LCD设备及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种液晶显示LCD设备及其制造方法。该液晶显示设备包括：包括限定像素的电极结构层和被配置为切换像素的开关器件的第一基板；面对第一基板并包括公共电极的相对的第二基板；以及被设置在第一基板和第二基板之间的液晶层。该电极结构层包括耦合电极、第一像素电极、第二像素电极、以及被设置在耦合电极和第二像素电极之间的绝缘层。由耦合电极、绝缘层和第二像素电极限定的电阻Rp和电容Cp的第一乘积RpCp与由第二像素电极、液晶层和公共电极限定的电阻R2和电容C2的第二乘积R2C2之间的差的绝对值小于等于10。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用此申请要求2015年6月29日提交的韩国专利申请No.10-2015-0092029的优先权和权益，出于所有目的通过引用将其合并于此，如同在本文中完全阐述一样。
示例性实施例涉及LCD设备及其制造方法，并且更具体地，涉及包括耦合电容器的LCD设备及其制造方法。
技术介绍
液晶显示(LCD)设备可以包括两个基板以及被设置在这两个基板之间的液晶(LC)层，其中这两个基板包含诸如像素电极和公共电极的电场生成电极。在LCD设备中，可以通过向电场生成电极施加电压以在LC层中生成电场、确定包括在LC层中的LC分子的取向、以及通过电场控制入射光的偏振，来调整入射光的透射率。LCD设备可具有可控制每个像素的开关器件，并且对于每个像素，可以根据图像信号调整光的透射率，从而显示图像。LCD设备可被分类为可以通过使用在基板之间沿竖直方向形成的电场来驱动LC分子的竖直取向模式LCD设备以及可以使用与基板平行的水平电场的平面内切换模式LCD设备。竖直取向模式LCD设备可具有高对比度和宽视角。已经提出各种LCD设备驱动方法，来提高竖直取向模式LCD设备的侧向可视性，诸如图案化竖直取向(PVA)模式、多畴竖直取向(MVA)模式和超图案化竖直取向(S-PVA)模式。在S-PVA模式LCD设备中，每个像素电极可包括被分别施加不同电压的主像素电极和子像素电极。S-PVA模式LCD设备可以被分类为耦合电容器(CC)型LCD设备和双晶体管(TT)型LCD设备。在CC型LCD设备驱动方法中，耦合电容器可以形成在主像素电极与子像素电极之间。这样，被施加到子像素电极的数据电压可下降，使得低于主像素电压的电压可以作为子像素电压被施加到子像素电极。在TT型LCD设备中，可以通过使用两个晶体管分别向主像素电极和子像素电极施加具有彼此不同的电压电平的主像素单元电压和子像素单元电压。在此背景部分公开的上述信息仅用于增强对本专利技术构思的背景的理解，因此，它可能包含不形成在该国家本领域普通技术人员已经知晓的现有技术的信息。
技术实现思路
示例性实施例提供一种包括用于提高可视性并减小后像的耦合电容器的液晶显示(LCD)设备及其制造方法。另外方面将部分地在随后的具体描述中阐述，并且另外方面部分地根据本公开是显而易见的，或者可以通过对本专利技术构思的实践来获知。根据一个或多个示例性实施例，一种液晶显示设备包括：包括限定像素的电极结构层和被配置为切换像素的开关器件的第一基板；面对第一基板并包括公共电极的相对的第二基板；以及被设置在第一基板与第二基板之间的液晶层，其中电极结构层包括：电连接至开关器件的输出电极的耦合电极；电连接至开关器件的输出电极的第一像素电极；面对耦合电极并相对于耦合电极电浮置的第二像素电极；以及被设置在耦合电极与第二像素电极之间的绝缘层；并且由耦合电极、绝缘层和第二像素电极限定的电阻Rp和电容Cp的第一乘积RpCp与由第二像素电极、液晶层和公共电极限定的电阻R2和电容C2的第二乘积R2C2之间的差的绝对值小于等于10，如由公式|RpCp-R2C2|≤10所示。根据一个或多个示例性实施例，一种用于制造液晶显示设备的方法包括：形成第一基板，包括：形成电连接至第一基板上的开关器件的输出电极的耦合电极，开关器件被配置为切换像素；形成绝缘层以覆盖耦合电极和开关器件；形成穿过绝缘层的第一像素电极，第一像素电极电连接至开关器件的输出电极；并且形成与第一像素电极电绝缘的第二像素电极；并且形成包括公共电极的第二基板；以及在第一基板与第二基板之间形成液晶层，其中绝缘层包括材料，使得由耦合电极、绝缘层和第二像素电极限定的电阻Rp和电容Cp的第一乘积RpCp与由第二像素电极、液晶层和公共电极限定的电阻R2和电容C2的第二乘积R2C2之间的差的绝对值小于等于10，如由公式|RpCp-R2C2|≤10所示。前述一般性描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对要求保护的主题的进一步解释。附图说明被包括为提供对本专利技术构思的进一步理解并且被并入此说明书中且构成该说明书的一部分的附图示出了本专利技术构思的示例性实施例，并与描述一起解释本专利技术构思的原理。图1是示出了根据一个示例性实施例的液晶显示(LCD)设备的结构的剖视图。图2是示出了根据一个示例性实施例的LCD设备中的第一像素电极、第二像素电极和耦合电极的平面图。图3是示出了根据一个示例性实施例的LCD设备中的一个像素的等效电路图。图4是示出了根据一个示例性实施例由第二像素电极、绝缘层和耦合电极形成的电阻和电容的乘积根据LCD设备中的绝缘层的N与Si之比而变化的示意图。图5是示出了根据一个示例性实施例、当在LCD设备中通过使用化学气相沉积形成绝缘层时由第二像素电极、绝缘层和耦合电极形成的电阻和电容的乘积根据N2、NH3和SiH4的通量比变化的示意图。图6是第一像素电极、第二像素电极和公共电极的电压信号示意图，其概念性地示出了当通过使用耦合电容器方法将电压分割到两个像素电极时后像产生的原理。图7A、图7B和图7C是示出了用于分析引起后像的原因的测试样品的结构的剖视图。图8A、图8B和图8C是分别示出了图7A、图7B和图7C的测试样品的电压-透射率滞后曲线的示意图。图9A和图9B是示出了用于分析DC应力根据电容器的形状对电容的影响的测试样品的剖视图。图10A和图10B是示出了根据图9A和图9B的测试样品中的绝缘层的形成条件、在DC应力下电容的变化的示意图。图11A、图11B、图12A和图12B是示出了可以推断出图6的残余电压的闪烁消除法的示意图。图13是根据绝缘层的形成条件比较通过闪烁消除法推断的残余电压的示意图。具体实施方式在下面的描述中，出于解释的目的，为了提供对各种示例性实施例的彻底理解，阐述了许多具体的细节。然而，很明显，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等同布置的情况下实施。在其他情况下，为了避免不必要地使各种示例性实施例隐晦费解，公知的结构和设备以框图形式示出。在附图中，为了清楚和说明的目的，层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸可能被夸大了。另外，相同的附图标记指代相同的元件。当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上，直接连接至或联接至另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。出于公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为只有X、只有Y、只有Z、或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。相同的附图标记指代相同的元件。如本文所用，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。虽然术语第一、第二等可在本文中用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅用来区分一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分。因此，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可以被称为第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示设备，包括：第一基板，包括限定像素的电极结构层和被配置为切换所述像素的开关器件；相对的第二基板，面对所述第一基板并包括公共电极；以及液晶层，被设置在所述第一基板与所述第二基板之间，其中：所述电极结构层包括：电连接至所述开关器件的输出电极的耦合电极；电连接至所述开关器件的所述输出电极的第一像素电极；面对所述耦合电极并相对于所述耦合电极电浮置的第二像素电极；和设置在所述耦合电极与所述第二像素电极之间的绝缘层；并且由所述耦合电极、所述绝缘层和所述第二像素电极限定的电阻Rp和电容Cp的第一乘积RpCp与由所述第二像素电极、所述液晶层和所述公共电极限定的电阻R2和电容C2的第二乘积R2C2之间的差的绝对值小于等于10，如由下式所示：|RpCp‑R2C2|≤10。

【技术特征摘要】
2015.06.29 KR 10-2015-00920291.一种液晶显示设备，包括：第一基板，包括限定像素的电极结构层和被配置为切换所述像素的开关器件；相对的第二基板，面对所述第一基板并包括公共电极；以及液晶层，被设置在所述第一基板与所述第二基板之间，其中：所述电极结构层包括：电连接至所述开关器件的输出电极的耦合电极；电连接至所述开关器件的所述输出电极的第一像素电极；面对所述耦合电极并相对于所述耦合电极电浮置的第二像素电极；和设置在所述耦合电极与所述第二像素电极之间的绝缘层；并且由所述耦合电极、所述绝缘层和所述第二像素电极限定的电阻Rp和电容Cp的第一乘积RpCp与由所述第二像素电极、所述液晶层和所述公共电极限定的电阻R2和电容C2的第二乘积R2C2之间的差的绝对值小于等于10，如由下式所示：|RpCp-R2C2|≤10。2.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中所述第一乘积RpCp的值在大于等于30且小于等于40的范围内，如由下式所示：30≤RpCp≤40。3.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中所述绝缘层包括氮化硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛、五氧化二钽、氧化铪、氧化锆、钛酸锶钡、锆钛酸铅和聚合物材料中的至少一种。4.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中：所述绝缘层包括氮化硅；并且所述氮化硅中氮含量与硅含量之比在3至7的范围内。5.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中所述第二像素电极的面积与所述第一像素电极的面积之比在1∶1.5至1∶2.5的范围内。6.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中由所述耦合电极、所述绝缘层和所述第二像素电极限定的电容Cp被确定为使得所述第一像素电极与所述第二像素电极的电压之比在1∶0.7至1∶0.8的范围内。7.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述耦合电极包括透明导电材料。8.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中：所述液晶层包括面对所述第一像素电极的第一区域和面对所述第二像素电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔洛初，朴世容，郑仲干，金昌玉，黄仁载，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR