用于电子器件的组合物制造技术

本发明专利技术涉及用于电子器件的包含有机功能材料混合物的组合物和制剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及一种组合物，以及涉及包含所述组合物的制剂和器件。例如在US4539507、US5151629、EP0676461和WO98/27136中描述了其中将有机半导体用作有机功能材料的有机电致发光器件(例如OLED-有机发光二极管或OLEC-有机发光电化学电池)的结构。除荧光发光体外，在此采用的发光材料越来越多地为显示磷光的有机金属络合物(M.A.Baldo等，Appl.Phys.Lett.(应用物理通讯)1999,75,4～6)。出于量子力学原因，使用有机金属化合物作为磷光发光体可以使能量和功率效率增加至高达四倍。一般来讲，在显示单重态发光的OLED的情况下以及在显示三重态发光的OLED的情况下，特别是关于效率、工作电压和寿命仍需要改进。有机电致发光器件的性质并非仅由采用的发光体所决定。特别地，所使用的其它材料，例如主体材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、空穴传输材料和电子或激子阻挡材料，在此也是特别重要的。这些材料的改进可导致电致发光器件的显著改进。用于有机电子器件的主体材料是本领域技术人员所公知。术语基质材料也常在现有技术中用于指磷光掺杂剂的主体材料。同时，已经为荧光和磷光电子器件两者开发了多种主体材料。对于荧光OLED，根据现有技术，特别地使用稠合芳族化合物，特别是蒽衍生物作为主体材料，特别是对于蓝色发光电致发光器件，使用例如9,10-双(2-萘基)蒽(US5935721)。WO03/095445和CN1362464公开了用于OLED中的9,10-双(1-萘基)蒽衍生物。在WO01/076323中，在WO01/021729中，在WO2004/013073中，在WO2004/018588中，在WO2003/087023中或在WO2004/018587中公开了另外的蒽衍生物。在WO2004/016575中公开了基于芳基-取代的芘和的主体材料。在WO2008/145239中公开了基于苯并蒽衍生物的主体材料。对于高品质应用，希望可得到改进的主体材料。根据现有技术，尤其使用酮(例如，根据WO2004/093207或WO2010/006680)或氧化膦(例如，根据WO2005/003253)作为磷光发光体的主体材料。根据现有技术的另外的主体材料为三嗪(例如WO2008/056746、EP0906947、EP0908787、EP0906948)。WO2012/074210公开了芴和螺二芴作为主体材料的用途。现有技术例如在WO2005/039246、US2005/0069729、JP2004/288381、EP1205527或WO2008/086851中公开了含有一个或多个咔唑基团的化合物在电子器件中的用途。现有技术此外还例如在WO2010/136109和WO2011/000455中公开了含有一个或多个茚并咔唑基团的化合物在电子器件中的用途。WO2007/063754公开了吲哚并咔唑作为主体材料的用途。现有技术还例如在WO2010/015306、WO2007/063754和WO2008/056746中公开了含有一个或多个缺电子杂芳族六元环的化合物在电子器件中的用途。WO2009/069442公开了三环化合物，例如咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩，其被缺电子杂芳族基团(例如，吡啶、嘧啶或三嗪)高度取代。这些三环化合物未被空穴传导基团，即富电子基团取代。JP2009-21336公开了在2-位被咔唑取代和在8-位被三嗪取代的取代二苯并呋喃。WO2011/057706公开了作为主体材料的二苯并噻吩和二苯并呋喃，其中一些被取代，其中所述化合物被电子传导基团和被空穴传导基团以特定方式取代。改进电子器件特别是电致发光器件的性能数据的另一种可能性在于使用材料的组合。US6,392,250B1公开了由电子传输材料、空穴传输材料和荧光发光体组成的混合物在OLED的发光层中的用途。借助于该化合物，与现有技术相比，可以改进OLED的寿命。US6,803,720B1公开了包含磷光发光体和空穴传输材料及电子传输材料的混合物在OLED的发光层中的用途。空穴传输材料和电子传输材料两者都是小的有机分子。此外，US7,294,849B2公开了包含主体材料、空穴传输材料或电子传输材料及磷光发光体的混合物在OLED的发光层中的用途。如果在该混合物中使用空穴传输材料，则主体材料的HOMO(最高占据分子轨道)能量必须低于空穴传输材料的HOMO能量。此外，于是主体材料的LUMO(最低未占分子轨道)能量必须高于磷光发光体的LUMO能量。如果在该混合物中使用电子传输材料，则主体材料的HOMO(最高占据分子轨道)能量必须低于磷光发光体的HOMO能量。此外，于是主体材料的LUMO(最低未占分子轨道)能量必须高于电子传输材料的LUMO能量。主体材料是以至少3.5eV的带隙为特征的宽带隙材料，其中带隙用以指在材料的HOMO能量与LUMO能量之间的间隔。然而，如在其它材料的情况下一样，在使用这些材料时或者使用所述材料的混合物时，特别是关于有机电子器件的效率和寿命方面仍需要改进。因此，本专利技术的目的在于提供适合用于荧光或磷光OLED中且当用于OLED中时产生良好器件性质的组合物，以及提供相应的电子器件。令人惊讶地，发现在下文更详细描述的某些组合物实现这些目的并克服了来自现有技术的缺点。所述组合物产生有机电子器件、特别是有机电致发光器件的特别是关于寿命、效率和工作电压的非常好的性质。因此，本专利技术涉及包含该类型组合物的电子器件，特别是有机电致发光器件，以及涉及相应的优选实施方式。这些令人惊讶的效果通过已知材料的非常特定的选择来实现。本专利技术涉及包含双极性主体、中性共主体和发光掺杂剂的组合物。双极性主体以及中性共主体都是有机化合物，而发光掺杂剂可为有机化合物、有机金属化合物或无机化合物。各个化合物对于本领域技术人员是从现有技术众所周知的，因此他将能够从他可到的许多化合物中做出选择。根据本专利技术的组合物适合以特别有利的方式用于有机电子器件中。包含这些组合物的有机电致发光器件具有很好的效率、工作电压和显著增加的寿命。基于整个组合物，在所述组合物中发光掺杂剂的浓度优选在0.1重量％～50重量％范围内，非常优选在1重量％～30重量％范围内，非常特别优选在5重量％～20重量％范围内。基于整个组合物，在所述组合物中中性共主体的浓度优选在5重量％～70重量％范围内，非常优选在20重量％～60重量％范围内，非常特别优选在30重量％～60重量％范围内。基于整个组合物，在所述组合物中双极性主体的浓度优选在5重量％～70重量％范围内，非常优选在10重量％～60重量％范围内，非常特别优选在20重量％～50重量％范围内。出于本专利技术的目的，优选所述组合物的掺杂剂为磷光发光体。术语磷光掺杂剂或发光体通常涵盖如下化合物，其中通过自旋禁阻跃迁，例如通过从三重态或具有甚至更高自旋量子数的状态如五重态跃迁而发生发光。这优选是指从三重态的跃迁。合适的磷光掺杂剂或发光体特别是如下的化合物，其在合适激发时发光，优选在可见光区发光，并且还含有至少一个原子序数大于20、优选大于38且小于84、特别优选大于56且小于80的原子。所用的磷光掺杂剂优选为含有铜、钼、钨、本文档来自技高网...

【技术保护点】
组合物，其包含双极性主体、中性共主体和发光掺杂剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.18 DE 102014008722.01.组合物，其包含双极性主体、中性共主体和发光掺杂剂。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：安娜·阿耶，弗洛里安·迈尔弗莱格，托比亚斯·格罗斯曼，多米尼克·约斯滕，霍尔格·海尔，托马斯·埃伯利，雷米·马努克·安米安，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE