当前位置: 首页 > 专利查询>天津大学专利>正文

含硅相四元系氧化锆复相陶瓷材料制造技术

技术编号:1479656 阅读:163 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种含硅相四元系氧化锆复相陶瓷材料,其特征在于:在2~3mol%氧化钇稳定、并含0.5~5mol%氧化镁、4~15vol%氧化铝组成的Y↓[2]O↓[3]-ZrO↓[2]-MgO-Al↓[2]O↓[3]四元系氧化锆复相陶瓷基础上,以莫来石(3Al↓[2]O↓[3]·2SiO↓[2])的形式引入,复合0.4~1.0wt%的氧化硅组分,使材料在烧结过程形成Y-Si-Mg-Al低共熔液相,促进体系中质点扩散,可有效控制不均匀结构的形成。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种含硅相四元系氧化锆复相陶瓷材料。属于结构陶瓷。
技术介绍
氧化锆系陶瓷材料因具备优良的力学性能,已被广泛用于制备多种结构部件,如泵、阀、磨类设备的衬层及其它易损部位的替代材料。在2~3mol%氧化钇稳定氧化锆基础上,加入0.5~5mol%氧化镁、4~15vol%氧化铝,可形成Y2-O3-ZrO2-MgO-Al2O3四元系氧化锆复相陶瓷,四元系氧化锆体系不但比单一氧化钇稳定氧化锆体系力学性能进一步改进,而且还能通过粒径匹配,在更宽范围内实现造粒二次颗粒的尺寸和形貌的控制,从而使构件的成型性能改善,有效降低烧成收缩和烧成温度。四元系中组分的增加尽管同时改善了材料或构件的工艺和力学性能,但增加了材料烧制过程对温度的敏感性,烧成制度的不精确控制往往会形成不均匀的显微结构,导致材料力学性能的不稳定。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种含硅相四元系氧化锆复相陶瓷材料,该陶瓷材料烧结制度和材料力学性能稳定。本专利技术的技术方案在2~3mol%氧化钇稳定、并含0.5~5mol%氧化镁、4~15vol%氧化铝组成的Y2O3-ZrO2-MgO-Al2O3四元系氧化锆复相陶瓷基础上,以莫来石(3Al2O3·2SiO2)的形式引入,复合0.4~1.0wt%的氧化硅组分,使材料在烧结过程形成Y-Si-Mg-Al低共熔液相,促进体系中质点扩散,可有效控制不均匀结构的形成。本专利技术的优点在于,多组分低共熔液相的形成,可进一步降低材料的烧成温度,降低材料的烧成成本和利于细晶结构的形成,提高整体的性能成本比。实施例按配方称量氧化锆粉50公斤(含或外加氧化钇2.54公斤),氧化镁350克,氧化铝1.6公斤,莫来石0.8公斤加水36.5公斤、547克聚丙稀酸铵,经球磨混合、造粒、等静压成型后,在1470℃烧成2小时。制得复相陶瓷材料强度达600MPa,断裂韧性达14Mpam1/2。权利要求1.一种含硅相四元系氧化锆复相陶瓷材料,其特征在于在2~3mol%氧化钇稳定、并含0.5~5mol%氧化镁、4~15vol%氧化铝组成的Y2O3-ZrO2-MgO-Al2O3四元系氧化锆复相陶瓷基础上,以莫来石(3Al2O3·2SiO2)的形式引入,复合0.4~1.0wt%的氧化硅组分,使材料在烧结过程形成Y-Si-Mg-Al低共熔液相,促进体系中质点扩散,可有效控制不均匀结构的形成。全文摘要本专利技术公开了一种含硅相四元系氧化锆复相寿瓷材料,属于结构陶瓷制备技术。该复相陶瓷配方,在2~3mol%氧化钇稳定、并含0.5~5mol%氧化镁、4~15vol%氧化铝组分氧化锆四元系配方基础上,以莫来石(3Al文档编号C04B35/488GK1418848SQ0215853公开日2003年5月21日 申请日期2002年12月25日 优先权日2002年12月25日专利技术者袁启明, 杨正方, 刘家臣, 李金有, 葛志平, 李鸿祥 申请人:天津大学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:袁启明杨正方刘家臣李金有葛志平李鸿祥
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利