半导体封装件及其制造方法技术

一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括第一芯片、中介层基板、第二芯片、封装体及信号线。第一芯片具有相对的主动面与非主动面。中介层基板具有相对的第一面与第二面及信号导电孔，且以第二面设于第一芯片的主动面上。第二芯片设于且电性连接于中介层基板的第一面。封装体包覆第一芯片及第二芯片且具有外侧面，中介层基板的信号导电孔从封装体的外侧面露出。信号线设于封装体的外侧面，并电性连接露出的信号导电孔与第一芯片的主动面。

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Semiconductor package and manufacturing method thereof. The semiconductor package includes a first chip, an intermediate layer substrate, a second chip, a package and a signal line. The first chip has a relative active surface and a non active surface. The medium layer substrate is provided with a first surface and a second surface and a signal conducting hole, and is arranged on the active surface of the first chip on second sides. The second chip is arranged on the first surface of the dielectric substrate. The packaging body is coated with the first chip and the two chip and is provided with an outer side surface. The signal line is arranged on the outer side surface of the package body and is electrically connected with the exposed signal conducting hole and the active surface of the first chip.

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请人于2012年7月9日提交的、申请号为“201210235167.7”的、专利技术名称为“半导体封装件及其制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种侧面具有信号线的半导体封装件及其制造方法。
技术介绍
传统的半导体封装件包括硅基板、数个芯片及焊球，其中芯片及焊球分别设于硅基板的相对二面，硅基板具有硅穿孔(TSV)，以电性连接芯片与焊球。然而，硅穿孔的良率低，衍生失效半导体封装件的报费成本，且，未被检出的不良的硅穿孔可能导致出货的半导体封装件的寿命减短。
技术实现思路
本专利技术有关于一种半导体封装件及其制造方法，一实施例中，可提升半导体封装件的良率，同时减少半导体封装件的尺寸。根据本专利技术，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一第一芯片、一中介层基板、一第二芯片、一封装体及一信号线。第一芯片具有相对的一主动面与一非主动面。中介层基板具有相对的一第一面与一第二面及一信号导电孔，且以第二面设于第一芯片的该主动面上。第二芯片设于中介层基板的第一面且电性连接于信号导电孔。封装体包覆第一芯片及第二芯片且具有一外侧面，中介层基板的信号导电孔从封装体的外侧面露出。信号线设于封装体的外侧面，并电性连接露出的信号导电孔与第一芯片的主动面。根据本专利技术，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。设置一第一芯片于一基板上，其中第一芯片具有相对的一主动面与一非主动面；设置一中介层基板于第一芯片上，其中中介层基板具有相对的一第一面与一第二面及一信号导电孔，且以第二面设于第一芯片的非主动面上。设置一第二芯片于中介层基板的第一面上，其中第二芯片电性连接于信号导电孔；形成一封装体包覆第一芯片、第二芯片及中介层基板；形成一第一切割道经过封装体，使封装体形成一外侧面，中介层基板的信号导电孔从封装体的外侧面露出；以及，形成一信号线于封装体的外侧面，使信号线电性连接露出的信号导电孔与第一芯片的主动面。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：附图说明图1A绘示依照本专利技术一实施例的半导体封装件的剖视图。图1B绘示图1A的侧视图。图1C(未绘示电性接点及焊球)绘示图1A的仰视图。图2绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图3绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图4绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图5绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图6A至6I绘示图1的半导体封装件的制造过程图。图7绘示本专利技术实施例的半导体封装件的第一屏蔽层及信号线的另一种制造过程图。图8绘示图2的半导体封装件的制造过程图。图9A至9G绘示图3的半导体封装件的制造过程图。图10绘示图4的半导体封装件的制造过程图。图11A至11C绘示图5的半导体封装件的制造过程图。主要元件符号说明：100、200、300、400、500：半导体封装件110：第一芯片110a：主动面110ua：非主动面120：中介层基板120u、390u：第一面120b、390b：第二面121、391：信号导电孔122、393：接地导电孔120s、140s、390s：外侧面123：信号走线124：接地走线125：第二屏蔽层130：第二芯片131、160、395：电性接点140：封装体140s1：第一子外侧面140s2：第二子外侧面140u：上表面150：第一屏蔽层150’：导电材料151：胶带165：焊球170：信号线190、390：基板280：焊线391：导电孔392：图案化导电层397：载板P1：第一切割道P21、P22：第二切割道具体实施方式请参照图1A，其绘示依照本专利技术一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件100包括第一芯片110、中介层基板120、第二芯片130、封装体140、第一屏蔽层150、至少一电性接点160及至少一信号线170。第一芯片110例如是覆晶(flipchip)，其具有相对的主动面110a与非主动面110ua。其中，主动面110a例如是下表面，而非主动面110ua例如是上表面，然不限于此。中介层基板120具有相对的第一面120u与第二面120b，且以第二面120b设于第一芯片110的非主动面110ua上，并包括至少一信号导电孔121及至少一接地导电孔122，其中信号导电孔121及接地导电孔122从中介层基板120的外侧面120s(图1C)露出，以与信号线170电性连接。相较于传统的硅穿孔(ThroughSiliconVia，TSV)，本实施例形成信号线170于半导体封装件100的侧面，以电性连接第一芯片110与第二芯片130，达成良率较高且电性品质较佳的目的。中介层基板120的信号导电孔121及/或接地导电孔122延伸于第一面120u与第二面120b之间，本例中，信号导电孔121及/或接地导电孔122从中介层基板120的第一面120u延伸至第二面120b，即贯穿中介层基板120。中介层基板120更包括至少一信号走线123及至少一接地走线124，其形成于中介层基板120的第一面120u上。信号走线123连接于信号导电孔121，以电性连接于信号导电孔121，而接地走线124连接于接地导电孔122，以电性连接于接地导电孔122。另一例中，信号走线123及接地走线124亦可由接垫(pad)取代。中介层基板120包括第二屏蔽层125，其电性连接于接地导电孔122，其中，中介层基板120以第二屏蔽层125设于第一芯片110的非主动面110ua上，而第二屏蔽层125可避免或减少第一芯片110与第二芯片130之间的电磁干扰。第二芯片130例如是覆晶，其以主动面朝下的方式设置且电性连接于中介层基板120的第一面120u上，且第二芯片130的电性接点131电性连接于中介层基板120的信号导电孔121。本例中，第二芯片130通过中介层基板120的信号走线123、信号导电孔121及信号线170电性连接于第一芯片110的主动面110a。第二芯片130可通过中介层基板120的接地走线124、接地导电孔122、第一屏蔽层150电性连接于一接地端(未绘示)。此外，第二芯片130包括至少一电性接点131本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，包括：中介层基板，具有相对的第一面与第二面、接地導電孔及信号导电孔；第一芯片，设于该中介层基板的该第一面，且电性连接于该信号导电孔；封装体，包覆该第一芯片，且具有外侧面及上表面，其中该外侧面具有第一子外侧面，且该中介层基板的该信号导电孔與该接地導電孔从该封装体的该外侧面露出；第一屏蔽层覆盖该封装体的该外侧面及该上表面，且露出该封装体的该第一子外侧面，且电性连接于该接地導電孔；以及信号线，设于该封装体的该第一子外侧面，并电性连接露出的该信号导电孔且与该第一屏蔽层电性隔离。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，包括：
中介层基板，具有相对的第一面与第二面、接地導電孔及信号导电孔；
第一芯片，设于该中介层基板的该第一面，且电性连接于该信号导电孔；
封装体，包覆该第一芯片，且具有外侧面及上表面，其中该外侧面具有第一子
外侧面，且该中介层基板的该信号导电孔與该接地導電孔从该封装体的该外侧面露
出；
第一屏蔽层覆盖该封装体的该外侧面及该上表面，且露出该封装体的该第一子
外侧面，且电性连接于该接地導電孔；以及
信号线，设于该封装体的该第一子外侧面，并电性连接露出的该信号导电孔且
与该第一屏蔽层电性隔离。
2.如权利要求1所述的半导体封装件，更包括：
第二芯片具有相對的主動面與非主動面，其中数个电性接点，形成于该第二芯
片的该主动面上，并电性连接于该信号导电孔。
3.如权利要求2所述的半导体封装件，更包括：
第一基板，具有相对的第一面与第二面，该第一面承载该第二芯片；以及
数个电性接点，形成于该第一芯片的该第二面上。
4.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该中介层基板包括：
第二屏蔽层，连接于该接地导电孔；
其中，该中介层基板以该第二屏蔽层设于该第一芯片的该非主动面上。
5.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该封装体的该外侧面更包括第二
子外侧面，该第二子外侧面相对该第一子外侧面内陷。
6.一种半导体封装件的制造方法，包括：
提供中介层基板，其中该中介层基板具有相对的第一面与第二面、接地導電
孔及信号导电孔；
设置第一芯片于该中介层基板的该第一面上，其中该第一芯片电性连接于该信
号导电孔；
形成封装体包覆该第一芯片及该中介层基板的该第一面，其中该封装体具有外
侧面及上表面，该外侧面具有第一子外侧面；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜瀚琦，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71