一种黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法技术

本发明专利技术属于植物组织培养领域，提供一种黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法，该方法通过将发生花打顶现象的再生植株移至恢复培养基进行恢复培养，并控制所述恢复培养的光照条件、温度条件、湿度条件，将所述发生花打顶的再生植株恢复为正常再生植株。所述恢复培养基为：以MS基本培养基为基础，添加赤霉素0.3-1.0mg/L。本发明专利技术通过恢复培养基，与光照条件、温度条件、湿度条件协同作用，可以使发生花打顶的小植株打破花打顶生理障碍，大大提供黄瓜大孢子培养的植株再生率；本发明专利技术操作简便易行，成本低廉，适合在黄瓜大孢子培养中广泛推广使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于植物组织培养领域，特别涉及一种在黄瓜大孢子培养过程中，克服胚状体分化成再生植株后发生花打顶的方法。
技术介绍
黄瓜大孢子培养通过诱导黄瓜大孢子出胚，可以快速产生纯合的育种新材料(纯系)，缩短了育种年限，提高育种效率，还可用作遗传转化的优良受体材料。通过黄瓜大孢子培养成功获得的胚状体，要转移到再生培养基中进行植株的再生，而在植株再生过程中由于培养基的成份和外界培养环境条件等因素，会导致很大比例的再生小植株发生花打顶的生理障碍(小植株在再生培养基上持续大量开花直至养分耗尽最后凋亡)，使得再生小植株不能成功的发育成健康的植株，花打顶现象严重影响黄瓜大孢子培养的植株再生率。因此，在黄瓜大孢子培养的科研和实践中，需要找到一种有效地克服再生植株发生花打顶生理障碍的培养方法。
技术实现思路
本专利技术提供一种黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法，该方法通过将发生花打顶的再生植株移至恢复培养基进行恢复培养，并控制所述恢复培养的光照条件、温度条件、湿度条件，将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法，其特征在于：该方法通过将发生花打顶现象的再生植株移至恢复培养基进行恢复培养，并控制所述恢复培养的光照条件、温度条件、湿度条件，将所述发生花打顶的再生植株恢复为正常再生植株。

【技术特征摘要】
1.一种黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法，其特征在于：该方
法通过将发生花打顶现象的再生植株移至恢复培养基进行恢复培养，并控制
所述恢复培养的光照条件、温度条件、湿度条件，将所述发生花打顶的再生
植株恢复为正常再生植株。
2.根据权利要求1所述黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法，其特
征在于：所述恢复培养基为，以MS基本培养基为基础，添加赤霉素
0.3-1.0mg/L，优选为0.5mg/L。
3.根据权利要求1或2所述黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法，
其特征在于：所述光照条件为：白天光照强为度6000LUX-12000LUX，优选
为9000LUX，光照时间12-18h，优...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘立功，李军，张峰，王晶，赵泓，于拴仓，崔瑾，杨红红，
申请(专利权)人：北京市农林科学院，
类型：发明
国别省市：北京;11