液晶膜拼接结构及应用其的调光玻璃、装置制造方法及图纸

技术编号:14277806 阅读:128 留言:0更新日期:2016-12-24 20:39
一种液晶膜拼接结构,其包括邻接设置且电性连接的至少两个液晶膜单元,该每一液晶膜单元包括液晶-高分子芯层、分别结合于该液晶-高分子芯层相对两表面的二导电层、及分别结合于每一导电层的远离液晶-高分子芯层的表面的二基材。所述液晶膜拼接结构通过使用电性连接的多个液晶膜单元拼接而成,从而实现了液晶膜拼接结构局部区域的透光度的调节。另外,本发明专利技术还提供一种应用所述液晶膜拼接结构的调光玻璃,应用该调光玻璃的装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶膜拼接结构、应用该液晶膜拼接结构的调光玻璃及应用该调光玻璃的装置。
技术介绍
调光玻璃又名智能电控调光玻璃、电控玻璃、智能调光玻璃、魔术玻璃、液晶玻璃等。调光玻璃可以通过通断电控制光线的透过,其中调光玻璃中最主要的元件是聚合物分散液晶(Polymer dispersed liquid crystal,PDLC)膜。目前的调光玻璃通常是在玻璃中夹入一片PDLC膜,这样在单片调光玻璃中,只能通过控制整块PDLC膜的透光度来控制整块玻璃的透光度,不能调节PDLC膜及玻璃的局部或者特定区域的透光度。另外,当调光玻璃的尺寸较大时,通常需要对应配置尺寸较大的PDLC膜。然而,尺寸越大的PDLC膜其制作的良率越低。
技术实现思路
有鉴于此,有必要提供一种可局部调节透光度的液晶膜拼接结构。另,还有必要提供一种应用上述液晶膜拼接结构的调光玻璃。另,还有必要提供一种应用上述调光玻璃的装置。一种液晶膜拼接结构,其包括邻接设置且电性连接的至少两个液晶膜单元,该每一液晶膜单元包括液晶-高分子芯层、分别结合于该液晶-高分子芯层相对两表面的二导电层、及分别结合于每一导电层的远离液晶-高分子芯层的表面的二基材。一种应用上述液晶膜拼接结构的调光玻璃,该调光玻璃还包括分别设置于该液晶膜拼接结构的二基材远离液晶高分子芯层表面的二透明玻璃面板、结合于该基材与每一透明玻璃面板之间的透明胶层、及电性连接于该液晶膜拼接结构与外部电源之间的导电组件。一种装置,其应用上述调光玻璃。本专利技术的液晶膜拼接结构,通过将邻接设置的二液晶膜单元电性连接,实现了使用小尺寸的液晶膜单元拼接形成大尺寸的液晶膜拼接结构,可以避免大尺寸的PDLC膜的使用,从而提高了PDLC膜生产时的良率,节约成本。附图说明图1为液晶膜单元的截面示意图。图2为本专利技术较佳实施方式的液晶膜拼接结构的示意图。图3为本专利技术第一实施方式的液晶膜拼接结构的截面示意图。图4为本专利技术第二实施方式的液晶膜拼接结构的截面示意图。图5为本专利技术第三实施方式的液晶膜拼接结构的截面示意图。图6为本专利技术较佳实施方式的调光玻璃的截面示意图。主要元件符号说明PDLC膜拼接层10、10A、10B、10C液晶膜单元11第一液晶膜单元11a第二液晶膜单元11b液晶-高分子芯层111、111a、111b第一导电层112、112a、112b第二导电层113、113a、113b基材114、114a、114b容置空间115导电件14绝缘件15透明玻璃面板20透明胶层30导电组件40第一导电组件41第二导电组件42调光玻璃100如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参阅图1,液晶膜单元11包括液晶-高分子芯层111、分别结合于该液晶-高分子芯层111相对的两表面的第一导电层112和第二导电层113、及分别结合于该第一导电层112和第二导电层113的远离液晶-高分子芯层111的表面的二基材114。该液晶-高分子芯层111由本领域常规用于聚合物分散液晶(Polymer dispersed liquid crystal,PDLC)膜的液晶微滴均匀地分散在高分子网络中所形成。该液晶可以为胆固醇型液晶、双稳态液晶或向列式液晶等。该第一导电层112和第二导电层113的材料可为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟镓锌(IGZO)等本领域常规用于PDLC膜的透明导电材料制成。该基材114的材质为玻璃、石英、树脂等本领域常规用于PDLC膜的透明材料制成。该液晶膜单元11通电时,该液晶膜单元11的第一导电层112和第二导电层113之间形成电势差,使液晶-高分子芯层111中的液晶的排列方向改变为规则排列,光线可以自由穿透,从而使该液晶膜单元11呈透明状态;该液晶膜单元11不通电时,液晶-高分子芯层111中的液晶恢复不规则的排列的状态,使光线无法穿透,从而使液晶膜单元11呈不透明状态,如此即达到了调节液晶膜单元11透光度的目的。请进一步参阅图1,本实施例中所述液晶膜单元11还可以电性连接一导电组件40,该液晶膜单元11通过该导电组件40与外部电源(图未示)电性连接。该导电组件40包括电性连接于第一导电层112的第一导电组件41、及电性连接于第二导电层113的第二导电组件42。该第一导电组件41和第二导电组件42分别用于将第一导电层112和第二导电层113与外部电源200连接。请进一步参阅图2,本专利技术较佳实施方式的液晶膜拼接结构10由至少两个液晶膜单元11拼接而成。该液晶膜拼接结构10的相邻的二液晶膜单元11通过其中一液晶膜单元11的第一导电层112或第二导电层113与另一液晶膜单元11的第一导电层112或第二导电层113电性连接。请结合参阅图3~5,以下通过介绍相邻的两个液晶膜单元11之间的拼接结构来说明本专利技术的液晶膜拼接结构10中的液晶膜单元11之间的拼接方式。将该两个邻接设置的液晶膜单元11分别命名为第一液晶膜单元11a和第二液晶膜单元11b。该第一液晶膜单元11a的液晶-高分子芯层111a与第二液晶膜单元11b的液晶-高分子芯层111b正对,且该第一液晶膜单元11a的二基材114a分别与第二液晶膜单元11b的二基材114b正对且分别固接。请参阅图3,本专利技术第一实施方式的液晶膜拼接结构10A,第一液晶膜单元11a的第一导电层112a与第二液晶膜单元11b的第二导电层113b直接电性连接,第一液晶膜单元11a的二基材114a分别与第二液晶膜单元11b的二基材114b固接。在第一液晶膜单元11a与第二液晶膜单元11b相接处,该电性连接在一起的第一导电层112a和第二导电层113b与其两侧的基材114a、114b之间分别形成有容置空间115,该容置空间115使第一液晶膜单元11a的第二导电层113a与电性连接在一起的第一导电层112a和第二导电层113b之间绝缘,该容置空间115使第二液晶膜单元11b的第一导电层112b与电性连接在一起的第一导电层112a和第二导电层113b之间绝缘。该第一液晶膜单元11a的二基材114a分别与第二液晶膜单元11b的二基材114b通过本领域常规使用的透明粘接剂粘接在一起,该第一导电层112a与第二导电层113b可通过热压的方式直接电性连接在一起,该第一导电层112a与第二导电层113b的拼接结构位于液晶-高分子芯层111a和液晶-高分子芯层111b之间。将电性连接的第一导电层112a和第二导电层113b与电源的正极连接,则液晶-高分子芯层111a两侧的第一导电层112a与第二导电层113a之间形成电势差,液晶-高分子芯层111b两侧的第一导电层112b与第二导电层113b之间形成电势差,液晶-高分子芯层111a和液晶-高分子芯层111b中的液晶的排列方向改变为规则排列,光线可以自由穿透,从而使液晶膜拼接结构10A呈透明状态。可以理解的,可以在容置空间115内填充本领域常规使用的透明绝缘胶材(图未示),从而使第一液晶膜单元11a的第二导电层113a与电性连接在一起的第一导电层112a和第二导电层113b之间达到更好的绝缘效果,使第二液晶膜单元11b的第一导电层112b与电性连接在一起的第一导电层112a和第二导电层113b之间达到更好的绝缘效果。在制作第一实施例的液晶膜本文档来自技高网...
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【技术保护点】
一种液晶膜拼接结构,其特征在于:该液晶膜拼接结构包括邻接设置且电性连接的至少两个液晶膜单元,该每一液晶膜单元包括液晶‑高分子芯层、分别结合于该液晶‑高分子芯层相对两表面的二导电层、及分别结合于每一导电层的远离液晶‑高分子芯层的表面的二基材。

【技术特征摘要】
1.一种液晶膜拼接结构,其特征在于:该液晶膜拼接结构包括邻接设置且电性连接的至少两个液晶膜单元,该每一液晶膜单元包括液晶-高分子芯层、分别结合于该液晶-高分子芯层相对两表面的二导电层、及分别结合于每一导电层的远离液晶-高分子芯层的表面的二基材。2.如权利要求1所述的液晶膜拼接结构,其特征在于:所述每邻接设置的两个液晶膜单元,其中一液晶膜单元的一导电层电性连接另一液晶膜单元的一导电层,所述液晶膜拼接结构中相互邻接设置的二液晶膜单元为第一液晶膜单元和第二液晶膜单元,该第一液晶膜单元的液晶-高分子芯层与第二液晶膜单元的液晶-高分子芯层正对,且该第一液晶膜单元的二基材分别与第二液晶膜单元的二基材正对且分别固接。3.如权利要求2所述的液晶膜拼接结构,其特征在于:所述第一液晶膜单元的一导电层与第二液晶膜单元的一导电层直接电性连接,且该电性连接的二导电层的拼接结构位于正对的二液晶-高分子芯层之间,该电性连接的二导电层分别位于正对的二液晶-高分子芯层的两侧。4.如权利要求2所述的液晶膜拼接结构,其特征在于:所述液晶膜拼接结构还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘昱辰邱竣郁
申请(专利权)人:正达国际光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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