超临界二氧化碳的回收制造技术

技术编号:1466410 阅读:196 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
从二氧化碳提纯装置向一或多种应用供应二氧化碳流体物料的方法和系统。所述物料在应用中与杂质混合形成流出物,并将至少一种流出物返回所述提纯装置来回收二氧化碳。来自二氧化碳源的二氧化碳与系统中的二氧化碳混合,这样来自二氧化碳源的二氧化碳的纯度在应用前得到提高。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

Recovery of supercritical carbon dioxide

Method and system for supplying carbon dioxide fluid material from one carbon dioxide purification device to one or more applications. The material is mixed with impurities in the application to form an effluent, and at least one effluent is returned to the purification device to recover carbon dioxide. Carbon dioxide from the carbon dioxide source is mixed with carbon dioxide in the system, so that the purity of carbon dioxide from the carbon dioxide source is increased before application.

【技术实现步骤摘要】
相关申请本申请要求2001年10月17日提交的美国临时申请NO.60/330,150的优先权,其全部内容在此引入作为参考。本申请还要求2001年10月17日提交的美国临时申请NO.60/330,203和2002年1月22日提交的美国临时申请NO.60/350,688和2002年2月19日提交的60/358,065的优先权,所有这些申请的全部内容在此引入作为参考。
技术介绍
集成电路的制造通常涉及大量在晶片上进行的不连续的步骤。典型的步骤包括薄膜的沉积或生长,采用光刻法在晶片上制作布线图案和蚀刻。这些步骤进行多次以构建所需电路。其它的工艺步骤可以包括离子注入,化学或机械平面化和渗滤。为实施这些步骤或从这些步骤中除去废物,使用了多种有机和无机化学物质。设计了水基清洁体系以削减一些对有机溶剂的需要,但是它们产生了大量的废物,必须在排放或回收前对其进行处理。对大量水的需求经常是选择半导体制造设施地点的主要因素。此外,水的高表面张力降低了其在需要清洁精细结构的应用中的效用,而且在工艺中必须要有干燥步骤以除去所有痕量的水分。近年来,对超临界二氧化碳作为现在使用的一些有机溶剂和水基化学品的潜在替代品进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种向一种或多种应用供应二氧化碳的方法,其包含的步骤有:a、将包含二氧化碳组分的流体物料从第一二氧化碳提纯装置送往一种或多种应用,由此,在所述应用中一种或多种杂质与所述流体混合,这样在每个所述的应用中形成一种流出物,其中每种所述流出 物包含至少一部分二氧化碳组分和至少一部分所述杂质;b、将至少一部分所述流出物送往所述第一提纯装置;c、在第一提纯装置中提纯所述流出物中的二氧化碳组分,由此,通过以下步骤生成所述流体物料:i)通过采用催化氧化、蒸馏和吸 收装置中的至少一种除去至少一部分蒸气压与二氧化碳不同的组分;和ii)将除去部分的组分送往...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:HE霍瓦德JF比林哈姆
申请(专利权)人:普莱克斯技术有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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