半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括集成电路和保护环。该集成电路包括第一电路和第二电路，该第二电路与该第一电路是分开的。该保护环设置在该第一电路周围且在该第一电路和该第二电路之间。该保护环包括外环、内环和两个连接件。该外环设置在该第一电路周围且具有第一间隙。该内环设置在该外环和该第一电路之间且具有第二间隙。该两个连接件将该外环和该内环连接在一起。该外环、该内环和该两个连接件形成闭合回路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
半导体器件应用于各种电子应用，例如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。半导体工业通过不断降低最小特征尺寸来不断提高集成电路各种电子组件(比如晶体管、二极管、电阻器和电容器等)的集成密度，使得更多组件可被集成在给定区域。虽然光刻技术的明显进步已经在器件中形成产生了相当大的改进，不过，对可达到的密度有诸多物理限制。这些限制其中之一是制造这些元件所需的最小尺寸。并且，当将更多器件置入一个芯片内时，需要更加复杂的设计。
技术实现思路
为解决现有技术中存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：集成电路，包括第一电路和与所述第一电路是分开的第二电路；以及保护环，设置在所述第一电路周围且在所述第一电路和所述第二电路之间，其中所述保护环包括：外环，设置在所述第一电路周围且具有第一间隙；内环，设置在所述外环和所述第一电路之间且具有第二间隙；以及连接所述外环和所述内环的两个连接件，其中所述外环、所述内环和所述两个连接件形成闭合回路。根据本专利技术的一个实施例，其中所述第一间隙和所述第二间隙彼此大致对齐。根据本专利技术的一个实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：集成电路，包括第一电路和与所述第一电路是分开的第二电路；以及保护环，设置在所述第一电路周围且在所述第一电路和所述第二电路之间，其中所述保护环包括：外环，设置在所述第一电路周围且具有第一间隙；内环，设置在所述外环和所述第一电路之间且具有第二间隙；以及连接所述外环和所述内环的两个连接件，其中所述外环、所述内环和所述两个连接件形成闭合回路。

【技术特征摘要】
2015.07.24 US 14/809,1121.一种半导体器件，包括：集成电路，包括第一电路和与所述第一电路是分开的第二电路；以及保护环，设置在所述第一电路周围且在所述第一电路和所述第二电路之间，其中所述保护环包括：外环，设置在所述第一电路周围且具有第一间隙；内环，设置在所述外环和所述第一电路之间且具有第二间隙；以及连接所述外环和所述内环的两个连接件，其中所述外环、所述内环和所述两个连接件形成闭合回路。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一间隙和所述第二间隙彼此大致对齐。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述外环还具有面向所述第一间隙的两个第一端，所述内环还具有面向所述第二间隙的两个第二端，其中一个所述连接件将其中一个所述第一端和其中一个所述第二端连接起来。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述两个连接件彼此分开。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电路和所述第二电路之一是模拟电路，所述第一电路和所述第二电路中的另一个是数字电路。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述外环和所述内...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨名慧，廖浚廷，陈程元，刘和昌，陈益德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71