一种防止LED灯下电回闪电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种防止LED灯下电回闪电路，包括：一防止LED灯下电回闪电路本体，所述防止LED灯下电回闪电路本体连接一外围电路；以及一输入电容快速放电模块，所述输入电容快速放电模块连接于所述防止LED灯下电回闪电路本体，用于当所述供电电容的输出电压达到一预设值后，将所述外围电路的输入电压快速下降至零。本实用新型专利技术的一种防止LED灯下电回闪电路具有能够在解决下电回闪问题的同时不改变LED工作芯片的启动电流，从而不增加LED系统正常上电时的启动时间，具有防下电回闪且上电启动时间短、用户体验佳的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED灯供电电路领域，尤其涉及一种防止LED灯下电回闪电路。
技术介绍
现有的LED照明产品在关断电源下电过程中，偶尔会出现LED灯灭了之后又重新点亮的下电回闪问题，使得用户得不到较好的LED灯照明体验。LED灯具在电源断开后，由于芯片供电不足进入欠压锁定状态，LED灯熄灭。此时输入电容Cin上的电荷还未放完，输入电压Vin未完全下电，LED灯的工作芯片工作电流大幅度减小，导致工作芯片再次充电至启动电压，工作芯片开始正常工作重新点亮LED灯。随着芯片再次工作，工作电流增大，工作芯片再次因供电不足进入欠压锁定状态，从而重复上述过程造成灯闪，直到输入电容上的电压Vin彻底下电。欠压锁定(undervoltagelockout)，常称之为UVLO，欠压锁定就是指当输入电压低于某一值时，电源芯片不工作，处于保护状态。现有方案电路如图1所示，其包括：一高压供电MOS管JFET、一充电控制MOS管M0、一二极管D0、一供电电容Cvcc和一输入电容放电MOS管M1。其中所述高压供电MOS管JFET的漏极和栅极连接所述外围电路。所述充电控制MOS管M0的栅极和漏极连接所述高压供电MOS管JFET的源极。所述二极管D0的阳极连接所述充电控制MOS管M0的源极。所述供电电容Cvcc的第一端连接所述二极管D0的阴极，所述供电电容Cvcc的第二端接地。所述输入电容放电MOS管M1的漏极连接所述高压供电MOS管JFET的源极，所述输入电容放电MOS管M1的源极接地。输出电压检测模块11检测供电电容Cvcc电压，当外部LED工作芯片下降进入欠压锁定状态后，输出电压检测模块11输出电压检测模块11输出开关控制信号uvlo＝1。开关控制信号uvlo高电平打开补偿电容放电MOS管M1，并通过限流电阻R1、高压供电MOS管JFET的源端对输入电容Cin放电。在开关控制信号uvlo＝1期间输入电容Cin被完全放电，输入电压Vin为零，LED工作芯片无法继续充电至启动电压并持续下降。因为LED工作芯片无法正常启动，LED灯一直保持熄灭状态，避免下电回闪。现有方案的工作波形如图2所示，系统断电后，输入电压Vin缓慢下降，LED工作芯片掉电至欠压点，开关控制信号uvlo从低电平翻转为高电平。由于开关控制信号uvlo高电平期间对输入电容Cin的放电，输入电压Vin快速下电，供电电容Cvcc电压在输入电压vin下降的过程中先缓慢上升，后因供电不足也开始下降。此过程开关控制信号uvlo输出一直为高电平直到输入电压Vin和LED工作芯片彻底下电。现有的方案虽然可以解决下电回闪的问题，但是在LED工作芯片上电的过程中，开关控制信号uvlo为高电平期间LED工作芯片的启动电流非常大，而给LED工作芯片充电的电流较小，导致了LED系统正常上电时启动时间过长，给用户带来较差的LED使用体验。
技术实现思路
针对上述现有技术中的不足，本技术提供一种防止LED灯下电回闪电路，能够在解决下电回闪问题的同时不改变LED工作芯片的启动电流，从而不增加LED系统正常上电时的启动时间，具有防下电回闪且上电启动时间短、用户体验佳的优点。为了实现上述目的，本技术提供一种防止LED灯下电回闪电路，包括：一防止LED灯下电回闪电路本体，所述防止LED灯下电回闪电路本体连接一外围电路；以及一输入电容快速放电模块；所述防止LED灯下电回闪电路本体包括：一高压供电MOS管，所述高压供电MOS管的漏极和栅极连接所述外围电路；一充电控制MOS管，所述充电控制MOS管的栅极和漏极连接所述高压供电MOS管的源极；一二极管，所述二极管的阳极连接所述充电控制MOS管的源极；一供电电容，所述供电电容的第一端连接所述二极管的阴极，所述供电电容的第二端接地；一输入电容放电MOS管，所述输入电容放电MOS管的漏极连接所述高压供电MOS管的源极，所述输入电容放电MOS管的源极接地；和一输出电压检测模块，所述输出电压检测模块的输入端连接所述二极管的阴极；所述输入电容快速放电模块连接于所述输出电压检测模块的输出端与所述输入电容放电MOS管的栅极之间，用于当所述供电电容的输出电压达到一预设值后，将所述外围电路的输入电压快速下降至零。优选地，所述防止LED灯下电回闪电路本体还包括：一上拉电阻，所述上拉电阻连接于所述充电控制MOS管的漏极和栅极之间。优选地，所述防止LED灯下电回闪电路本体还包括：一限流电阻，所述限流电阻连接于所述高压供电MOS管的源极和所述输入电容放电MOS管的漏极之间。优选地，所述输入电容快速放电模块包括：一补偿电容充电模块，所述补偿电容充电模块的第一输入端连接所述二极管的阴极，所述补偿电容充电模块的第二输入端连接所述输出电压检测模块的输出端；一补偿电容电压检测模块，所述补偿电容电压检测模块的第一输入端连接所述输出电压检测模块的输出端，所述补偿电容电压检测模块的输出端连接所述补偿电容充电模块的第三输入端和所述输入电容放电MOS管的栅极；一补偿电容放电MOS管，所述补偿电容放电MOS管的栅极连接所述输出电压检测模块的输出端，所述补偿电容放电MOS管的漏极连接所述补偿电容电压检测模块的第二输入端，所述补偿电容放电MOS管的源极接地；以及一补偿电容，所述补偿电容第一端连接所述补偿电容放电MOS管的漏极和所述补偿电容充电模块的输出端，所述补偿电容第二端接地。优选地，所述补偿电容充电模块包括：一第一或非门，所述第一或非门的第一输入端连接所述输出电压检测模块的输出端；一反相器，所述反相器的输入端连接所述补偿电容电压检测模块的输出端，所述反相器的输出端连接所述第一或非门的第二输入端；以及一充电开关MOS管，所述充电开关MOS管的漏极连接所述二极管的阴极，所述充电开关MOS管的栅极连接所述第一或非门的输出端，所述充电开关MOS管的源极连接所述补偿电容。优选地，所述补偿电容电压检测模块包括：一比较器，所述比较器的正相输入端连接所述补偿电容放电MOS管的漏极，所述比较器的反相输入端连接一参考电压输入端；一D触发器，所述D触发器的D端接地，所述D触发器的CP端连接所述比较器的输出端，所述D触发器的复位端连接所述输出电压检测模块的输出端；以及一第二或非门，所述第二或非门的第一输入端连接所述D触发器的Q端，所述第二或非门的第二输入端连接所述输出电压检测模块的输出端，所述第二或非门的输出端连接所述补偿电容充电模块和所述输入电容放电MOS管的栅极。优选地，所述外围电路包括：一交流电源；一整流桥，所述整流桥的输入端连接所述交流电源；以及一输入电容，所述输入电容的第一端连接所述整流桥的输出端，所述输入电容的第二端接地。优选地，外围电路还包括一开关，所述开关串联于所述交流电源与所述整流桥之间。本技术由于采用了以上技术方案，使其具有以下有益效果：输入电容快速放电模块用于当供电电容的输出电压达到一预设值后，将外围电路的输入电压快速下降至零，实现在解决下电回闪问题的同时，不改变外连LED工作芯片的启动电流，从而不增加系统正常上电的启动时间，解决了防回闪电路中LED灯系统正常启动上电时间过长的问题。充电控制MOS管作为高压充电通路通断的控制管。限流电阻的采用，实现了当输入电容放电MOS管对高压供电MOS管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止LED灯下电回闪电路，其特征在于，包括：一防止LED灯下电回闪电路本体，所述防止LED灯下电回闪电路本体连接一外围电路；以及一输入电容快速放电模块；所述防止LED灯下电回闪电路本体包括：一高压供电MOS管，所述高压供电MOS管的漏极和栅极连接所述外围电路；一充电控制MOS管，所述充电控制MOS管的栅极和漏极连接所述高压供电MOS管的源极；一二极管，所述二极管的阳极连接所述充电控制MOS管的源极；一供电电容，所述供电电容的第一端连接所述二极管的阴极，所述供电电容的第二端接地；一输入电容放电MOS管，所述输入电容放电MOS管的漏极连接所述高压供电MOS管的源极，所述输入电容放电MOS管的源极接地；和一输出电压检测模块，所述输出电压检测模块的输入端连接所述二极管的阴极；所述输入电容快速放电模块连接于所述输出电压检测模块的输出端与所述输入电容放电MOS管的栅极之间，用于当所述供电电容的输出电压达到一预设值后，将所述外围电路的输入电压快速下降至零。

【技术特征摘要】
1.一种防止LED灯下电回闪电路，其特征在于，包括：一防止LED灯下电回闪电路本体，所述防止LED灯下电回闪电路本体连接一外围电路；以及一输入电容快速放电模块；所述防止LED灯下电回闪电路本体包括：一高压供电MOS管，所述高压供电MOS管的漏极和栅极连接所述外围电路；一充电控制MOS管，所述充电控制MOS管的栅极和漏极连接所述高压供电MOS管的源极；一二极管，所述二极管的阳极连接所述充电控制MOS管的源极；一供电电容，所述供电电容的第一端连接所述二极管的阴极，所述供电电容的第二端接地；一输入电容放电MOS管，所述输入电容放电MOS管的漏极连接所述高压供电MOS管的源极，所述输入电容放电MOS管的源极接地；和一输出电压检测模块，所述输出电压检测模块的输入端连接所述二极管的阴极；所述输入电容快速放电模块连接于所述输出电压检测模块的输出端与所述输入电容放电MOS管的栅极之间，用于当所述供电电容的输出电压达到一预设值后，将所述外围电路的输入电压快速下降至零。2.根据权利要求1所述的一种防止LED灯下电回闪电路，其特征在于，所述防止LED灯下电回闪电路本体还包括：一上拉电阻，所述上拉电阻连接于所述充电控制MOS管的漏极和栅极之间。3.根据权利要求2所述的一种防止LED灯下电回闪电路，其特征在于，所述防止LED灯下电回闪电路本体还包括：一限流电阻，所述限流电阻连接于所述高压供电MOS管的源极和所述输入电容放电MOS管的漏极之间。4.根据权利要求3所述的一种防止LED灯下电回闪电路，其特征在于，所述输入电容快速放电模块包括：一补偿电容充电模块，所述补偿电容充电模块的第一输入端连接所述二极管的阴极，所述补偿电容充电模块的第二输入端连接所述输出电压检测模块的输出端；一补偿电容电压检测模块，所述补偿电容电压检测模块的第一输入端连接所述输出电压检测模块的输出端，所述补偿电容电压检测模块的输出端连接所述补偿电容充电模块的第三输入端和所述输入电容放电MOS管的栅极；一补偿电容放...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗杰，赵新江，徐勇，李俨，
申请(专利权)人：上海灿瑞科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31