一种快速检测NAND Flash内存的方法技术

本发明专利技术提供一种快速检测NAND Flash内存的方法，所述方法包括步骤：擦除NAND Flash内存的一个存储单元块；在所述存储单元块的一存储单元页中写入测试数据；读取写入的所述测试数据；根据所述存储单元页中原始写入的测试数据和读取的测试数据判断数据线是否正常；若不正常，判定NAND Flash内存异常；否则，判定NAND Flash内存正常。本发明专利技术提出的快速检测NAND Flash内存的方法，避免了传统测试NAND Flash内存时，遍历整个NAND Flash内存存储空间进行检测，可以有效的减少测试时间，提高测试效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子
，尤其涉及一种快速检测NANDFlash内存的方法。
技术介绍
NANDFlash内存是现在市场上主要的非易失闪存技术之一。Inter公司在1988年首先开发出NORFlash技术，彻底改变了原先有EPROM和EEPROM一统天下的局面。1989年东芝公司发表了NANDFlash内存结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NANDFlash内存的结构能提高极高的单元密度，可以达到高存储密度，可以做到Gbit级别，并且写入和擦除的速度也很快，同时也具有成本上的优势。在转产过程中进行测试时，如果遍历整个NANDFlash内存存储空间进行检测，则需要花费大量时间。另外，在检测时，NANDFlash内存器件的写入操作只能在空的或已经擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。传统的NANDFlash内存检测的方法是擦除NANDFlash内存全部空间内容，花费了大量的时间。因此，提供一种能够快速检测NANDFlash内存的方法，成为目前亟待解决的问题。
技术实现思路
鉴于上述问题，本申请记载了一种快速检测NANDFlash内存的方法，所述方法包括步骤：擦除NANDFlash内存的一个存储单元块；在所述存储单元块的一存储单元页中写入测试数据；读取写入的所述测试数据；根据所述存储单元页中原始写入的测试数据和读取的测试数据判断数据线是否正常；若不正常，判定NANDFlash内存异常；否则，判定NANDFlash内存正常。较佳的，在所述存储单元页的基地址0偏移处写入所述测试数据。较佳的，读取写入的所述测试数据时，依次读取从所述基地址处开始的地址空间。较佳的，根据所述存储单元块中原始写入的测试数据和读取的测试数据判断所述数据线是否正常的过程包括步骤：将原始写入的测试数据和读取的测试数据进行异或，判断结果是否为0；若结果为0，判定所述数据线正常；否则，判定所述数据线异常。较佳的，当所述数据线正常时，判定地址线及相应的控制信号线正常。较佳的，写入的所述测试数据为交替的0xaa和0x55。上述技术方案具有如下优点或有益效果：本专利技术提出的快速检测NANDFlash内存的方法，避免了传统测试NANDFlash内存时，遍历整个NANDFlash内存存储空间进行检测，可以有效的减少测试时间，提高测试效率。附图说明参考所附附图，以更加充分的描述本专利技术的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本专利技术范围的限制。图1为本专利技术一种快速检测NANDFlash内存的方法的流程示意图一；图2为本专利技术一种快速检测NANDFlash内存的方法的流程示意图二。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术一种快速检测NANDFlash内存的方法进行详细说明。如图1所示，一种快速检测NANDFlash内存的方法，包括步骤：擦除NANDFlash内存的一个存储单元块，并在该存储单元块的存储单元页中写入测试数据；读回写入的所述测试数据；根据原始写入的测试数据和读回的测试数据判断数据线或地址线是否正常；若不正常，判定NANDFlash内存异常；否则，判定NANDFlash内存正常。对于NANDFlash内存，其存储空间由若干存储单元块组成，每一个存储单元块又由若干存储单元页构成。在实际应用中，存储单元块是最小的擦除单元，但是存储单元页是最小的写入单元。以三星公司的一款型号为K9F4G08U0D-SCB0的NANDFlash内存为例，该NANDFlash内存的容量为4Gbit，一片K9F4G08U0D-SCB0由4096个存储单元块组成，一个块包括64个存储单元页，每个存储单元页包括(2K+64)Byte。在对内存进行检测时，任何NANDFlash内存的写入操作之前，都必须先进行擦除操作。由于存储单元块是最小的擦除单元，因此在本实施例中，首先擦除内存的任意一个存储单元块，然后再向该存储单元块的某存储单元页中写入测试数据。最后，读回该测试数据。在测试数据线或地址线是否正常时，需要对比原始写入的测试数据和读回的测试数据。若两者相同，则证明数据线正常，同时可以说明地址线以及相关的控制信号线也是正常的。其中，如图2所示，在所述存储单元页的基地址0偏移处写入所述测试数据，且读取写入的所述测试数据时，依次读取从所述基地址处开始的地址空间。根据所述存储单元块中原始写入的测试数据和读取的测试数据判断所述数据线是否正常的过程包括步骤：将原始写入的测试数据和读取的测试数据进行异或，判断结果是否为0；若结果为0，判定所述数据线正常；否则，判定所述数据线异常。具体来说，写入的测试数据的构造可以如下所示：Test_Data＝{0xaa，0x55，0xaa，0x55，0xaa，0x55，0xaa，0x55本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快速检测NAND Flash内存的方法，其特征在于，所述方法包括步骤：擦除NAND Flash内存的一个存储单元块；在所述存储单元块的一存储单元页中写入测试数据；读取写入的所述测试数据；根据所述存储单元页中原始写入的测试数据和读取的测试数据判断数据线是否正常；若不正常，判定NAND Flash内存异常；否则，判定NAND Flash内存正常。

【技术特征摘要】
1.一种快速检测NANDFlash内存的方法，其特征在于，所述
方法包括步骤：
擦除NANDFlash内存的一个存储单元块；
在所述存储单元块的一存储单元页中写入测试数据；
读取写入的所述测试数据；
根据所述存储单元页中原始写入的测试数据和读取的测试数据
判断数据线是否正常；
若不正常，判定NANDFlash内存异常；否则，判定NANDFlash
内存正常。
2.根据权利要求1所述的快速检测NANDFlash内存的方法，
其特征在于，在所述存储单元页的基地址0偏移处写入所述测试数
据。
3.根据权利要求2所述的快速检测NANDFlash内存的方法，
其特征在于，读取写入的所述测试数据时，依次读取从...

【专利技术属性】
技术研发人员：王振，
申请(专利权)人：上海斐讯数据通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31