化合物、包含其的有机光电二极管及显示设备制造技术

本发明专利技术涉及：由化学式1所表示的化合物、包含其的有机光电二极管以及包含所述有机光电二极管的显示设备。化学式1的描述与说明书中所定义的相同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术揭示了一种化合物、一种有机光电装置以及一种显示设备。
技术介绍
有机光电二极管(organicoptoelectronicdiode)是将电能转换成光能的装置，并且也是将光能转换成电能的装置。根据其驱动原理，有机光电装置可以分类如下。一种是光电装置，其中激子(exciton)由光能产生，分离成电子和空穴，并且电子和空穴转移到不同电极以产生电能；并且另一种是发光装置，其中将电压或电流供应到电极而从电能产生光能。有机光电装置的实例可以是有机光电装置、有机发光二极管、有机太阳能电池以及有机光导鼓(organicphotoconductordrum)。在这些当中，由于对平板显示装置(flatpaneldisplaydevice)的需求增加，最近尤其注意到了有机发光二极管(organiclightemittingdiode；OLED)。这种有机发光二极管通过将电流施加到有机发光材料而将电能转换成光。其具有有机层插入于阳极(anode)与阴极(cathode)之间的结构。在本文中，有机层可包含发射层且可选择性地包含辅助层，且所述辅助层可包含例如从空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层以及空穴阻挡层中选出的至少一者，以增加有机发光二极管的效率及稳定性。有机发光二极管的性能可能受有机层的特征的影响，并且尤其可能主要受有机层的有机材料的特征的影响。确切地说，需要开发能够增加空穴和电子迁移率并且同时增加电化学稳定性的有机材料，以使得有机发光二极管可以应用于大型平板显示器。
技术实现思路
【技术问题】一实施例提供一种能够实现具有高效率和长使用寿命的有机光电装置的化合物。另一实施例提供一种包含所述化合物的有机光电装置。再一实施例提供一种包含所述有机光电装置的显示设备。【技术解决方案】在本专利技术的一实施例中，提供由化学式1表示的化合物。[化学式1]在化学式1中，X1至X3独立地是N或CRb，X1至X3的至少一者是N，Ra和Rb各自独立地是氢、氘或经取代或未经取代的C1至C10烷基，以及A1是由化学式I或化学式II表示，其中，在化学式I和化学式II中，Z1至Z6各自独立地是N、C或CRc，R1、R2和Rc各自独立地是：氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C3至C40硅烷基、卤素、含卤素基团、氰基、羟基、胺基、硝基、羧基、二茂铁基或其组合，L是单键、C6至C30亚芳基或C2至C30杂环基，R3是氢、经取代或未经取代的C6至C30芳基或除了咔唑基以外经取代或未经取代的C2至C30含氮杂环基，当L是单键时，R1至R3的至少一者不是氢，以及*是连接点，其中“经取代”是指至少一个氢被氘、卤素、羟基、胺基、C1至C30烷基、C6至C30芳基或C2至C30杂芳基取代。根据本专利技术一实施例的化合物可用于有机光电装置。在本专利技术的另一实施例中，有机光电装置包含彼此面对的阳极与阴极以及阳极与阴极之间的至少一个有机层，其中所述有机层包含发射层以及至少一个辅助层，所述辅助层选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层以及空穴阻挡层，且所述辅助层包含所述化合物。在本专利技术的又一实施例中，提供了包含有机光电装置的显示设备。【专利技术效果】可以实现具有高效率和长使用寿命的有机光电装置。附图说明图1和图2是呈现根据本专利技术一实施例的有机发光二极管的截面图。具体实施方式在下文中，详细描述本专利技术的实施例。然而，这些实施例为示范性的，本专利技术并不以此为限，且本专利技术是由权利要求书的范围所定义。在本说明书中，当不另外提供定义时，术语“经取代”是指被氘、卤素、羟基、胺基、经取代或未经取代的C1到C30胺基、硝基、经取代或未经取代的C1到C40硅烷基、C1到C30烷基、C1到C10烷基硅烷基、C3到C30环烷基、C3到C30杂环烷基、C6到C30芳基、C6到C30杂芳基、C1到C20烷氧基、氟基、C1到C10三氟烷基(例如三氟甲基)或氰基取代，代替取代基或化合物的至少一个氢。在本说明书中，当不另外提供特定定义时，“杂”是指在一个官能团中包含1个到3个选自N、O、S、P以及Si的杂原子，并且其余是碳。在本说明书中，当不另外提供定义时，“烷(alkyl)基”是指脂肪族烃基。烷基可以是不具有任何双键或三键的“饱和烷(saturatedalkyl)基”。烷基可以是C1至C20烷基。具体言之，烷基可以是C1至C10烷基或是C1至C6烷基。举例而言，C1至C4烷基在烷链中可具有1至4个碳原子，其可选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、第二丁基及第三丁基。烷基的特定实例可以是甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、第三丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。在本说明书中，术语“芳(aryl)基”是指环的所有元素的p轨域形成共轭(conjugation)的取代基，并且可以是单环、多环或稠环多环(即，环共享相邻碳原子对)官能团。在本说明书中，术语“杂环基(heterocyclicgroup)”是指包含至少一个选自N、O、S、P以及Si的杂原子并且其余是碳的环状化合物，所述环状化合物例如是芳基、环烷基、其稠环或其组合。当杂环基是稠环时，所述杂环基的整个环或每个环可以包含一个或多个杂原子。因此，杂环基是包含杂芳基的一般术语。具体言之，经取代或未经取代的C6到C30芳基和/或经取代或未经取代的C2到C30杂环基可以是经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的萘基、经取代或未经取代的蒽基、经取代或未经取代的亚菲基、经取代或未经取代的稠四苯基、经取代或未经取代的芘基、经取代或未经取代的联苯基、经取代或未经取代的对联三苯基、经取代或未经取代的间联三苯基、经取代或未经取代的基、经取代或未经取代的联亚三苯基、经取代或未经取代的苝基、经取代或未经取代的茚基、经取代或未经取代的呋喃基、经取代或未经取代的苯硫基、经取代或未经取代的吡咯基、经取代或未经取代的吡唑基、经取代或未经取代的咪唑基、经取代或未经取代的三唑基、经取代或未经取代的恶唑基、经取代或未经取代的噻唑基、经取代或未经取代的恶二唑基、经取代或未经取代的噻二唑基、经取代或未经取代的吡啶基、经取代或未经取代的嘧啶基、经取代或未经取代的吡嗪基、经取代或未经取代的三嗪基、经取代或未经取代的苯并呋喃基、经取代或未经取代的苯并噻吩基、经取代或未经取代的苯并咪唑基、经取代或未经取代的吲哚基、经取代或未经取代的喹啉基、经取代或未经取代的异喹啉基、经取代或未经取代的喹唑啉基、经取代或未经取代的喹喔啉基、经取代或未经取代的萘啶基、经取代或未经取代的苯并恶嗪基、经取代或未经取代的苯并噻嗪基、经取代或未经取代的吖啶基、经取代或未经取代的啡嗪基、经取代或未经取代的啡噻嗪基、经取代或未经取代的啡恶嗪基、经取代或未经取代的芴基、经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的二苯并呋喃基、经取代或未经取代的苯并噻吩基、其组合或上述基团的组合稠环，但是并不限于此。在本说明书中，除了咔唑基以外经取代或未经取代的C2至C3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物，由以下化学式1表示：[化学式1]其中，在化学式1中，X1至X3独立地是N或CRb，X1至X3的至少一者是N，Ra和Rb各自独立地是氢、氘或经取代或未经取代的C1至C10烷基，以及A1是由化学式I或化学式II表示，其中，在化学式I和化学式II中，Z1至X6独立地是N、C或CRc，R1、R2和Rc各自独立地是氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C3至C40硅烷基、卤素、含卤素基团、氰基、羟基、胺基、硝基、羧基、二茂铁基或其组合，L是单键、C6至C30亚芳基或C2至C30杂环基，R3是氢、经取代或未经取代的C6至C30芳基或除了咔唑基以外经取代或未经取代的C2至C30含氮杂环基，当L是单键时，R1至R3的至少一者不是氢，以及*是连接点，其中所述经取代是指至少一个氢被氘、卤素、羟基、胺基、C1至C30烷基、C6至C30芳基或C2至C30杂芳基取代。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.12 KR 10-2014-01044581.一种化合物，由以下化学式1表示：[化学式1]其中，在化学式1中，X1至X3独立地是N或CRb，X1至X3的至少一者是N，Ra和Rb各自独立地是氢、氘或经取代或未经取代的C1至C10烷基，以及A1是由化学式I或化学式II表示，其中，在化学式I和化学式II中，Z1至X6独立地是N、C或CRc，R1、R2和Rc各自独立地是氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C3至C40硅烷基、卤素、含卤素基团、氰基、羟基、胺基、硝基、羧基、二茂铁基或其组合，L是单键、C6至C30亚芳基或C2至C30杂环基，R3是氢、经取代或未经取代的C6至C30芳基或除了咔唑基以外经取代或未经取代的C2至C30含氮杂环基，当L是单键时，R1至R3的至少一者不是氢，以及*是连接点，其中所述经取代是指至少一个氢被氘、卤素、羟基、胺基、C1至C30烷基、C6至C30芳基或C2至C30杂芳基取代。2.根据权利要求1所述的化合物，其中化学式1是由化学式I-a、化学式I-b、化学式I-c、化学式II-a、化学式II-b及化学式II-c中的一者表示：[化学式I-a][化学式I-b]其中，在化学式I-a、化学式I-b、化学式I-c、化学式II-a、化学式II-b及化学式II-c中，X1至X3独立地是N或CRb，X1至X3的至少一者是N，Ra和Rb各自独立地是氢、氘或经取代或未经取代的C1至C10烷基，Z1至X6独立地是N或CRc，R1、R2和Rc各自独立地是氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C3至C40硅烷基、卤素、含卤素基团、氰基、羟基、胺基、硝基、羧基、二茂铁基或其组合，L是单键、C6至C30亚芳基或C2至C30杂环基，R3是氢、经取代或未经取代的C6至C30芳基或除了咔唑基以外经取代或未经取代的C2至C30含氮杂环基，当L是单键时，R1至R3的至少一者不是氢，以及其中所述经取代是指至少一个氢被氘、卤素、羟基、胺基、C1至C30烷基、C6至C30芳基或C2至C30杂芳基取代。3.根据权利要求1所述的化合物，其中化学式1是由化学式I-d、化学式I-e、化学式I-f及化学式II-d中的一者表示：[化学式I-d][化学式I-e][化学式I-f][化学式II-d][化学式II-e]其中，在化学式I-d、化学式I-e、化学式I-f、化学式II-d及化学式II-e中，X1至X3独立地是N或CRb，X1至X3的至少一者是N，Ra和Rb各自独立地是氢、氘或经取代或未经取代的C1至C10烷基，R1、Rc1、Rc2及R2各自独立地是氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C3至C40硅烷基、卤素、含卤素基团、氰基、羟基、胺基、硝基、羧基、二茂铁基或其组合，L是单键、C6至C30亚芳基或C2至C30杂环基，R3是氢、经取代或未经取代的C6至C30芳基或除了咔唑基以外经取代或未经取代的C2至C30含氮杂环基，当L是单键时，R1至R3的至少一者不是氢，以及其中所述经取代是指至少一个氢被氘、卤素、羟基、胺基、C1至C30烷基、C6至C30芳基或C2至C30杂芳基取代。4.根据权利要求1所述的化合物，其中除了咔唑基以外经取代或未经取...

【专利技术属性】
技术研发人员：李胜载，金炳求，金荣权，闵修炫，徐宙希，柳银善，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR