一种玻璃电熔炉用的二氧化锡电极的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种玻璃电熔炉用的二氧化锡电极的制备方法，以四氯化锡（ＳｎＣｌ↓［４］）和金属氯化物为原料，采用化学共沉淀法制得前躯体，低温烧结，得到均匀掺杂１％～３％金属的二氧化锡超细粉体；然后初压成型，干燥，并在１３００～１４００℃下烧结３～８小时，即得到密度＞６．５ｇ／ｃｍ↑［３］的高致密二氧化锡电极。本发明专利技术所制得的电极提高了玻璃电极的电学性能和理化性能，延长了使用寿命，方法操作简单，适合工业化生产。

Method for preparing two tin oxide electrode for glass electric smelting furnace

The invention relates to a preparation method of a glass electric melting furnace with two tin oxide electrode, four tin chloride (SnCl: 4) and metal chloride as raw material by coprecipitation precursor, low sintering temperature, 1% ~ two are uniformly doped tin oxide superfine powder and 3% metal; at the beginning of molding, drying and sintering at 1300 ~ 1400 DEG C for 3 to 8 hours, to obtain the high density, the density of the two tin oxide electrode 6.5g / cm = 3. The electrode made by the invention improves the electrical and physical and chemical properties of the glass electrode and prolongs the service life. The method is simple in operation and suitable for industrial production.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属化学电极的制备领域，特别是涉及一种玻璃电熔用的二氧化锡电极的制备 方法。
技术介绍
二氧化锡陶瓷由于不容易被含铅玻璃、含铁、铜、锑等玻璃的侵蚀，而在玻璃电熔 窑炉中广泛应用。目前我国二氧化锡电极主要采用工业用二氧化锡粉体，掺杂含量1 3%的氧化锰、氧化锑、氧化铜等氧化物后，1400 148(TC烧结，制备出相对致密的二 氧化锡电极。该电极制备过程中采用机械混合，因而电极成份相对不均，同时，采用湿 法混合，由于氧化锌的亲水性，在制备过程中不能掺入氧化锌，因而电极的导电性能差， 与国外进口电极的使用寿命有很大差距。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种玻璃电熔炉用二氧化锡电极的制备方法，以解 决现有技术中传统用工业二氧化锡原料来制备，电极导电性能差，与国外进口电极使用 寿命有很大差距等缺点。本专利技术的，包括以下步骤(1) 以四氯化锡(SnCl4)和金属氯化物为原料，采用化学共沉淀法制得前躯体，550 'C-65(TC下煅烧l-2h，得到均匀掺杂1% 3%金属氧化物的二氧化锡超细粉体；(2) 通过等静压200Mpa成型，并在1300 1400'C下烧结3 8小时，即得到密度 〉6.5g/cm3的高致密二氧化锡电极(陶瓷)。所述步骤(l)中的金属氯化物为三氯化锑(SbCl3)、氯化铜(CuCl2)、氯化锌(ZnCl2) 或四氯化铈(CeCl4)中的一种或多种。 有益效果本专利技术所合成的一种玻璃电熔炉用的二氧化锡电极，大大提高了玻璃电极的电学性 能和理化性能，而且电极的致密度和电极的使用寿命也大有提高，方法操作简单，适合 工业化生产。 附图说明图1未烧结电极断面的SEM图2烧结后电极断面的SEM图3烧结后电极的表面SEM图4电极的断面SEM 图5电极的断面EDS 图6电极的透射电镜照片(X 100000) 具体实施例方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步的阐述，应理解，这些实施例仅用于说明本 专利技术而不用于限制本专利技术的范围。此外应理解，在阅读了本专利技术讲授的内容之后，本领 域技术人员可以对本专利技术作各种改动或修改，这些等价同样落于本申请所附权利要求书 所限定的范围。实施例1以分析纯三氯化锑(SbCl3)和四氯化锡(SnCl4)为原料，按SbA与Sn02质量比为 l:99称量并溶解，加去离子水至一定体积，磁力搅拌下，向混合溶液中缓慢滴加一定 浓度的氨水，进行共沉淀反应，用去离子水洗涤沉淀，直至用0. lmol/L的AgN03检验无 Cl—存在，再用无水乙醇洗涤3次，得到前驱体，烘干，研磨，在650'C下煅烧2h，即 得到Sb203掺杂的超细Sn02粉体；将制得的Sb203掺杂的超细Sn02粉体初压成型，干燥， 1350'C烧结即得到本专利技术的玻璃电熔炉用的二氧化锡电极。实施例2以分析纯三氯化锑(SbCl3)和四氯化锡(SnCl4)为原料，按Sb203与Sn02质量比为 1.5:98.5称量并溶解，加去离子水至一定体积，磁力搅拌下，向混合溶液中缓慢滴加 一定浓度的氨水，进行共沉淀反应，用去离子水洗涤沉淀，直至用0. lmol/L的AgN03 检验无Cl—存在，再用无水乙醇洗涤3次，得到前驱体，烘干，研磨，在56(TC下煅烧 2h，即得到Sb203掺杂的超细Sn02粉体；将制得的SW)3掺杂的超细Sn02粉体初压成型， 干燥，在140(TC烧结得到本专利技术的玻璃电熔炉用的二氧化锡电极。实施例3以分析纯氯化铜(CuCl2)和四氯化锡(SnCh)为原料，按CuO与Sn02质量比为1:99 称量并溶解，加去离子水至一定体积，磁力搅拌下，向混合溶液中缓慢滴加一定浓度的 氨水，进行共沉淀反应，用去离子水洗涤沉淀，直至用O. lmol/L的AgN03检验无Cl—存 在，再用无水乙醇洗涤3次，得到前驱体，烘干，研磨，在58(TC下煅烧2h，即得到 CuO掺杂的超细SrA粉体；将制得的CuO掺杂的超细Sn02粉体初压成型，干燥，在1300 C烧结，即得到本专利技术的玻璃电熔炉用的二氧化锡电极。实施例4 以分析纯三氯化锑(SbCl3)、氯化铜(CuCl2)、氯化锌(ZnCl2)和四氯化锡(SnCl4) 为原料，按SbA、 Cu0、 ZnO和Sn02质量比为1:0. 5:0. 5:98称量并溶解，加去离子水至 一定体积，磁力搅拌下，向混合溶液中缓慢滴加一定浓度的氨水，进行共沉淀反应，用 去离子水洗涤沉淀，直至用0. lmol/L的AgN03检验无Cl—存在，再用无水乙醇洗涤3次， 得到前驱体，烘干，研磨，在550。C下煅烧2h，即得到SbA、 CuO、 ZnO掺杂的超细Sn02 粉体；将制得的Sb203、 CuO、 ZnO掺杂的超细Sn02粉体初压成型，干燥，在130(TC烧结 即得到本专利技术的玻璃电熔炉用的二氧化锡电极。实施例5以分析纯三氯化锑(SbCl3)、氯化铜(CuCl2)、四氯化铈(CeCl4)和四氯化锡(SnCl4) 为原料，按SbA、 CuO、 Ce02和Sn02质量比为1:0. 5:0. 5:98称量并溶解，加去离子水 至一定体积，磁力搅拌下，向混合溶液中缓慢滴加一定浓度的氨水，进行共沉淀反应， 用去离子水洗涤沉淀，直至用0. lmol/L的AgN03检验无Cl—存在，再用无水乙醇洗涤3 次，得到前驱体，烘干，研磨，在550'C下煅烧2h，即得到SbA、 CuO、 Ce02掺杂的超 细Sn02粉体；将制得的Sb203、 CuO、 Ce02掺杂的超细Sn02粉体初压成型，干燥，在1300 'C烧结，即得到本专利技术的玻璃电熔炉用的二氧化锡电极。权利要求1.一种玻璃电熔炉用的二氧化锡电极及其制备方法，包括以下步骤(1)以四氯化锡SnCl4和金属氯化物为原料，采用化学共沉淀法制得前躯体，550℃-650℃下煅烧1-2h，得到均匀掺杂1％～3％金属氧化物的二氧化锡超细粉体；(2)通过等静压200Mpa成型，在1250～1400℃下烧结3～8小时，即得到密度＞6.5g/cm3的高致密二氧化锡电极。2. 根据权利要求l所述的一种玻璃电熔炉用的二氧化锡电极及其制备方法，其特征在 于，所述步骤(1)中的金属氯化物为三氯化锑SbCl3、氯化铜CuCl2、氯化锌ZnCl2或四 氯化铈CeCl4中的一种或多种。全文摘要本专利技术涉及，以四氯化锡(SnCl₄)和金属氯化物为原料，采用化学共沉淀法制得前躯体，低温烧结，得到均匀掺杂1％～3％金属的二氧化锡超细粉体；然后初压成型，干燥，并在1300～1400℃下烧结3～8小时，即得到密度＞6.5g/cm³的高致密二氧化锡电极。本专利技术所制得的电极提高了玻璃电极的电学性能和理化性能，延长了使用寿命，方法操作简单，适合工业化生产。文档编号C03B5/00GK101182096SQ200710048050公开日2008年5月21日 申请日期2007年11月9日 优先权日2007年11月9日专利技术者洁 刘, 伟 宁, 汪庆卫, 罗理达 申请人:东华大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种玻璃电熔炉用的二氧化锡电极及其制备方法，包括以下步骤：　　　　（１）以四氯化锡ＳｎＣｌ↓［４］和金属氯化物为原料，采用化学共沉淀法制得前躯体，５５０℃－６５０℃下煅烧１－２ｈ，得到均匀掺杂１％～３％金属氧化物的二氧化锡超细粉体；　　　　（２）通过等静压２００Ｍｐａ成型，在１２５０～１４００℃下烧结３～８小时，即得到密度＞６．５ｇ／ｃｍ↑［３］的高致密二氧化锡电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪庆卫，宁伟，罗理达，刘洁，
申请(专利权)人：东华大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]