专利技术所述的FFS模式的阵列基板中，所述基层还包括：玻璃基板，所述栅极设置于该玻璃基板上；第一绝缘层，其设置于该玻璃基板以及栅极上；半导体层，其设置于所述第一绝缘层上，所述半导体层包括沟道区域以及公共电极区域，在所述半导体层的沟道区域形成所述沟道半导体层，在所述半导体层的公共电极区域的半导体掺杂形成公共电极层；所述第二绝缘层设置于该沟道半导体层、公共电极层以及第一绝缘层上。在本专利技术所述的FFS模式的阵列基板中，所述基层还包括：玻璃基板；公共电极层，其设置于玻璃基板上，所述栅极设置于所述公共电极层之上；第一绝缘层，其设置于公共电极层、栅极以及玻璃基板上；所述沟道半导体层设置于所述第一绝缘层上并位于所述栅极上方，所述第二绝缘层沉积于所述沟道半导体层以及第一绝缘层之上。在本专利技术所述的FFS模式的阵列基板中，所述沟道半导体层包括铟镓锌氧化物。本实施例中，通过将源极和漏极设置在像素电极层之上，从而使得在制作过程中，可以通过一道光罩同时形成该源极、漏极以及像素电极，具有缩短工艺流程，提高生产效率的有益效果。附图说明图1为本专利技术的F本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种FFS模式的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：形成一基层，该基层设置有栅极以及沟道半导体层；在基层上沉积第二绝缘层，在第二绝缘层上形成将该沟道半导体层露出的第一过孔以及第二过孔；在第二绝缘层上沉积像素电极层，该像素电极层设置有多个像素电极区域，以及位于相邻两个像素电极区域之间的第一间隔区域；在像素电极层上沉积第一金属层，该第一金属层设置有源极区域、漏极区域，以及位于源极区域和漏极区域之间的第二间隔区域；在第一金属层上涂布第一光阻层，将第一光阻层上与第一间隔区域和第二间隔区域正对区域的光阻去除；对第一金属层和像素电极层进行刻蚀，以在第一金属层的源极区域和漏极区域分别形成源极和漏极，在像素电极层的像素电极区域形成像素电极；去除第一光阻层，并除去位于像素电极上的第一金属层；在源极、漏极、像素电极以及第二绝缘层上沉积第三绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种FFS模式的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括
以下步骤：
形成一基层，该基层设置有栅极以及沟道半导体层；
在基层上沉积第二绝缘层，在第二绝缘层上形成将该沟道半
导体层露出的第一过孔以及第二过孔；
在第二绝缘层上沉积像素电极层，该像素电极层设置有多个
像素电极区域，以及位于相邻两个像素电极区域之间的第一间隔
区域；
在像素电极层上沉积第一金属层，该第一金属层设置有源极
区域、漏极区域，以及位于源极区域和漏极区域之间的第二间隔
区域；
在第一金属层上涂布第一光阻层，将第一光阻层上与第一间
隔区域和第二间隔区域正对区域的光阻去除；
对第一金属层和像素电极层进行刻蚀，以在第一金属层的源
极区域和漏极区域分别形成源极和漏极，在像素电极层的像素电
极区域形成像素电极；
去除第一光阻层，并除去位于像素电极上的第一金属层；
在源极、漏极、像素电极以及第二绝缘层上沉积第三绝缘层。
2.根据权利要求1所述的FFS模式的阵列基板的制作方法，
其特征在于，所述形成一基层的步骤包括：
在玻璃基板上形成栅极；
在玻璃基板以及栅极上依次沉积第一绝缘层以及半导体层，
该半导体层设置有沟道区域、公共电极区域以及位于公共电极区
域与沟道区域之间的第三间隔区域；
在该半导体层上涂布第二光阻层，将该第二光阻层上与所述
第三间隔区域正对区域的光阻去除；
对所述半导体层进行刻蚀，以在半导体层的沟道区域形成所
述沟道半导体层，在该半导体层的公共电极区域形成待掺杂半导
体层；
去除待掺杂半导体层上的第二光阻层，并对该待掺杂半导体
层进行掺杂以形成公共电极层；
去除该沟道半导体层上的第二光阻层；
其中，所述第二绝缘层沉积于该沟道半导体层、公共电极层
以及第一绝缘层上。
3.根据权利要求2所述的FFS模式的阵列基板的制作方法，
其特征在于，所述沟道半导体层设置有两个分别与所述第一过孔
以及第二过孔对应的掺杂区域，所述去除该沟道半导体层上的第
二光阻层的步骤包括：
将所述沟道半导体层的两个掺杂区域上的第二光阻层去除，
并对该两个掺杂区域进行掺杂，以将该沟道半导体层位于该两个
掺杂区域的半导体转换为导体，然后去除所述沟道半导体层上剩
余的第二光阻层。
4.根据权利要求1所述的FFS模式的阵列基板的制作方法，

\t其特征在于，所述形成一基层的步骤包括：
在玻璃基板上依次沉积公共电极层以及第二金属层，第二金
属层设有栅极区域，公共...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛世民，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44