用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中所述含硅聚合物在1H-NMR光谱中具有小于或等于12的Si-H积分值的总和。所述Si-H积分值的所述和在说明书中描述的条件下计算。本发明专利技术的用于形成二氧化硅层的组成物能够减少在固化期间产生的出气的量，获得具有最小缺陷的二氧化硅层。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本专利技术要求2015年5月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0068120号的优先权和权益，其全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物，一种用于制造二氧化硅层的方法，以及一种根据所述方法制造的二氧化硅层以及电子装置。
技术介绍
平板显示器使用包含栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体的薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)作为切换装置，并且配备有传递用于控制薄膜晶体管的扫描信号的栅极线和传递施加到像素电极的信号的数据线。另外，在半导体与若干电极之间形成绝缘层以将其隔开。绝缘层可以通过使用含硅组成物形成。此处，绝缘层可能会在制造过程期间产生大量出气，因此是高度缺陷性的，并且此缺陷可能会对装置的良率和可靠性具有令人不满意的影响。
技术实现思路
本专利技术的一个实施例提供一种用于形成二氧化硅层的组成物，其最小化所述层的出气量。本专利技术的另一个实施例提供一种使用所述用于形成二氧化硅层的组成物制造二氧化硅层的方法。本专利技术的又一个实施例提供一种根据所述方法制造的二氧化硅层。本专利技术的再一个实施例提供一种电子装置，其包含所述二氧化硅层。根据一个实施例，提供一种用于形成二氧化硅层的组成物，其包含含硅聚合物和溶剂，并且所述含硅聚合物在1H-NMR光谱中具有小于或等于12的Si-H积分值的总和。所述Si-H积分值的总和依序通过条件1下的以下步骤S1和步骤S2获得。[条件1]步骤S1.通过添加含硅聚合物到二丁醚(dibutylether，DBE)中以制备固体含量是15重量％±0.1重量％的样品1，然后将其用CDCl3(氯仿-d)溶剂稀释20％，制备样品2。步骤S2.在300MHz下测量所述样品2的1H-NMR光谱，以根据以下方法计算Si-H1、Si-H2以及Si-H3的积分值的和，重复此计算三次，并且然后将由其获得的三个和算术平均，以获得所述Si-H积分值的总和。(一种计算Si-H1、Si-H2以及Si-H3的积分值的和的方法)假设二丁醚的积分值是40，分别计算对应于所述含硅聚合物中所存在的所述Si-H1和Si-H2的峰(峰B)和对应于所述Si-H3的峰(峰C)的每个积分值。然后，对所述峰B和峰C求和，并且所述和被视为所述Si-H1、Si-H2以及Si-H3的积分值的和。所述Si-H积分值的和可以在5到12范围内。具体来说，所述Si-H积分值的和可以在8到11.5范围内。所述含硅聚合物可以是聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。所述溶剂可以包含由以下各项中选出的至少一个：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、环己烷、环己烯、十氢萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基环己烷、甲基环己烷、环己烷、对薄荷烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基异丁基酮和其组合。所述含硅聚合物可以包含由化学式1表示的部分。[化学式1]在化学式1中，R1到R3独立地是氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基或其组合，并且“*”表示键联点。所述含硅聚合物可以还包含由化学式2表示的部分。[化学式2]化学式2的R4到R7独立地是氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基或其组合，并且“*”表示键联点。以所述用于形成二氧化硅层的组成物的总量计，所述含硅聚合物可以0.1重量％到30重量％的量包含在内。根据一个实施例，提供一种制造二氧化硅层的方法，其包含将所述用于形成二氧化硅层的组成物涂覆于衬底上，干燥涂覆有所述用于形成二氧化硅层的组成物的所述衬底，以及在包含惰性气体的氛围下在150℃或高于150℃下固化所述衬底。所述用于形成二氧化硅层的组成物可以使用旋涂方法涂布。根据又一个实施例，提供一种二氧化硅层，其使用所述组成物制造。根据再一个实施例，提供一种电子装置，其包含二氧化硅层。本专利技术提供一种用于形成二氧化硅层的组成物，其能够减少在固化期间
产生的出气的量，获得具有最小缺陷的二氧化硅层。附图说明图1是说明计算实例1中的Si-H1、Si-H2以及Si-H3的积分值的和的方法的图。具体实施方式本专利技术的例示性实施例将在下文中进行详细描述，并且可以容易由具有相关领域中常识的人员执行。然而，本专利技术可以多种不同形式实施，并且不应解释为限于本文中所阐述的例示性实施例。在附图中，为清楚起见放大层、膜、面板、区域等的厚度。在说明书通篇，相似附图元件符号表示相似元件。应理解，当如层、膜、区域或衬底的元件被称作“在”另一个元件“上”时，其可以直接在另一个元件上或还可以存在插入元件。相比之下，当元件被称作“直接在”另一个元件“上”时，不存在插入元件。如本文所用，当未另外提供定义时，术语‘经取代’可以指经由以下各项中选出的取代基取代代替化合物的氢原子：卤素原子(F、Br、Cl或I)、羟基、烷氧基、硝基、氰基、氨基、叠氮基、脒基、肼基、亚肼基、羰基、氨甲酰基、硫醇基、酯基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、烷基、C2到C16烯基、C2到C16炔基、芳基、C7到C13芳基烷基、C1到C4氧基烷基、C1到C20杂烷基、C3到C20杂芳基烷基、环烷基、C3到C15环烯基、C6到C15环炔基、杂环烷基和其组合。如本文所用，当未另外提供定义时，术语“杂”是指包含1到3个由以下各项中选出的杂原子：N、O、S以及P。如本文所用，当未另外提供定义时，“*”表示相同或不同原子或化学式的键联点。在下文中，描述一种根据一个实施例的用于形成二氧化硅层的组成物。根据一个实施例的用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂。所述含硅聚合物是在结构中包含Si的聚合物，并且可以是例如聚硅氮烷、
聚硅氧氮烷或其组合。在本专利技术的一个实施例中，所述含硅聚合物在1H-NMR光谱中具有预定Si-H积分值。具体来说，所述含硅聚合物在1H-NMR光谱中具有小于或等于12的Si-H积分值的总和，并且此处，Si-H积分值的总和是通过1H-NMR光谱获得的Si-H1、Si-H2以及Si-H3的积分值的和。换句话说，Si-H1的积分值是来源于Si-H1的峰面积，Si-H2的积分值是来源于Si-H2的峰面积，Si-H3的积分值是来源于Si-H3的峰面积，并且Si-H积分值的总和是这些峰面积的总和。Si-H积分值的总和通过条件1中提供的步骤S1和步骤S2获得。S1.通过添加含硅聚合物到二丁醚(DBE)溶剂中以制备固体含量是15重量％±0.1重量％的样品1，接着将其用CDCl3(氯仿-d)溶剂稀释20％，以制备样品2。S2.在300MHz下测量所述样品2的1H-NMR光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成二氧化硅层的组成物，包括：含硅聚合物，和溶剂，其中所述含硅聚合物在1H‑NMR光谱中具有小于或等于12的Si‑H积分值的总和，并且所述Si‑H积分值的总和通过条件1中提供的以下步骤S1和步骤S2计算：[条件1]步骤S1：通过添加所述含硅聚合物到二丁醚溶剂中以制备固体含量是15重量％±0.1重量％的样品1，然后用CDCl3溶剂将所述样品1稀释20％，以制备样品2，和步骤S2：在300MHz下测量所述样品2的1H‑NMR光谱，以计算Si‑H1、Si‑H2以及Si‑H3的积分值的总和，重复计算所述Si‑H1、Si‑H2以及Si‑H3的积分值的总和三次以获得三个测量值，将所述三个测量值平均，以获得所述Si‑H积分值的总和，其中计算所述Si‑H1、Si‑H2以及Si‑H3的积分值的总和的方法如下：设定所述二丁醚溶剂的积分值是40，分别计算对应于所述含硅聚合物中所存在的Si‑H1和Si‑H2的峰的积分值和对应于Si‑H3的峰的积分值，并且对对应于Si‑H1和Si‑H2的峰的积分值和对应于Si‑H3的峰的积分值求和，以获得所述Si‑H1、Si‑H2以及Si‑H3的积分值的总和。

【技术特征摘要】
2015.05.15 KR 10-2015-00681201.一种用于形成二氧化硅层的组成物，包括：含硅聚合物，和溶剂，其中所述含硅聚合物在1H-NMR光谱中具有小于或等于12的Si-H积分值的总和，并且所述Si-H积分值的总和通过条件1中提供的以下步骤S1和步骤S2计算：[条件1]步骤S1：通过添加所述含硅聚合物到二丁醚溶剂中以制备固体含量是15重量％±0.1重量％的样品1，然后用CDCl3溶剂将所述样品1稀释20％，以制备样品2，和步骤S2：在300MHz下测量所述样品2的1H-NMR光谱，以计算Si-H1、Si-H2以及Si-H3的积分值的总和，重复计算所述Si-H1、Si-H2以及Si-H3的积分值的总和三次以获得三个测量值，将所述三个测量值平均，以获得所述Si-H积分值的总和，其中计算所述Si-H1、Si-H2以及Si-H3的积分值的总和的方法如下：设定所述二丁醚溶剂的积分值是40，分别计算对应于所述含硅聚合物中所存在的Si-H1和Si-H2的峰的积分值和对应于Si-H3的峰的积分值，并且对对应于Si-H1和Si-H2的峰的积分值和对应于Si-H3的峰的积分值求和，以获得所述Si-H1、Si-H2以及Si-H3的积分值的总和。2.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物，其中所述Si-H积分值的总和在5到12范围内。3.根据权利要求2所述的用于形成二氧化硅层的组成物，其中所述Si-H积分值的总和在8到11.5范围内。4.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物，其中所述含硅聚合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。5.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物，其中所述溶剂包括由以下各项中选出的至少一个：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、环己烷、环己烯、十氢萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基环己烷、甲基环己烷、环己烯、对薄荷烷、...

【专利技术属性】
技术研发人员：李殷善，金佑翰，尹熙灿，裴鎭希，黄丙奎，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR