提供一种由含选自稀土元素中的至少一种稀土元素的氧化镁制成的保护层，其中至少一种稀土元素的含量为约５．０×１０↑［－５］－约６．０×１０↑［－４］／１重量份氧化镁，用于形成该保护层的复合物，形成该保护层的方法和含有该保护层的等离子体显示面板。该保护层可以降低放电延迟时间和放电延迟时间的温度依赖性，因此，适合于单扫描以及Ｘｅ含量的增加。
Protective layer, forming material and method thereof, and PDP containing the protective layer
To provide a protective layer made of at least one rare earth element containing rare-earth element in Magnesium Oxide, which at least one rare earth element content is about 5 x 10 =, - 5 - about 6 x 10 = - 4 / 1 the weight of a Magnesium Oxide, for the complex formation of the protective layer and a method of forming the protective layer and the protective layer containing plasma display panel. The protective layer can reduce the temperature dependence of the discharge delay time and the discharge delay time and is therefore suitable for single scanning and an increase in the Xe content.
【技术实现步骤摘要】
本实施方案涉及一种保护层，用于形成该保护层的复合物，形成该保护层的方法和含有该保护层的等离子体显示面板。更特别地，本实施方案涉及一种由含预定量稀土元素的氧化镁制成的，放电延迟时间短且温度依赖性小的保护层，用于形成该保护层的复合物，形成该保护层的方法和含有该保护层的等离子体显示面板。
技术介绍
等离子体显示面板(PDP)是可以容易制成大显示器，并具有良好显示质量和快速响应速度的自发射器件。特别是，由于PDP很薄，所以其与液晶显示器(LCD)一样，作为壁挂显示器已受到了很多关注。图1说明了PDP像素。参考图1，在前基板14的底面上形成维持电极，各电极含有透明电极15a和由金属制成的总线电极(bus electrode)15b。用介电层16覆盖该维持电极。用保护层17覆盖介电层16以防止由于介电层16直接暴露于放电空间下造成的放电和寿命特性下降。同时，在后基板10的上表面上形成寻址电极11，并用介电层12覆盖。前基板14与后基板10以预定的间隔彼此分离。前基板14与后基板10之间限定的空间充有预定压力，例如450Torr的发射紫外线(UV)的Ne+Xe混合气体或He+Ne+Xe混合气体。Xe气体用来发射真空紫外线(VUV)(Xe离子发射147nm的共振辐射，Xe2发射173nm的共振辐射)。通常，PDP的保护层起以下三个作用。首先保护层保护电极和介电层。即使当仅使用电极或仅使用电极和介电层时也可以发生放电。然而，当仅使用电极时，难以控制放电电流。另一方面，当仅使用电极和介电层时，会出现由溅射引起的对介电层的破坏。因此，必须用抗等离子体离子的保护层涂覆介电层。其次，保护层使放电激磁电压下降。放电激磁电压与由等离子体离子导致的构成保护层的材料的二次电子发射系数直接相关。随着从保护层中发射的二次电子的数量增加，放电激磁电压下降。关于这一点，优选的是使用二次电子发射系数高的材料形成保护层。最后，保护层降低放电延迟时间。放电延迟时间指的是描述这样一种现象的物理量，其中在施加电压后，在预定时间出现放电，其可以由两部分的和表示形成延迟时间(Tf)和统计延迟时间(Ts)。形成延迟时间是施加电压时与诱发放电电流时之间的时间，统计延迟时间是形成延迟时间的统计离差。对于单扫描(single scan)来说，放电延迟时间越少，寻址就可以进行得就越快。而且，较低的放电延迟时间可以降低扫描驱动成本，增加子场的数目并提高亮度和图像质量。已经研究了PDP用保护层必须满足的各种要求。例如，日本专利特许公开JP平10-167807公开了MgO复合陶瓷及其制备方法，在该陶瓷中，1-20wt％的Sc、Y或La微粒分散在MgO基质中。因为MgO具有良好的耐热性、耐腐蚀性和绝缘性能，所以开发了MgO复合陶瓷，但不能使用该MgO复合陶瓷作为结构材料，因为它的强度、断裂韧性和抗热震性差。也就是说，该专利公开提供其中微粒与MgO基质结合的MgO复合陶瓷及其制备方法，该陶瓷在机械特性如断裂韧性和抗热震性方面有提高。该专利公开的表1给出了其中描述的MgO烧结体的相对密度和弹性强度的评价结果。同时，日本专利特许公开JP平10-231168公开了一种Sc-MgO复合陶瓷烧结体，基于该烧结体1-20体积％的Sc颗粒分散于其中。根据该专利公开，该陶瓷烧结体具有高的强度和高的断裂韧性，并在高温下强度下降少。对上述保护层用烧结体的研究已经集中于烧结体或使用该烧结体形成的保护层机械性能的提高上。然而，因为PDP用保护层会显著影响PDP的放电特性，特别是放电延迟时间和放电延迟时间的温度依赖性，所以需要开发新的、考虑到放电特性的保护层。
技术实现思路
根据本实施方案的一个方面，提供一种由含有选自稀土元素中的至少一种稀土元素的氧化镁制成的保护层，其中至少一种稀土元素的含量为约5.0×10-5-约6.0×10-4重量份/1重量份氧化镁。当在本文中论述时，术语“稀土元素”指的是选自稀土元素中的一种稀土元素。根据本实施方案的另一个方面，提供一种由含铬和选自稀土元素中的至少一种稀土元素的氧化镁制成的保护层。根据本实施方案的又一个方面，提供一种用于形成保护层的复合物，该复合物含有源于选自氧化镁和镁盐中的至少一种含镁化合物的氧化镁组分；和源于选自稀土元素氧化物和稀土元素盐中的至少一种含稀土元素化合物的稀土元素组分。根据本实施方案的又一个方面，提供一种用于形成保护层的复合物，该复合物含有源于选自氧化镁和镁盐中的至少一种含镁化合物的氧化镁组分；源于选自稀土元素氧化物和稀土元素盐中的至少一种含稀土元素化合物的稀土元素组分和源于选自氧化铬和铬盐中的至少一种含铬化合物的铬组分。一方面，该复合物还含选自Mn、Na、K、Cr、Fe、Zn、B、Ni和Zr中的一种或多种元素。根据本实施方案的又一个方面，提供一种形成保护层的方法，该方法包括基本上均匀地混合选自氧化镁和镁盐中的至少一种含镁化合物和选自稀土元素氧化物和稀土元素盐中的至少一种含稀土元素化合物；煅烧生成的混合物；烧结煅烧的生成物，从而制备用于形成保护层的复合物；和使用该用于形成保护层的复合物形成保护层。根据本实施方案的又一个方面，提供一种形成保护层的方法，该方法包括基本上均匀地混合选自氧化镁和镁盐中的至少一种含镁化合物、选自稀土元素氧化物和稀土元素盐中的至少一种含稀土元素化合物和选自氧化铬和铬盐中的至少一种含铬化合物；煅烧生成的混合物；烧结煅烧的生成物，从而制备用于形成保护层的复合物；和使用该用于形成保护层的复合物形成保护层。根据本实施方案的再一个方面，提供一种含有上述保护层的PDP。根据本实施方案的保护层由含预定量稀土元素的氧化镁制成。因此，可以降低放电延迟时间和放电延迟时间的温度依赖性。而且，根据本实施方案的保护层也可以由含稀土元素和铬的氧化镁制成。用这种方法也可以降低放电延迟时间和放电延迟时间的温度依赖性，同时可以提高耐溅射性。因此，根据本实施方案的保护层具有良好的放电特性，并适合于单扫描以及Xe含量的增加。使用根据本实施方案的保护层可以生产可靠性提高的PDP。附图说明参考附图，通过详细描述其示范性的实施方案，本实施方案的上述及其它特点和优点将变得更明显，其中图1是说明PDP一个像素的例子的示意垂直剖面图，其中以90度的角度旋转上板和下板；图2是说明由单晶氧化镁制造的膜和由多晶氧化镁制造的膜放电延迟时间随温度变化的图；图3是说明描述通过气体离子从固体发射电子的俄歇中和理论示意图；图4说明了含有根据本实施方案的保护层的PDP；图5是说明含有根据本实施方案的保护层的放电单元的放电延迟时间随温度变化的图；图6是说明含有根据本实施方案的保护层的放电单元的二次电子发射系数和放电延迟时间变化的图；图7是说明含有由单晶氧化镁制成的保护层的42英寸SD级面板的放电延迟时间随温度变化的图；图8是说明含有根据本实施方案的保护层的42英寸标准定义(SD)级面板的放电延迟时间随温度变化的图；图9是说明根据本实施方案的保护层和常规保护层的耐溅射性的图，和图10是常规保护层的蚀刻部分的电子显微图像。具体实施例方式现在将参考其中说明示范性实施方案的附图更充分地描述本实施方案。本实施方案提供一种由含选自稀土元素中的至少一种稀土元素的氧化镁(MgO)制成的保护层，其本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种保护层，含有氧化镁和至少一种稀土元素，其中至少一种稀土元素的含量为约５．０×１０↑［－５］－约６．０×１０↑［－４］重量份／１重量份氧化镁。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李玟锡，崔钟书，金奭基，Y马图勒维奇，金哉赫，徐淳星，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。