半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括集成电路和保护环。该集成电路包括第一电路和第二电路，该第二电路与该第一电路是分开的。该保护环设置在该第一电路周围且在该第一电路和该第二电路之间。该保护环包括外环、内环和两个连接件。该外环设置在该第一电路周围且具有第一间隙。该内环设置在该外环和该第一电路之间且具有第二间隙。该两个连接件将该外环和该内环连接在一起。该外环、该内环和该两个连接件形成闭合回路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
半导体器件应用于各种电子应用，例如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。半导体工业通过不断降低最小特征尺寸来不断提高集成电路各种电子组件(比如晶体管、二极管、电阻器和电容器等)的集成密度，使得更多组件可被集成在给定区域。虽然光刻技术的明显进步已经在器件中形成产生了相当大的改进，不过，对可达到的密度有诸多物理限制。这些限制其中之一是制造这些元件所需的最小尺寸。并且，当将更多器件置入一个芯片内时，需要更加复杂的设计。
技术实现思路
为解决现有技术中存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：集成电路，包括第一电路和与所述第一电路是分开的第二电路；以及保护环，设置在所述第一电路周围且在所述第一电路和所述第二电路之间，其中所述保护环包括：外环，设置在所述第一电路周围且具有第一间隙；内环，设置在所述外环和所述第一电路之间且具有第二间隙；以及连接所述外环和所述内环的两个连接件，其中所述外环、所述内环和所述两个连接件形成闭合回路。根据本专利技术的一个实施例，其中所述第一间隙和所述第二间隙彼此大致对齐。根据本专利技术的一个实施例，其中所述外环还具有面向所述第一间隙的两个第一端，所述内环还具有面向所述第二间隙的两个第二端，其中一个所述连接件将其中一个所述第一端和其中一个所述第二端连接起来。根据本专利技术的一个实施例，其中所述两个连接件彼此分开。根据本专利技术的一个实施例，其中所述第一电路和所述第二电路之一是模拟电路，所述第一电路和所述第二电路中的另一个是数字电路。根据本专利技术的一个实施例，其中所述外环和所述内环中的至少一个包括：多个金属层；以及多个通孔，分别设置在相邻两个所述金属层之间。根据本专利技术的一个实施例，其中所述金属层是非连续回路。根据本专利技术的一个实施例，还包括：至少一个密封环，设置在所述集成电路周围。根据本专利技术的另一方面，提供了一种半导体器件，包括：集成电路，包括第一电路和第二电路；以及保护环，设置在所述第一电路周围且将所述第一电路和所述第二电路分开，其中所述保护环包括：外环，设置在所述第一电路周围且具有第一间隙；内环，设置在所述外环和所述第一电路之间，与所述外环分开，且具有第二间隙；以及两个连接件，彼此分开且分别将所述外环和所述内环在端部相连以与所述外环和所述内环形成连续回路。根据本专利技术的一个实施例，其中所述两个连接件之间形成有路径，并且所述路径从所述第一电路延伸至所述保护环之外的区域。根据本专利技术的一个实施例，其中所述外环、所述内环和所述两个连接件共同形成封闭区域。根据本专利技术的一个实施例，其中所述连接件设置在所述封闭区域和所述路径之间。根据本专利技术的一个实施例，还包括：围绕所述集成电路的至少一个密封环。根据本专利技术的一个实施例，其中所述保护环由导电材料制成。根据本专利技术的一个实施例，还包括：衬底，设置在所述集成电路和所述保护环下方。根据本专利技术的一个实施例，其中所述第一电路是模拟电路，所述第二电路是数字电路。根据本专利技术的又一方面，提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：形成集成电路，所述集成电路包括第一电路和与所述第一电路是分开的第二电路；以及形成在所述第一电路周围且在所述第一电路和所述第二电路之间的保护环，包括：在所述第一电路周围形成外环；在所述第一电路和所述外环之间形成内环；以及形成连接所述外环和所述内环的两个连接件，其中所述外环、所述内环和所述两个连接件形成闭合回路。根据本专利技术的一个实施例，其中所述保护环与所述集成电路同时形成。根据本专利技术的一个实施例，还包括：在所述集成电路周围形成密封环。根据本专利技术的一个实施例，其中所述保护环由导电材料制成。附图说明当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本专利技术的各个方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。图1是根据本专利技术的一些实施例的半导体器件的顶视图。图2是图1的第一电路和保护环的顶视图。图3是沿图2的线3-3截取的截面图。图4是图2的保护环的立体图。图5是根据本专利技术的一些实施例的形成半导体器件的方法的流程图。图6是图5的操作220的流程图。具体实施方式以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现所提供主题的不同特征。以下将描述组件和布置的特定实例以简化本专利技术。当然，这些仅是实例并且不旨在限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括在第一部件和第二部件之间形成附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外，本专利技术可以在多个实例中重复参考标号和/或字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等空间关系术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除图中所示的方位之外，空间关系术语旨在包括使用或操作过程中的器件的不同的方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可同样地作出相应地解释。除非另有说明，本文所用的所有术语(包括技术和科学术语)具有和本领域普通技术人员通常所理解的相同含义。还要理解的是，术语(例如，常用词典中所定义那些术语)应被理解为具有与其相关技术背景以及本专利技术中含义相一致的含义，而不应被理解为理想化的或过于正式的意义(除非本文明确定义)。根据各示例性实施例提供了半导体器件以及制造该半导体器件的方法。讨论了所述各实施例的变化。图1是根据本专利技术的一些实施例的半导体器件的顶视图，图2是图1的第一电路111和保护环120的顶视图。半导体器件包括集成电路110和保护环120。该集成电路110包括第一电路111和第二电路116，该第二电路116与该第一电路111是分开的。本文所用的“电路”是指独立运行或彼此协同运行的一个或多个电路。该保护环120设置在该第一电路111周围且在该第一电路111和该第二电路116之间。换言之，该保护环120将该第一电路111和该第二电路116分开。该保护环120包括外环122、内环124和两个连接件126和128。该外环122设置在该第一电路111周围且具有第一间隙G1。该内环124设置在该外环122和该第一电路111之间，与该外环122分开，且具有第二间隙G2。所述两个连接件126和128将该外环122和该内环124连接在一起，以使该外环122、该内环124和所述两个连接件126和128形成闭合回路。换言之，所述两个连接件126和128是彼此分开的，且分别将该外环122和该内环124在端部相连以形成具有该外环122和该内环124的连续回路。随着该集成电路110的尺寸减小，故该第一电路111和该第二电路116之间的距离缩短。即，该第一电路111和该第二电路116设置得彼此靠近。这种配置可增加该第一电路111和该第二电路116之间噪声耦合的可能性，造成该集成电路110中的串扰。然而，在图1中，由于该保护环120设置在该第一电路111周围且在该第一电路111和该第二电路116之间，其能够阻隔该第一电路1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：集成电路，包括第一电路和与所述第一电路是分开的第二电路；以及保护环，设置在所述第一电路周围且在所述第一电路和所述第二电路之间，其中所述保护环包括：外环，设置在所述第一电路周围且具有第一间隙；内环，设置在所述外环和所述第一电路之间且具有第二间隙；以及连接所述外环和所述内环的两个连接件，其中所述外环、所述内环和所述两个连接件形成闭合回路。

【技术特征摘要】
2015.07.24 US 14/809,1121.一种半导体器件，包括：集成电路，包括第一电路和与所述第一电路是分开的第二电路；以及保护环，设置在所述第一电路周围且在所述第一电路和所述第二电路之间，其中所述保护环包括：外环，设置在所述第一电路周围且具有第一间隙；内环，设置在所述外环和所述第一电路之间且具有第二间隙；以及连接所述外环和所述内环的两个连接件，其中所述外环、所述内环和所述两个连接件形成闭合回路。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一间隙和所述第二间隙彼此大致对齐。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述外环还具有面向所述第一间隙的两个第一端，所述内环还具有面向所述第二间隙的两个第二端，其中一个所述连接件将其中一个所述第一端和其中一个所述第二端连接起来。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述两个连接件彼此分开。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电路和所述第二电路之一是模拟电路，所述第一电路和所述第二电路中的另一个是数字电路。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述外环和所述内...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨名慧，廖浚廷，陈程元，刘和昌，陈益德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71