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高纯度、高密度烧结氧化钨材料制造技术

技术编号:1426619 阅读:252 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
高纯度、高密度烧结氧化钨材料。本发明专利技术属于无机化学非金属元素;其化合物。本发明专利技术公开了一种新型的致密的氧化钨材料的制备。其特征是不添加任何烧结助剂而使氧化钨烧结致密化,从而使这种烧结氧化钨的纯度高于99%,密度大于6.7g/cm3。这种致密的氧化钨可作为氧化钨镀膜用靶材、宽带半导体材料等在光学玻璃、平板显示、光电转换、电致变色、光致变色等领域有广泛的应用。

【技术实现步骤摘要】
高纯度、高密度烧结氧化钨材料
:本专利技术属于无机化学非金属元素;其化合物。
技术介绍
:氧化钨薄膜是一种被广泛研究的功能材料。它有优异的短波透光性,禁带宽度容易通过掺杂调节,通过离子注入、紫外光子辐照、气体分子吸附,其光学、电学特性会产生显著的变化,因此在光学玻璃、平板显示、光电转换、电致变色、光致变色等领域有广泛的应用前景。氧化钨薄膜的制备方法主要有:物理气相沉积、化学气相沉积、喷雾热解、阳极氧化、电解沉积法、溶胶-凝胶等各种方法。其中由于物理气相沉积制备的氧化钨薄膜与基体的结合强度高、沉积效率高、工艺成熟稳定而被广泛应用。而用物理气相沉积制备氧化钨薄膜需要使用致密氧化钨靶材,通过能量束将氧化钨靶材中的氧化钨轰击气化,再沉积到基体表面。由于纯三氧化钨自扩散系数低,并且在1470℃左右熔化,因此很难烧结致密。若添加烧结助剂,则气相沉积的氧化钨薄膜由于杂质而影响其性能光电特性。
技术实现思路
:本专利技术公开了一种新型的致密的氧化钨材料的制备。其特征是不添加任何烧结助剂而使氧化钨烧结致密化,从而使这种烧结氧化钨的纯度高于99%,密度大于6.7g/cm3。由于其高纯度和高密度,这种致密的氧化钨材料适合作为氧化钨镀膜用的靶材。本专利技术详细研究并掌握了球磨、成型及烧结工艺对烧结氧化钨材料的致密化、性能及结构的影响规律,从而可对其致密化、结构与性能进行有效的控制,制备出高纯度、高密度的致密的氧化钨材料。附图说明:下面结合附图对本专利技术作进一步说明:附图:高纯度、高密度烧结氧化钨材料的制备工艺流程图。下面结合附图对本专利技术作进一步说明:如附图所示,本专利技术的工艺流程是:先将氧化钨粉末、成形剂聚乙二醇(PEG)加入球磨机中湿磨混合,液体介质为水或酒精,充分湿磨混合均匀后,经干燥过筛制粒得到混合料,然后成型(干压、冷等静压、注射成型等),得到生坯,经脱成型剂后,即可在空气中进行常压烧结或气压烧结,得到高纯度、高密度的烧结氧化钨。本专利技术的优点在于既适用于普通的氧化钨粉末原料(粉末粒度5-30微米)也用于超细的氧化钨粉末原料(小于5微米),并且不加入任何烧结助剂,就可制备出高纯度、高密度的烧结氧化钨,这种烧结氧化钨,可经济、高效的制成各种复杂形状。具体实施方式:实例1:高纯度、高密度的烧结三氧化钨三氧化粉末(平均粒度17微米)掺1-5%(重量)聚乙二醇(PEG)作为成型剂,加入蒸馏水在球磨机中湿磨24-96小时,干燥过筛后,在100-200MPa压力下压制成型,脱成型剂后,高温炉中硅铝棒炉中,在1110℃-1400℃下于空气中常压烧结60-180分钟,随炉冷却,这样制得的烧结三氧化钨,纯度高于99%,密度大于6.75g/cm3(相对密度≥94%)-->实例2:高纯度、高密度的烧结三氧化钨三氧化粉末(平均粒度10微米),掺1-5%(重量)聚乙二醇(PEG)作为成型剂,加入蒸馏水在球磨机中湿磨24-96小时,干燥过筛后,在100-200MPa压力下压制成型,脱成型剂后,在高温炉中1110℃-1400℃下于空气中常压烧结60-180分钟,随炉冷却,这样制得的烧结三氧化钨,纯度高于99%,靶材密度大于6.82g/cm3(相对密度≥95%)实例3:高纯度、高密度的烧结蓝色氧化钨蓝色氧化钨为中间氧化物(β蓝色氧化钨WO2.90和γ紫色氧化钨WO2.72的混合物。蓝色氧化钨粉末(平均粒度15微米),掺1-5%(重量)聚乙二醇(PEG)作为成型剂,加入蒸馏水在球磨机中湿磨24-96小时,干燥过筛后,在100-200MPa压力下压制成型,脱成型剂后,在高温炉内1110℃-1400℃下于空气中常压烧结60-180分钟,随炉冷却,这样制得的烧结蓝色氧化钨,纯度高于99%,密度大于6.80g/cm3(相对密度≥94%)以上三种高纯度、高密度的烧结氧化钨均可作为氧化钨镀膜用靶材。实例4:本专利技术的烧结氧化钨靶材的应用实例。应用:玻璃镀膜靶材:烧结三氧化钨  密度:6.80g/cm3镀膜温度:10000℃玻璃镀膜后的反射率:光波波长(nm)           反射率(%)440                    0.516550                    0.772650                    0.376420nm-700nm的反射率小于1.1%实例5:本专利技术的烧结氧化钨靶材的应用实例应用:玻璃镀膜靶材:烧结三氧化钨  密度:6.82g/cm3镀膜温度:800℃玻璃镀膜后的反射率:光波波长(nm)           反射率(%)440                    0.388550                    0.596650                    0.273420nm-700nm的反射率小于1.0%上述实例表明:玻璃镀膜后明显降低了可见光区的反射率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型致密的氧化钨,其特征不添加任何烧结助剂而使氧化钨烧结致密化。本专利技术所述的烧结氧化钨纯度高于99%,密度大于6.7g/cm↑[3]。

【技术特征摘要】
1.一种新型致密的氧化钨,,其特征不添加任何烧结助剂而使氧化钨烧结致密化。本发明所述的烧结氧化钨纯度高于99%,密度大于6.7g/cm3。2.根据权利要求1所述的致密氧化钨,主要通过球磨—干燥—过筛—成形—烧结等工序制成。3.根据权利要求1所述的烧结三氧化钨,其制备工艺既可采用常压烧结工艺,也适用于气压烧结工艺,另外也可将氧化钨粉末直接热压而得到致密的氧化钨。4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨海涛高玲
申请(专利权)人:深圳大学
类型:发明
国别省市:94[中国|深圳]

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