一种制备二硅化钨粉末的方法技术
【技术实现步骤摘要】
一种制备二硅化钨粉末的方法
本专利技术涉及一种制备二硅化钨粉末的方法。更具体地，是一种以钨粉和硅粉为原料，利用钨和硅之间的反应放热合成二硅化钨粉末的方法。
技术介绍
燃烧合成，或称为自蔓延高温合成，是一种利用放热反应合成材料的技术。对于一个放热反应，其能否自我维持至所有物料反应完毕的经验性热力学判据是反应的绝热燃烧温度Tad≥1800K。由元素钨和硅合成二硅化钨的反应：，其计算得出的绝热燃烧温度Tad＝1511K。这不能满足上述反应自我维持的热力学判据。因此，用钨和硅的混合粉直接点燃是不能合成WSi2的。Munir等人的美国专利No.5380409以及他们在文章“Field Effects inSelf-propagating Solid State Synthesis Reactions”(Solid State Ionics，1997，101-103：991-1001)中提出用电场活化钨的硅化物的燃烧合成，得到了WSi2。但这需要另外的一套施加电场的装置并消耗电能。
技术实现思路
本专利技术的目在于：提供一种制备二硅化钨粉末的方法，其中利用高放热体系的反应热加热并点燃钨与硅的合成反应。本专利技术WSi2的制备方法包括以下步骤：(1)将钨粉和硅粉按摩尔比1∶2配料，将钛粉与石墨粉按摩尔比1∶1配料，然后分别混合均匀；(2)将W-Si混合粉装在坩埚中央，Ti-C混合粉均匀装在W-Si混合粉与坩埚之间，最后在所有混合粉的顶部装一层Ti-C混合粉，坩埚内所装的Ti-C混合粉与W-Si混合粉的重量比例为(0.8～1.2)∶1；(3)将装混合粉的坩埚装入一个密闭的反...
【技术保护点】
一种制备二硅化钨粉末的方法，其特征在于：具体制备步骤如下：ａ、将钨粉和硅粉按摩尔比１∶２配料，将钛粉与石墨粉按摩尔比１∶１配料，然后分别混合均匀；ｂ、将Ｗ－Ｓｉ混合粉装在坩埚中央，Ｔｉ－Ｃ混合粉均匀装在Ｗ－Ｓｉ混合粉与坩埚之间，最后在所有混合粉的顶部装一层Ｔｉ－Ｃ混合粉，坩埚内所装的Ｔｉ－Ｃ混合粉与Ｗ－Ｓｉ混合粉的重量比例为（０．８～１．２）∶１；ｃ、将装混合粉的坩埚装入一个密闭的反应器中，抽真空后充入氩气，然后用钨丝通电引发混合料间的反应；ｄ、冷却后取出反应后的物料，将二硅化钨与碳化钛分开，分别破碎后得到二硅化钨粉和碳化钛粉。
【技术特征摘要】
1.一种制备二硅化钨粉末的方法，其特征在于：具体制备步骤如下：a、将钨粉和硅粉按摩尔比1∶2配料，将钛粉与石墨粉按摩尔比1∶1配料，然后分别混合均匀；b、将W-Si混合粉装在坩埚中央，Ti-C混合粉均匀装在W-Si混合粉与坩埚之间，最后在所有混合粉的顶部装一层Ti-C...
【专利技术属性】
技术研发人员：林涛，郭志猛，曲选辉，高峰，李艳，崔凤娥，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
- 暂无相关专利
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