显示面板、源极驱动器及运算放大器制造技术

本公开提供了一种显示面板、源极驱动器及运算放大器。该运算放大器包括一第一差动放大电路及一第二差动放大电路。该第一差动放大电路包括第一及第三N型晶体管；其中，所述第三N型晶体管与所述第二N型晶体管相邻配置且同时用作所述第二N型晶体管的虚拟晶体管。该第二差动放大电路包括第一至第三P型晶体管；其中，所述第三P型晶体管与所述第一P型晶体管相邻配置且同时用作所述第一P型晶体管的虚拟晶体管。本公开可以减少源极驱动器所占用的面积。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及显示
，特别涉及一种运算放大器、一种源极驱动器以及一种显示面板。
技术介绍
随着光学技术与半导体技术的发展，液晶显示器(LCD)、有机发光二极管显示器(OLED)以及电子纸显示器(EPD)等显示装置已经广泛应用于各类电子产品上。其中，由于OLED显示器具有高画质、体积小、重量轻、厚度薄、低电压驱动及低消耗功率等优点，已成为目前主流的显示装置之一。图1为现有技术中一种OLED显示器的结构示意图。该OLED显示器包括显示区域AA、栅极驱动器10以及源极驱动器20等组件。显示区域AA包括多行扫描线SL、多列数据线DL以及多个像素单元P。其中，栅极驱动器10用于依序输出扫描信号至各行扫描线SL，从而驱动各行像素单元P依次打开。源极驱动器20在像素单元P打开后，依序/分时输出的数据信号至各像素单元P，从而驱动像素单元P发光，实现图像的显示。源极驱动器20包括源极驱动电路SD以及输出缓冲器BUF。运算放大器是输出缓冲器BUF的主要部件之一。现有技术中的运算放大器通常是由多个晶体管组成。为了减轻晶体管的应力畸变等因素对晶体管特性的影响，会为部分晶体管相应的额外配置与其相邻的虚拟(dummy)晶体管，利用虚拟晶体管减轻或抵消不良影响，从而避免或减轻源极驱动器20输出的数据信号的变形，进而提升显示效果。然而，额外设置过多的虚拟晶体管显然会增加源极驱动器20所占用的面积，不利于显示装置周边区域体积的缩小，影响显示装置的轻薄化。同时，额外设置过多的虚拟晶体管也会增加显示装置制备工艺的复杂程度以及提升制备成本。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种运算放大器，用于减少额外设置的虚拟晶体管数量，从而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或多个问题。本公开的其它特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。根据本公开的第一方面，提供一种运算放大器，包括：一第一差动放大电路，包括：第一电流镜单元，包括第一支路及第二支路；第一、第二及第三N型晶体管，分别包括一源极、一漏极和一栅极，所述第一及第二N型晶体管漏极分别对应连接至所述第一及第二支路，所述第一及第二N型晶体管栅极分别对应接收一第一及第二偏压，所述第三N型晶体管漏极与所述第一及第二N型晶体管的源极连接，所述第三N型晶体管源极与一低电平连接，所述第三N型晶体管栅极接收一第一控制信号；其中，所述第三N型晶体管与所述第二N型晶体管相邻配置且同时用作所述第二N型晶体管的虚拟晶体管；以及，一第二差动放大电路，包括：第二电流镜单元，包括第三支路及第四支路；第一、第二及第三P型晶体管，分别包括一源极、一漏极和一栅极，所述第一及第二P型晶体管漏极分别对应连接至所述第三及第四支路，所述第一及第二N型晶体管栅极分别对应接收所述第一及第二偏压，所述第三P型晶体管漏极与所述第一及第二P型晶体管的源极连接，所述第三P型晶体管源极与一高电平连接，所述第三P型晶体管栅极接收一第二控制信号；其中，所述第三P型晶体管与所述第一P型晶体管相邻配置且同时用作所述第一P型晶体管的虚拟晶体管。本公开的一种示例性实施例中，所述第一电流镜单元以及第二电流均为共源共栅型电流镜。本公开的一种示例性实施例中，其中所述第一电流镜单元还包括：第四及第五P型晶体管，分别包括一源极、一漏极和一栅极，所述第四及第五P型晶体管源极均电性连接至所述高电平，所述第四及第五P型晶体管漏极分别对应连接至所述第一及第二N型晶体管的漏极，而所述第四及第五P型晶体管栅极相互连接。本公开的一种示例性实施例中，所述第二电流镜单元还包括：第四及第五N型晶体管，分别包括一源极、一漏极和一栅极，所述第四及第五N型晶体管源极均电性连接至所述低电平，所述第四及第五N型晶体管漏极分别对应连接至所述第一及第二P型晶体管的漏极，而所述第四及第五N型晶体管栅极相互连接。本公开的一种示例性实施例中，所述运算放大器还包括：第六P型晶体管，包括漏极、源极及栅极，所述第六P型晶体管的漏极、源极及栅极均连接至所述高电平；其中，所述第六P型晶体管与所述第五P型晶体管相邻配置且用作所述第五P型晶体管的虚拟晶体管；以及第六N型晶体管，包括漏极、源极及栅极，所述第六N型晶体管的漏极、源极及栅极均连接至所述低电平；其中，所述第六N型晶体管与所述第四N型晶体管相邻配置且用作所述第四N型晶体管的虚拟晶体管。本公开的一种示例性实施例中，其中：所述第三P型晶体管、第一P性晶体管、第二P型晶体管、第四P型晶体管、第五P型晶体管以及第六P型晶体管依次配置于一第一列；所述第六N型晶体管、第四N型晶体管、第五N型晶体管、第一N型晶体管、第二N型晶体管以及第三N型晶体管依次配置于一与所述第一列并列的第二列。本公开的一种示例性实施例中，各所述P型晶体管的大小相同；以及，各所述N型晶体管的大小相同。本公开的一种示例性实施例中，所述运算放大器还包括：第一开关元件，包括第一极、第二极和栅极，所述第一开关元件第一极与所述高电平连接，所述第一开关元件第二极与所述第一电流镜单元连接，所述第一开关元件栅极接收一第一使能信号；及/或，第二开关元件，包括第一极、第二极和栅极，所述第二开关元件第一极与所述低电平连接，所述第二开关元件第二极与所述第二电流镜单元连接，所述第二开关元件栅极接收一第二使能信号。本公开的一种示例性实施例中，所述第一开关元件及所述第二开关元件为N型晶体管或P型晶体管。根据本公开的第二方面，提供一种源极驱动器，包括：源极驱动电路；以及输出缓冲器，与所述源极驱动电路连接；其中，所述输出缓冲器包括上述任意一种运算放大器。根据本公开的第一方面，提供一种显示面板，包括：行列排布的多个像素单元；多行扫描线，用于向各行所述像素单元提供扫描信号；多列数据线，用于向各列所述像素单元提供数据信号；以及，源极驱动器，与所述多列数据线连接；其中，所述源极驱动器为上述任意一种源极驱动器。本示例实施方式所提供的运算放大器、源极驱动器及显示面板中，通过将第三N型晶体管用作第二N型晶体管的虚拟晶体管以及将第三P型晶体管用作第一P型晶体管的虚拟晶体管，一方面可以减轻或抵消第二N型晶体管及第一P型晶体管的应力畸变等因素对晶体管特性带来的不良影响，从而避免或减轻源极驱动器输出的数据信号的变形，进而提升显示效果；另一方面，无需额外设置虚拟晶体管，从而减少了源极驱动器所占用的面积，便于显示装置的轻薄化；此外，相比于现有技术，也降低了显示装置制备工艺的复杂程度以及制备成本。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是一种OLED显示面积的结构示意图。图2是本公开示例实施方式中一种运算放大器的电路示意图。图3是本公开示例实施方式中运算放大器的部件布局示意图。图4是本公开示例实施方式中运算放大器的部件另一布局示意图。附图标记说明：10栅极驱动器20源极驱动器AA显示区域SL扫描线DL数据线SD源极驱动电路BUF输出缓冲器IM1第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种运算放大器，其特征在于，包括：一第一差动放大电路，包括：第一电流镜单元，包括第一支路及第二支路；第一、第二及第三N型晶体管，分别包括一源极、一漏极和一栅极，所述第一及第二N型晶体管漏极分别对应连接至所述第一及第二支路，所述第一及第二N型晶体管栅极分别对应接收一第一及第二偏压，所述第三N型晶体管漏极与所述第一及第二N型晶体管的源极连接，所述第三N型晶体管源极与一低电平连接，所述第三N型晶体管栅极接收一第一控制信号；其中，所述第三N型晶体管与所述第二N型晶体管相邻配置且同时用作所述第二N型晶体管的虚拟晶体管；以及，一第二差动放大电路，包括：第二电流镜单元，包括第三支路及第四支路；第一、第二及第三P型晶体管，分别包括一源极、一漏极和一栅极，所述第一及第二P型晶体管漏极分别对应连接至所述第三及第四支路，所述第一及第二N型晶体管栅极分别对应接收所述第一及第二偏压，所述第三P型晶体管漏极与所述第一及第二P型晶体管的源极连接，所述第三P型晶体管源极与一高电平连接，所述第三P型晶体管栅极接收一第二控制信号；其中，所述第三P型晶体管与所述第一P型晶体管相邻配置且同时用作所述第一P型晶体管的虚拟晶体管。...

【技术特征摘要】
1.一种运算放大器，其特征在于，包括：一第一差动放大电路，包括：第一电流镜单元，包括第一支路及第二支路；第一、第二及第三N型晶体管，分别包括一源极、一漏极和一栅极，所述第一及第二N型晶体管漏极分别对应连接至所述第一及第二支路，所述第一及第二N型晶体管栅极分别对应接收一第一及第二偏压，所述第三N型晶体管漏极与所述第一及第二N型晶体管的源极连接，所述第三N型晶体管源极与一低电平连接，所述第三N型晶体管栅极接收一第一控制信号；其中，所述第三N型晶体管与所述第二N型晶体管相邻配置且同时用作所述第二N型晶体管的虚拟晶体管；以及，一第二差动放大电路，包括：第二电流镜单元，包括第三支路及第四支路；第一、第二及第三P型晶体管，分别包括一源极、一漏极和一栅极，所述第一及第二P型晶体管漏极分别对应连接至所述第三及第四支路，所述第一及第二N型晶体管栅极分别对应接收所述第一及第二偏压，所述第三P型晶体管漏极与所述第一及第二P型晶体管的源极连接，所述第三P型晶体管源极与一高电平连接，所述第三P型晶体管栅极接收一第二控制信号；其中，所述第三P型晶体管与所述第一P型晶体管相邻配置且同时用作所述第一P型晶体管的虚拟晶体管。2.根据权利要求1所述的运算放大器，其特征在于，所述第一电流镜单元以及第二电流均为共源共栅型电流镜。3.根据权利要求1所述的运算放大器，其特征在于，其中所述第一电流镜单元还包括：第四及第五P型晶体管，分别包括一源极、一漏极和一栅极，所述第四及第五P型晶体管源极均电性连接至所述高电平，所述第四及第五P型晶体管漏极分别对应连接至所述第一及第二N型晶体管的漏极，而所述第四及第五P型晶体管栅极相互连接。4.根据权利要求3所述的运算放大器，其特征在于，所述第二电流
\t镜单元还包括：第四及第五N型晶体管，分别包括一源极、一漏极和一栅极，所述第四及第五N型晶体管源极均电性连接至所述低电平，所述第四及第五N型晶体管漏极分别对应连接至所述第一及第二P型晶体管的漏极，而所述第四及第五N型晶体管栅极相互连接。5.根据权利要求4所述的运算放大器，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：许进富，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31