一种SiC/BN层状复合陶瓷的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种以纸张作为原料通过原位反应无压烧结制备ＳｉＣ基层状复合陶瓷的方法。首先它是将纸制品剪裁成一定的尺寸规格，在酚醛树脂中浸泡取出、晾干叠层、静压后，再烘干等预成型工序，然后进行炭化、渗硅、排硅后制得ＳｉＣ基层状复合陶瓷。该方法无需热压烧结，可显著降低陶瓷产品制造成本、节省资源和保护环境，所制备的ＳｉＣ基层状复合陶瓷性能优良，可制造形状复杂的大型陶瓷构件，适于腐蚀、磨损、高温环境的使用。

Preparation method of SiC/BN layered composite ceramic

The invention discloses a method for preparing SiC base type composite ceramic by using paper as raw material and pressureless sintering in situ reaction. It is the first paper products will cut into a certain size, soaking in phenolic resin, dry lamination, static pressure, and then drying the pre forming process, then the carbonization and infiltration of silicon, silicon slice prepared SiC base laminated composite ceramic. This method does not require sintering, can significantly reduce manufacturing cost and save resources and protect the environment, ceramic products, made of SiC based layered composite ceramics prepared excellent performance, large ceramic components can be used for manufacturing complex shape, corrosion, wear and high temperature environment.

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ＳｉＣ／ＢＮ层状复合陶瓷的制备方法，其特征是，包括下述步骤：ａ．预成型：将纸制品剪裁成长方形，在酚醛树脂中浸泡１５～３０ｍｉｎ取出晾干，在每张浸有树脂的纸张表面刷涂ＢＮ悬浊液，然后晾干叠层，静压５～１０ｈ后得到成型试样，在１００ ～１１０℃下经６～１０ｈ烘干；ｂ．炭化：将预成型试样置于炭管炉内，在Ｎ↓［２］气保护下，以１℃／ｍｉｎ的升温速度加热至８００℃，保温１０～３０ｍｉｎ；ｃ．渗硅：在石墨坩埚中放入工业硅粒，将碳化后的试样平置于硅上，然后将坩埚放 入真空电阻炉中，抽真空并以６℃／ｍｉｎ升温速度加热到８００℃后停止抽真空，再通入Ｎ↓［２］气并以３℃／ｍｉｎ升温速度继续加热至１５４０～１５６０℃，保温３０～６０ｍｉｎ；ｄ．排硅：保温后再次抽真空，并升温至１６５０℃～１６８０℃，保 温１０～２０ｍｉｎ，冷却后即制得ＳｉＣ／ＢＮ层状复合陶瓷。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：乔冠军，刘银娟，杨刚宾，金志浩，王红洁，高积强，杨建锋，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]