显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种显示面板，包括：一基板，其上方设置有一栅极；一栅极绝缘层，设于该栅极及该基板上；一有源层，设于该栅极绝缘层上，且该有源层位于该栅极上方；一源极及一漏极，设于该有源层上；以及一第一保护层，设于该源极及该漏极上；其中，该源极及该漏极的侧壁上形成一金属氧化层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示面板，尤其涉及一种能防止源极与漏极和其他层别剥离的情形发生的薄膜晶体管基板及包含该薄膜晶体管基板的显示面板。
技术介绍
随着显示器技术不断进步，所有的装置均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展，故目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成薄型化显示设备。特别是，液晶显示面板及有机发光二极管显示面板可应用的领域相当多，举凡日常生活中使用的手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、移动导航装置、电视等显示设备，大多数均使用液晶显示面板及有机发光二极管显示面板。其中，无论是液晶显示面板及有机发光二极管显示面板，其中一基板均为一薄膜晶体管基板。目前已知的薄膜晶体管基板种类相当多，目前已知最常见的薄膜晶体管基板的有源层材料为非晶硅、金属氧化物半导体、低温多晶硅。其中，以金属氧化物半导体中的IGZO制成的薄膜晶体管，因其具有极低的漏电流，受到各界厂商的瞩目。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种显示面板，其中通过一保护层的设置，可提升薄膜晶体管单元特性并防止薄膜晶体管单元中的源极与漏极和其他层别剥离的情形发生。本专利技术的显示面板，包括：一基板，其上方设置有一栅极；一栅极绝缘层，设于该栅极及该基板上；一有源层，设于该栅极绝缘层上，且该有源层位于该栅极上方；一源极及一漏极，设于该有源层上；以及一第一保护层，设于该源极及该漏极上；其中，该源极及该漏极的侧壁上形成有一金属氧化层。本专利技术的显示面板，该源极与该漏极可包含一金属元素，且该金属氧化层包含该金属元素。在本专利技术的显示面板的实施例中，该源极及该漏极分别具有一底切部，位于该第一保护层下方；更具体而言，该第一保护层的侧壁相较于该源极及该漏极的该侧壁突出。在本专利技术的显示面板的另一实施例中，该源极及该漏极的该侧壁具有一倾斜面，且该倾斜面的相对远离该第一保护层的一侧较另一侧突出。在本专利技术的显示面板中，该源极及该漏极包含一金属层，且该金属层的材料为铜、钼、铝、钛、或其组合。或者，该源极及该漏极包含多个金属层，且该多个金属层的材料包含铜/钼、铜/钛、钼/铜/钼、钼/铝/钼、或钼/铝/钛。在本专利技术的显示面板中，有源层材料为IGZO、ITZO、IGTO、IGZTO、ZnON、或其组合；且优选为IGZO。在本专利技术的显示面板可选择性的还包括一第二保护层，设于有源层及该源极及该漏极间，且该源极及该漏极夹置于该第一保护层及该第二保护层间。在本专利技术的显示面板中，该源极及该漏极可分别具有一底切部，位于该第一保护层与该第二保护层之间。更具体而言，该第一保护层与该第二保护层的侧壁相较于该源极及该漏极的该侧壁突出。其中，该第一保护层的材料可为一透明金属氧化物、或一绝缘材料；而该第二保护层的材料则仅能为一透明金属氧化物。透明金属氧化物的具体例子包括：ITO、IZO、AZO、GZO、IGZO、ITZO、或其组合；而绝缘材料的具体例子包括：氮化硅、氧化铝、氧化钛、及其组合。在本专利技术的显示面板中，该源极与该漏极可包含一金属元素；当薄膜晶体管基板仅包括该第一保护层时，该第一保护层包含该金属元素；而当薄膜晶体管基板同时包括该第一保护层及该第二保护层时，该第一保护层与该第二保护层皆包含该金属元素。该第一保护层的该金属原子的含量可为1-8at％，且较佳为4-5at％；而扩散至该第二保护层的该金属原子的含量可为3-10at％，且较佳为5.5-6.5at％。此外，在本专利技术的显示面板中，该金属氧化层中的氧含量为20-30at％。再者，本专利技术的显示面板，包括：如前述的基板；一对侧基板；以及一显示介质，夹置于该基板与该对侧基板之间。在本专利技术的显示面板中，因源极及漏极上更设置有一保护层，故在后续有源层退火及N2O处理的工艺中，仅会于源极及漏极的侧壁上形成金属氧化层，而不会于源极及漏极与其他层别接触的表面上形成金属氧化层；因此，可防止薄膜晶体管单元中的源极与漏极和其他层别剥离的情形发生，并进一步提升所制得的薄膜晶体管单元特性。同时，使用本专利技术的薄膜晶体管基板所制得的显示面板，因薄膜晶体管单元特性的提升，而更可进一步提升显示面板的显示质量。附图说明图1A至1F为本专利技术实施例1的薄膜晶体管基板的制作流程剖面示意图。图2A至2C为本专利技术实施例1的一实施方式的金属层的制作流程剖面示意图。图3A至3C为本专利技术实施例1的另一实施方式的金属层的制作流程剖面示意图。图4A至4F为本专利技术实施例2的薄膜晶体管基板的制作流程剖面示意图。图5A至5C为本专利技术实施例2的一实施方式的金属层的制作流程剖面示意图。图6A至6C为本专利技术实施例2的另一实施方式的金属层的制作流程剖面示意图。图7A至7C为本专利技术实施例2的再一实施方式的金属层的制作流程剖面示意图。图8及9分别为图4F所示的薄膜晶体管基板部分区域于A-A’及B-B’剖面在线的元素分析结果图。图10A至10C为本专利技术实施例3的一实施方式的金属层的制作流程剖面示意图。图11A至11C为本专利技术实施例3的另一实施方式的金属层的制作流程剖面示意图。图12为本专利技术实施例4的显示面板的剖面示意图。图13为本专利技术实施例5的触控显示面板的剖面示意图。附图标记说明11基板12栅极13栅极绝缘层14有源层15金属层15a第一金属层15a’、15b’、15c’、15d’侧壁15b第二金属层15c第三金属层15d第四金属层151源极152漏极153通道区151a,151b,152a,152b金属氧化层161第一保护层161a侧壁162第二保护层162a侧壁17绝缘层41薄膜晶体管基板42对侧基板43显示介质51显示面板52触控面板A-A’、B-B’剖面线具体实施方式以下是通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术也可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可针对不同观点与应用，在不悖离本专利技术的精神下进行各种修饰与变更。实施例1请参照图1A至1F，图1A至1F为本实施例的薄膜晶体管基板的制作流程剖面示意图。首先，如图1A所示，提供一基板11，其上方依序设置有一栅极12、一栅极绝缘层13、一有源层14、及一金属层15。其中，栅极12、栅极绝缘层13、有源层14、及金属层15可使用本
常用的方法形成，故在此不再赘述。此外，在本实施例中，基板11可使用本
常用的基材材料制作，例如玻璃、塑料、及其他可挠性材质等；栅极绝缘层13可使用本
常用的绝缘层材料(如：氧化物、氮化物或氮氧化物)制作；有源层14可使用本
常用的金属氧化物半导体材料制作，如IGZO、ITZO、IGTO、IGZTO、ZnON、及其组合等，在本实施例中，有源层14的材料为IGZO；而栅极12及金属层15的材料可使用本
常用的导电材料，如金属、合金、或其他本
常用的电极材料，且较佳为金属材料。在形成金属层15后，又在金属层15上形成一第一保护层161，其厚度约为且较佳为接着，如图1B所示，在第一保护层161上又形成一掩模21；并通过一蚀刻工艺，图案化第一保护层161，以使第一保护层161具有与掩模21相同的图案。在此，用于图案化第一保护层161的工艺，可依本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，包括：一基板，其上方设置有一栅极；一栅极绝缘层，设于该栅极及该基板上；一有源层，设于该栅极绝缘层上，且该有源层位于该栅极上方；一源极及一漏极，设于该有源层上；以及一第一保护层，设于该源极及该漏极上；其中，该源极及该漏极的侧壁上形成一金属氧化层。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括：一基板，其上方设置有一栅极；一栅极绝缘层，设于该栅极及该基板上；一有源层，设于该栅极绝缘层上，且该有源层位于该栅极上方；一源极及一漏极，设于该有源层上；以及一第一保护层，设于该源极及该漏极上；其中，该源极及该漏极的侧壁上形成一金属氧化层。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该源极与该漏极包含一金属元素，且该金属氧化层包含该金属元素。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该金属氧化层中的氧原子的含量为20-30at％。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一保护层的材料为一透明金属氧化物。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，该透明金属氧化物为ITO、IZO、AZO、GZO、IGZO、ITZO、或其组合。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一保护层的材料为一绝缘材料。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，该绝缘材料为氮化硅、氧化铝、氧化钛、或其组合。8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一保护层的侧壁相较于该源极及该漏极的该侧壁突出。9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该源极及该漏极包含至少一金属层，且该金属层的材料为铜、钼、铝、钛、或其组合。10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，该源极及该漏极包含多个金属层，且该多个金属层的材料包含铜/钼、铜/钛、钼/铜/钼、钼/铝/钼、或钼/铝/钛。11.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，该第一保护层包含该金属元素，且该第一保护层中的该金属元素...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冠锋，颜子旻，陈藏龙，王聿宸，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71