电子元器件传送装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电子元器件难以堵塞于传送路径的电子元器件传送装置。第1磁力发生部(24a)设置于中游部(23b)的第1侧壁(22a)的侧方。中游部(23b)的第1侧壁(22a)和第2侧壁(22b)的间隔比上游部(23a)的第1侧壁(22a)和第2侧壁(22b)的间隔及下游部(23c)的第1侧壁(22a)和第2侧壁(22b)的间隔要大。第1侧壁22b平坦地通过上游部(23a)、中游部(23b)、下游部(23c)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子元器件传送装置。
技术介绍
已知有层叠陶瓷电容器作为一种电子元器件。在层叠陶瓷电容器中，层叠有多个内部电极和陶瓷电介质层。一般而言，将层叠陶瓷电容器安装于基板来使用。在将层叠陶瓷电容器安装于基板时，内部电极的层叠方向与基板的表面平行的情况、和内部电极的层叠方向与基板的表面垂直的情况存在机械强度差，有时寄生电容值不同。此外，内部电极的层叠方向与基板的表面平行的情况、和内部电极的层叠方向与基板的表面垂直的情况下，有时噪声(acousticnoise)的大小不同。这里，“噪声”是指因所施加的电压变动而产生的层叠陶瓷电容器的失真导致基板发生振动，从而发出的声音。因此，要求在将内部电极的层叠方向排列在规定的方向的状态下，将层叠陶瓷电容器安装于基板。专利文献1中记载有将层叠陶瓷电容器排列在规定的方向上的电子元器件传送装置的一个示例。专利文献1所记载的传送装置具有第1传送路径、旋转路径及第2传送路径。旋转路径中设有第1磁体，以向电子元器件施加磁力，使得电子元器件的内部电极朝向规定的方向。旋转路径具有引导壁的间隔随着朝向与第2传送路径相连接的端部而逐渐变窄的过渡引导壁。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2011-018698号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题专利文献1所记载的电子元器件传送装置中具有如下问题：通过旋转路径的电子元器件的姿势发生倾斜，电子元器件易于堵塞。本专利技术的主要目的在于，提供一种电子元器件难以堵塞于传送路径的电子元器件传送装置。解决技术问题的技术方案本专利技术所涉及的电子元器件传送装置包括传送路径及第1磁力发生部。传送路径包含上游部、与上游部相连接的中游部及与中游部相连接的下游部。传送路径包含通过上游部、中游部、下游部的底面、第1侧壁、第2侧壁。第1侧壁和第2侧壁隔着间隔相对。第1磁力发生部设置于中游部的第1侧壁的侧方。中游部的第1侧壁和第2侧壁之间的间隔比上游部的第1侧壁和第2侧壁的间隔、及下游部的第1侧壁和第2侧壁的间隔要大。第1侧壁平坦地通过上游部、中游部、下游部。该情况下，电子元器件以与第1侧壁相接触的状态进行旋转，因此电子元器件的长度方向难以相对于传送方向倾斜。因此，电子元器件难以在中游部堵塞。本专利技术所涉及的电子元器件传送装置优选为，中游部包含与下游部相连接的过渡部，过渡部中，第2侧壁相对于传送方向倾斜，第1侧壁和第2侧壁之间的间隔随着接近下游部而变窄。该情况下，能更有效地抑制电子元器件堵塞于中游部。本专利技术所涉及的电子元器件传送装置优选为，还包括位于中游部的第2侧壁的侧方，且配置在比第1磁力发生部更靠近下游侧的第2磁力发生部，由第2磁力发生部发生的磁力比第1磁力发生部发生的磁力要弱。本专利技术所涉及的电子元器件传送装置优选为，在与传送方向正交的宽度方向上，第1磁力发生部不与包含第2磁力发生部的其他磁力发生部重叠，第2磁力发生部不与包含第1磁力发生部的其他磁力发生部重叠。该情况下，电子元器件变得易于旋转。本专利技术所涉及的电子元器件传送装置中，第1磁力发生部可以包含永磁体或电磁体。本专利技术所涉及的电子元器件传送装置中，传送路径可以是沿着长度方向对包含层叠的多个内部导体的长方体状的电子元器件进行传送的路径。专利技术效果根据本专利技术，能提供一种电子元器件难以堵塞于传送路径的电子元器件传送装置。附图说明图1是表示本专利技术的一实施方式所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性立体图。图2是表示本专利技术的一实施方式所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性俯视图。图3是本专利技术的一实施方式中传送的电子元器件的示意性立体图。图4是图3的线IV-IV处的示意性剖视图。图5是本专利技术的一实施方式中制造的编带电子元器件串列的示意性剖视图。具体实施方式下面，对实施本专利技术的优选实施方式的一个示例进行说明。但是，下述实施方式仅仅是一个示例。本专利技术并不限于下述任一实施方式。此外，在实施方式等所参照的各附图中，以相同的标号来参照实质上具有相同功能的构件。另外，实施方式等所参照的附图是示意性的记载。附图中绘制的物体的尺寸比例等有时与现实物体的尺寸比例等不同。附图相互间的物体的尺寸比例等也可能不同。具体的物体的尺寸比例等应当参考以下的说明来判断。图1是表示本实施方式所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性立体图。图2是表示本实施方式所涉及的电子元器件传送装置的主要部分的示意性俯视图。图1及图2所示的电子元器件传送装置2是对电子元器件1进行传送的装置。所传送的电子元器件1是长方体状的即可，并无特别限定。具体而言，本实施方式中，对利用电子元器件传送装置2来传送图3及图4所示的电子元器件1的示例进行说明。图3是本实施方式中传送的电子元器件1的示意性立体图。图4是图3的线IV-IV处的示意性剖视图。图3及图4所示的电子元器件1是长方体状的电容器。具体而言，电子元器件1是长方体状的层叠陶瓷电容器。本专利技术适用于易于发生噪声且具有较大的静电电容的电子元器件1，尤其适用于静电电容为1μF以上或10μF以上的电子元器件1。但是，本专利技术的电子元器件并不限于电容器。本专利技术的电子元器件也可以是热敏电阻、电感器等。电子元器件1包括电子元器件主体10。电子元器件主体10呈近似长方体状。另外，近似长方体除了长方体以外还包含长方体的角部、棱线部为圆形的情况。电子元器件主体10具有第1及第2主面10a、10b、第1及第2侧面10c、10d、第1及第2端面10e、10f(参照图4。)。第1及第2主面10a、10b分别沿着长度方向L及宽度方向W延伸。长度方向L和宽度方向W正交。第1及第2侧面10c、10d分别沿着长度方向L及厚度方向T延伸。厚度方向T分别与长度方向L及宽度方向W正交。第1及第2端面10e、10f分别沿着宽度方向W及厚度方向T延伸。沿着电子元器件主体10的长度方向L的尺寸比沿着宽度方向W及厚度方向T的尺寸要大。沿着电子元器件主体10的宽度方向W的尺寸与沿着电子元器件主体10的厚度方向T的尺寸实质相等。具体而言，沿着电子元器件主体10的宽度方向W的尺寸是沿着电子元器件主体10的厚度方向T的尺寸的0.8倍以上1.2倍以下。具体而言，作为易于利用磁力使电子元器件1旋转的尺寸，本实施方式中，电子元器件主体10的沿着长度方向L的尺寸优选为0.6mm以上2.0mm以下。电子元器件主体10的沿着宽度方向W的尺寸优选为0.3mm以上1.0mm以下。电子元器件主体10的沿着厚度方向T的尺寸优选为0.3mm以上1.0mm以下。为了获得较大的静电电容，电子元器件主体10由强电介质陶瓷构成。作为电介质陶瓷的具体例，例举出例如BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3等。可以根据电子元器件1所要求的特性，在电子元器件主体10中适当添加例如Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土类化合物等副成分。强电介质陶瓷的相对介电常数优选为2000以上，进一步优选为3000以上。该情况下，能在上述电子元器件主体10的尺寸范围内实现1μF以上或10μF以上的静电电容。上述电子元器件1易于产生噪声，能适用于本专利技术。如图4所示，在电子元器件主体10的内部作为内部导体设有多个第1内部电极11和多个第2内部电极12。第1内部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元器件传送装置，其特征在于，包括：传送路径；以及第1磁力发生部，所述传送路径包含上游部、与所述上游部相连接的中游部及与所述中游部相连接的下游部，所述传送路径包含通过所述上游部、所述中游部、所述下游部的底面、第1侧壁、及第2侧壁，所述第1侧壁和所述第2侧壁隔着间隔相对，所述第1磁力发生部设置于所述中游部的所述第1侧壁的侧方，所述中游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁的间隔比所述上游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁的间隔、及所述下游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁的间隔要大，所述第1侧壁平坦地通过所述上游部、所述中游部、所述下游部。

【技术特征摘要】
2015.07.02 JP 2015-1333341.一种电子元器件传送装置，其特征在于，包括：传送路径；以及第1磁力发生部，所述传送路径包含上游部、与所述上游部相连接的中游部及与所述中游部相连接的下游部，所述传送路径包含通过所述上游部、所述中游部、所述下游部的底面、第1侧壁、及第2侧壁，所述第1侧壁和所述第2侧壁隔着间隔相对，所述第1磁力发生部设置于所述中游部的所述第1侧壁的侧方，所述中游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁的间隔比所述上游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁的间隔、及所述下游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁的间隔要大，所述第1侧壁平坦地通过所述上游部、所述中游部、所述下游部。2.如权利要求1所述的电子元器件传送装置，其特征在于，所述中游部包含与所述下游部相连接的过渡部，所述过渡部中，所述第2侧壁相对于传送方...

【专利技术属性】
技术研发人员：角方胜，田中尚登，三井肇，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP