一种ATO纳米晶，ATO纳米料浆，ATO/高分子聚合物复合物及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种ATO纳米晶的制备方法，包括以下步骤：将锑盐和锡盐按摩尔比1～15:100加入到醇溶剂中，搅拌混合均匀后得到混合溶液，将所述混合溶液加入到自压反应釜中，于150～200℃下维持反应18～48小时，反应结束后，自然冷却至室温，然后将所得产物进行离心分离，洗涤，烘干后，得到ATO纳米晶。该制备方法工艺简单，易于控制，可获得尺寸均匀可控的单分散ATO纳米晶。本发明专利技术还提供了该制备方法获得的ATO纳米晶，以及包含该ATO纳米晶的ATO纳米料浆和ATO/高分子聚合物复合物及其制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米光学材料制备领域，特别是涉及一种ATO纳米晶及其制备方法，一种ATO纳米料浆，以及一种ATO/高分子聚合物复合物及其制备方法。
技术介绍
随着便携式电子设备、显示器、柔性电子、多功能窗、太阳能电池和晶体管等的增加，近年来透明导电氧化物引起各种领域的兴趣从而涌现的材料和方法具有多样性。透明导电氧化物(TCO)的大部分材料主要集中在对氧化锌，氧化铟和二氧化锡的掺杂改进；基础和应用科学研究这个领域的发展有重大的促进作用。这些透明导电氧化物膜包括氟掺杂的氧化锡(FTO)，铝掺杂的氧化锌(AZO)和氧化铟锡(ITO)等。其中，在ITO薄膜被广泛用作于制备低电阻和高透明性的透明电极材料。随着光学电子设备市场的巨大增长，ITO的需求显著增加，但由于铟存储量稀少，因此近年来它的价格直线上升。锑掺杂的氧化锡(ATO)被认为是替代铟ITO的最有潜力的材料之一，其可以避免铟源的短缺和毒性。SnO2中的带隙为3.8eV，锡掺杂后，该材料的形式为n型半导体，呈现出一种特殊的光电和气体敏感特性，高导电性，高透明性，高红外线阻隔率等。因此，它可以在许多领域如LED显示器、LCD触摸屏、抗静电涂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ATO纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将锑盐和锡盐按摩尔比1～15:100加入到醇溶剂中，搅拌混合均匀后得到混合溶液，将所述混合溶液加入到自压反应釜中，于150～200℃下维持反应18～48小时，反应结束后，自然冷却至室温，然后将所得产物进行离心分离，洗涤，烘干后，得到ATO纳米晶。

【技术特征摘要】
1.一种ATO纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将锑盐和锡盐按摩尔比1～15:100加入到醇溶剂中，搅拌混合均匀后得到混合溶液，将所述混合溶液加入到自压反应釜中，于150～200℃下维持反应18～48小时，反应结束后，自然冷却至室温，然后将所得产物进行离心分离，洗涤，烘干后，得到ATO纳米晶。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述锡盐与所述醇溶剂的摩尔比为1:5～50；所述醇溶剂选自乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、戊醇、乙二醇、三甘醇、四甘醇和丙三醇中的至少一种。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述锡盐选自氯化锡、硝酸锡、硫酸锡和醋酸锡中的至少一种；所述锑盐选自氯化锑、硝酸锑、硫酸锑和醋酸锑中的至少一种。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述离心分离过程的转速为6000～10000rpm，时间为5～15分钟；所述洗涤操作具体为：先用去离子水洗涤2-3次，然后用无水乙醇洗涤1-2次；所述烘干的温度为50-80℃。5.一种如权利要求1-4任一项所述的制备方法制得的ATO纳米晶，所述ATO纳米晶的粒径为5-100nm。6.一种ATO纳米料浆，其特征在于，采用如权利要求5所述的ATO纳米晶制备。7.一种ATO/高分子聚合物复合物，其特征在于，由如权利要求5所述的ATO纳米晶与高分子聚合物复合而成，所述高分子聚合物为透明高分子材料，包括PVB，PMMA，PC...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晗，罗劭娟，吴嘉名，陈文杰，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：广东;44