【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电源转换领域,特别涉及一种DC/DC电源电路。
技术介绍
功率反射计通常用于测量射频(RF)或微波频率(MW)信号的功率。典型的功率反射计使用功率检测器或换能器,以便将RF或MW功率转换为可容易测量的电参量。功率反射计在许多类型的RF和MW系统中也具有应用。而射频功率反射计在使用时通常需要特定的供电电源为其进行供电。在供电时,需要不同的供电电压对不同的模块进行供电,然而现有的电源不能满足功率反射计所需要的电压指标。
技术实现思路
本专利技术在于克服现有技术的上述不足,提供一种能够满足功率反射计所需要的电压指标的DC/DC电源电路。为了实现上述专利技术目的,本专利技术采用的技术方案是:一种DC/DC电源电路,包括电压转换芯片LTC1876EG,所述芯片引脚1连接第一电阻R90、第一电容C37、所述第一电阻R90另一端连接第二电容C54、第一二极管V36正极、第三电容C34、第二电阻R89、第三电阻R31、第二二极管V35正极、所述芯片引脚29,所述第一电容C37、第二电容C54另一端均接地,所述第一二极管V36负极连接所述芯片引脚33、第四电容C38,所 ...
【技术保护点】
一种充电控制电路,其特征在于,包括BQ2954芯片,所述芯片引脚1连接第一电容(C46),第一电阻(R116),所述第一电容(C46)另一端接地,所述第一电阻(R116)另一端连接第二电容(C22)、+5V电压接口,所述第二电容(C22)另一端接地;所述芯片引脚13通过所述第二电容(C22)接地;所述芯片引脚2通过第一发光二极管(V43)连接第二电阻(R45),所述第二电阻(R45)另一端连接+5V电压接口,所述芯片引脚11连接第三电阻(R44),所述第三电阻(R44)另一端连接第二发光二极管(V42)负极、第三发光二极管(V44)负极,所述第二发光二极管(V42)正极连接 ...
【技术特征摘要】
1.一种充电控制电路,其特征在于,包括BQ2954芯片,所述芯片引脚1连接第一电容(C46),第一电阻(R116),所述第一电容(C46)另一端接地,所述第一电阻(R116)另一端连接第二电容(C22)、+5V电压接口,所述第二电容(C22)另一端接地;所述芯片引脚13通过所述第二电容(C22)接地;所述芯片引脚2通过第一发光二极管(V43)连接第二电阻(R45),所述第二电阻(R45)另一端连接+5V电压接口,所述芯片引脚11连接第三电阻(R44),所述第三电阻(R44)另一端连接第二发光二极管(V42)负极、第三发光二极管(V44)负极,所述第二发光二极管(V42)正极连接第四电阻(R36),所述第四电阻(R36)另一端连接所述芯片引脚12、第三电容(C64),所述第三电容(C64)连接所述芯片引脚9,所述第三发光二极管(V44)正极连接第五电阻(R81),所述第五电阻(R81)另一端连接所述芯片引脚12,所述芯片引脚12还接地;所述芯片引脚15连接第六电阻(R111),所述第六电阻(R111)另一端连接第一MOS管G级,所述第一MOS管S级接地,所述第一MOS管D级连接第七电阻(R37),所述第七电阻(R37)另一端连接第一三极管(V9)基极、第八电阻(R82),所述第一三极管(V9)发射级与所述第八电阻(R82)另一端均连接+5V电压接口,所述第一三极管(V9)集电极通过第九电阻R54连接第一LED充电指示灯;所述芯片引脚16连接第十电阻(R110),所述第十电阻(R110)另一端连接第二MOS管G级,所述第二MOS管S级接地,所述第二MOS管D级连接第十一电阻(R38),所述第十一电阻(R38)另一端连接第二三极管(V10)基极、第十二电阻(R83),所述第二三极管(V10)发射级与所述第十二电阻(R83)另一端均连接+5V电压接口,所述第二三极管(V10)集电极通过第十三电阻(R53)连接第二LED充电指示灯;所述芯片引脚14连接第三三极管(V20)基极、第四三极管(V8)基极,所述第三三极管(V20)集电极连接稳压二极管(V40)负极、第四电容C43)、+5V电压接口,所述第三三极管V20发射机连接第四三极管(V8)发射机、第十四电阻(R52)、第三MOS管(V41)G级,所述第十四电阻(R52)另一端、所述第四三极管(V8)集电极、所述稳压二极管(V40)正极、所述第四电容(C43)另一端均接地,所述第三MOS管(V41)S级接地,D级连接电感(L6)、第一二极管(V13)正极、第二二极管(V14)正极,所述电感(L6)另一端连接电压输入端口(VIN)、第五电容(C...
【专利技术属性】
技术研发人员:李杰,蒋承武,
申请(专利权)人:成都前锋电子仪器有限责任公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
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