【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及处理在半导体、液晶等电子设备制造领域中产生的含有表面活性剂的排水的方法。
技术介绍
在半导体、液晶等电子设备制造领域所使用的超纯水的制造装置中，作为有机物质(TOC)除去装置，通常设置有反渗透(RO)膜分离装置。特别是在从TOC为数mg/L左右的含有低浓度TOC的排水中将TOC除去来作为超纯水制造装置的原水进行回收、再利用的排水回收系统中，RO膜分离装置被广泛使用。但是，在RO膜分离装置的原水(以下有时称“RO给水”)中含有作为TOC成分的非离子性表面活性剂时，存在如下问题RO膜分离装置的RO膜被非离子性表面活性剂显著污染，膜通量降低而导致处理水量降低。以往，为了解决这种膜污染的问题，一般采用在RO膜分离装置的前段设置活性炭吸附塔、来吸附除去非离子性表面活性剂的方法，但是，在这种方法中存在产生大量废弃活性炭的问题。关于该非离子性表面活性剂导致的RO膜污染的问题，在非专利文献1中，报道了如果以某种程度分解非离子性表面活性剂，使其表面活性能力丧失，则其分解物质没有RO膜污染性。另外，在专利文献1中，为了防止RO膜污染，提出了将原水进行臭氧氧化后进行R...
【技术保护点】
一种含有表面活性剂排水的处理方法，其是将含有表面活性剂排水用氧化工序和膜分离工序顺次处理的方法，其特征在于， 该氧化工序是使该排水在碱性条件下与臭氧接触，将该排水中的表面活性剂氧化处理的工序； 该膜分离工序是对从该氧化工序排出的碱性氧化处理水进行膜分离的工序。
【技术特征摘要】
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